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[发明专利]一种对晶圆表面硅晶渣进行清洗的方法-CN201210557559.5无效
发明人：李儒兴;陶仁峰;胡海天;李志国 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： B08B7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种对晶圆表面硅晶渣进行清洗的方法，将表面沾染大量硅晶渣的晶圆传输至化学机械研磨制程中所使用的研磨后清洗装置内，使用该清洗装置内的聚乙烯醇刷子对晶圆表面的硅晶渣进行清洗。本发明相比于常用的酸槽等清洗技术，能非常有效的清除晶圆表面沾染的大量硅晶渣，同时由于聚乙烯醇刷子的多孔、柔软的特性，使得清洗过程不会对晶圆表面造成二次划伤从而避免了晶圆的报废。
一种表面硅晶渣进行清洗方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201611153074.4在审
发明人：沈维晟;张仪贤;蔡易恒;郑创仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种制造半导体结构的方法包括提供第一晶圆；提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的第二晶圆；使第二晶圆的第一表面与第一晶圆接触；以及在第二晶圆的第二表面上形成多条划线；其中，多条划线从第二晶圆的第三表面突出，并且第三表面介于第一表面和第二表面之间。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体晶圆的清洗方法-CN02131868.9有效
发明人：刘洪伟 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-09-04 - 公布日： 2004-03-10 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种半导体晶圆的清洗方法，此方法提供具有材料层的晶圆。然后，进行刷洗工艺，以刷头与去离子水移除晶圆表面的微粒。之后，以惰性气体喷吹晶圆，以移除晶圆表面的水痕与防止晶圆受氧影响。
半导体清洗方法

[发明专利]晶圆及其制备方法和定位校准方法-CN202010375948.0在审
发明人：毕迪 -专利权人：上海果纳半导体技术有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆及其制备方法和定位校准方法，所述晶圆包括晶圆本体，所述晶圆本体的表面设置有定位校准部，所述定位校准部浮凸或者凹陷设置于所述晶圆本体的表面。由此根据本发明实施例的晶圆，由于不需要对进行削切形成定位缺角，从而可能够提高晶圆的整体强度，使得晶圆具有较高的结构强度，尤其是对于薄的晶圆，可降低晶圆在后续制备工艺中产生碎片或者破损的风险。
及其制备方法定位校准

[发明专利]一种晶圆切边位置检测装置-CN202210356473.X在审
发明人：王文举;田知玲;赵磊;廉金武;梅辰萌 -专利权人：北京烁科精微电子装备有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆切边位置检测装置，包括：旋转组件，旋转组件适于驱动晶圆围绕晶圆的中心轴线转动；发射部件，发射部件适于在晶圆旋转的过程中朝向晶圆表面发射具有单一波长的检测光束，检测光束包括照射至晶圆表面并在晶圆表面形成光斑的第一部分光和照射至晶圆外侧的第二部分光，光斑的面积小于晶圆的面积；接收部件，接收部件适于接收第二部分光并输出电信号；位置获取部件，位置获取部件适于在晶圆旋转的过程中获取光斑在晶圆表面的位置信息；分析模块，分析模块适于接收位置信息和电信号，并判断晶圆的切边位置晶圆切边位置检测装置易于精确检测出切边的位置。
一种切边位置检测装置

[发明专利]一种晶圆表面缺陷智能检测方法、装置-CN202310008991.7在审
发明人：张效栋;朱琳琳;程威盛;刘现磊 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆表面缺陷智能检测方法、装置，属于晶圆缺陷检测技术领域，检测方法包括：将晶圆片和晶圆视觉拍照模组分别安装在相应载体上；控制晶圆片或晶圆视觉拍照模组移动至第一检测起始相对位置；利用晶圆视觉拍照模组在检测一模式下对晶圆表面图像进行采集，包括在检测一模式的预设检测路径下逐路径点进行拍照；控制晶圆片或晶圆视觉拍照模组移动至第二检测起始相对位置；利用晶圆视觉拍照模组在检测二模式下对晶圆表面图像进行采集，包括在检测二模式的预设检测路径下逐路径点进行拍照本发明通过高自由度的打光方式能够对晶圆表面多种缺陷完成准确高效的检测。
一种表面缺陷智能检测方法装置

[发明专利]可精细控制温度的晶圆加热系统-CN201410087925.4有效
发明人：张简瑛雪;杨棋铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于在制造半导体器件中处理晶圆的方法和系统，其中，化学反应需要设置化学品和晶圆加热。将晶圆放置在晶圆加热器之上，从而使第二表面面对晶圆加热器，并且从第二表面加热晶圆。化学层形成在相对的第一表面上。设置晶圆加热器的尺寸并且将晶圆加热器配置为能够加热整个第二表面，并且如果需要，晶圆加热器适合于产生局部不同的温度分布。在加热期间，可以监测晶圆上的实际温度分布且将实际温度分布传输至计算系统，计算系统可以产生目标温度分布并且根据目标温度分布控制晶圆加热器以调整晶圆上的局部温度。用于加热化学品的辅助加热器可以用于更精细地控制晶圆温度。
精细控制温度加热系统

[实用新型]晶圆承载盘和外延设备-CN202221016978.3有效
发明人：许昊;张丽旸;程凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶圆承载盘和外延设备。晶圆承载盘包括盘状本体，盘状本体具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面及第二表面和盘状本体具有相同的回转中心；还包括晶圆槽，晶圆槽为从第一表面向第二表面凹陷形成以容纳晶圆的凹槽，多个晶圆槽沿回转中心圆周均布；还包括整流结构，整流结构从第一表面向第二表面凹陷形成，整流结构包括从晶圆槽的侧壁外侧向盘状本体的周边延伸的外槽。通过设置包括外槽的整流结构以调控外延工艺中用于在晶圆上形成沉积膜的沉积源气流的流动状态并降低晶圆槽的侧壁温度，因而影响沉积源在晶圆边缘处的掺入组分，达到改善晶圆外延后得到的外延片的发光波长均匀性，因此，
承载外延设备

[发明专利]一种晶圆抛光装置-CN202110858647.8有效
发明人：贺贤汉;佐藤泰幸;原英樹;杉原一男 -专利权人：上海申和投资有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B24B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了存储器件生产技术领域的一种晶圆抛光装置，该发明中通过设置中空连接杆、复位弹簧、挤压板、扭簧和清理板，当中空连接板继续向右转动时，抛光盘与清理板接触，并在抛光盘横向挤压的作用，使清理板向右转动，对晶圆表面进行率先清理，保证晶圆表面的整洁，避免晶圆表面留有废料，提高抛光精度，同时抛光盘开始对晶圆表面进行抛光，推动板沿着挤压板底端的平行面运动，保证抛光的稳定性，当结束对晶圆表面进行抛光后，在复位弹簧的作用下，抛光盘向上运动，脱离晶圆表面，同时在扭簧的作用下，清理板复位并作用在抛光后的晶圆表面，对其表面进行清理，保证晶圆表面的整洁，为下次抛光做准备，提高抛光精度。
一种抛光装置

[发明专利]晶圆键合的方法-CN201410042206.0在审
发明人：李新;戚德奎 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合的方法，包括：提供多个晶圆；在多个晶圆上形成层间介质层以及于位于层间介质层中的互连结构，互连结构具有露出层间介质层表面的贴合端；对所述贴合端进行清洗；在多个晶圆上的层间介质层表面以及贴合端表面覆盖保护涂层；去除所述保护涂层；对多个晶圆进行键合工艺，使多个晶圆的贴合端相互对准贴合。在晶圆键合工艺之前，对在晶圆中互连结构的贴合端表面覆盖保护涂层，使得贴合端在较长时间内不容易受氧化而形成粗糙的表面，在晶圆键合工艺前去除保护涂层，这样提高了键合工艺进行之前贴合端表面的平整度，进而提高晶圆键合工艺的质量，使多个晶圆之间能够良好的电连接。
晶圆键合方法

[发明专利]适于8寸晶圆OPEN装载传输的映射方法及装置-CN202310732225.5在审
发明人：戴金方;相宇阳;李玲娅;耿晓杨 -专利权人：无锡卓海科技股份有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种适于8寸晶圆OPEN装载传输的映射方法及装置，其包括：将一8寸晶圆OPEN装载用的OPEN装载Cassette料盒装配在所述装载传输装置的机台上；基于构建的扫描检测坐标刻度映射关系，将8寸晶圆上表面扫描检测坐标刻度值、8寸晶圆下表面扫描检测坐标刻度值分别映射生成12寸晶圆上表面扫描检测映射坐标刻度值、12寸晶圆下表面扫描检测映射坐标刻度值，并将映射生成的12寸晶圆上表面扫描检测映射坐标刻度值、12寸晶圆下表面扫描检测映射坐标刻度值加载至装载传输装置内的装载传输处理器内本发明可基于12寸晶圆FOUP装载传输下实现8寸晶圆OPEN装载传输的扫描检测映射，满足8寸晶圆装载传输的需求，提高产品的利用率。
适于寸晶圆 open 装载传输映射方法装置

[实用新型]一种晶圆匀胶设备-CN202222785515.X有效
发明人：刘斌;王向谦;徐武德;员朝鑫;谢明玲;李钰瑛;韩根亮 -专利权人：甘肃省科学院传感技术研究所
申请日： 2022-10-22 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆匀胶设备，涉及晶圆加工处理设备技术领域，该晶圆匀胶设备，包括底盘，所述底盘的表面固定连接有支撑杆，所述支撑杆的表面固定连接有胶液罐，所述支撑杆的表面固定连接有与胶液罐相连通的滴胶管，所述底盘的表面转动连接有吸盘，所述底盘的表面上设置有夹持机构，通过夹持机构的设置，使晶圆在放在吸盘上后，能够在吸盘的吸力和晶圆自身的重力下，带动夹块自动对晶圆进行夹持，从而无需工作人员放入晶圆后在进行操作，进而尽量避免了二次操作时，使外界的灰尘等杂质飘落在晶圆的表面，从而降低晶圆匀胶质量的情况，从而提高了晶圆的匀胶效果，保证了晶圆的加工质量。
一种晶圆匀胶设备

[发明专利]一种晶圆平整装置、控制方法及存储介质-CN202210851406.5在审
发明人：蒋竞超;廖平强;尚小兵 -专利权人：杭州新诺微电子有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种晶圆平整装置、控制方法及存储介质，装置包括晶圆平台、多个管柱、晶圆固定机构、抽气系统、驱动系统。通过利用晶圆固定机构，可以将晶圆固定于晶圆平台上，以便于对晶圆表面平整进行后续操作；通过利用抽气系统，将晶圆平台下侧的空气抽出，使得晶圆平台上下两侧形成气压差，从而让晶圆平台上侧的大气压将晶圆紧紧压至晶圆平台上，实现将晶圆凸起的部分变得平整；通过利用驱动系统，来驱动多个管柱在管柱孔中垂直方向上的移动，以使得晶圆上凹陷的部分可由管柱顶起，从而实现晶圆平整。因此，通过利用本发明实施例的晶圆平整装置，可以使得晶圆表面的凹凸部分实现平整，从而有利于晶圆的加工封装。
一种平整装置控制方法存储介质

[发明专利]一种减小晶圆键合对准偏差的方法-CN201810871529.9在审
发明人：吴立枢;戴家赟;孔月婵 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种减小晶圆键合对准偏差的方法，包括：1）在A晶圆表面通过蒸发或者电镀的方法形成一层图形化金属；2）在B晶圆表面通过蒸发或者电镀的方法形成一层与图形化金属相同图形的低熔点金属；3）在A晶圆表面旋涂一层BCB；4）对A晶圆表面的BCB进行软固化；5）对A晶圆表面的BCB进行图形化干法刻蚀，直至图形化金属表面的BCB刻蚀干净；6）A晶圆和B晶圆正面相对，通过对准标记对准，升温升压，以实现金属和BCB键合优点：采用低熔点金属预键合加固的方法，减少因为晶圆键合时BCB流动而产生对准偏差的问题，提高晶圆间BCB键合的对准精度。
晶圆表面图形化金属对准偏差晶圆低熔点金属晶圆键合电镀减小键合蒸发对准升压对准标记干法刻蚀晶圆正面图形化预键合刻蚀旋涂固化金属流动

[发明专利]一种精确测量InP基激光器顶层厚度的方法-CN202210397678.2在审
发明人：高子凡;李志锋;褚昆昆;张文超;赵培栋 -专利权人：河南仕佳光子科技股份有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G01B15/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种精确测量InP基激光器顶层厚度的方法，用以解决测量外延生长膜层厚度的误差较大的技术问题，包括以下步骤：将外延生长后的InP基晶圆使用光刻手段在晶圆表面涂胶并显影，使晶圆表面出现图形；利用低温ICPCVD技术在显影后的晶圆表面生长氧化硅掩膜，制备得到生长有氧化硅掩膜的晶圆；将晶圆浸泡在正胶剥离液中，得到胶膜剥离的晶圆；利用湿法腐蚀工艺对胶膜剥离的晶圆表面进行腐蚀；再次利用湿法腐蚀工艺对腐蚀后的晶圆表面进行腐蚀；腐蚀后的晶圆使用探针扫描式测量工具进行测量。本发明通过表面刻蚀的方法，能够通过实用精度更高的探针扫描式测量工具对外延层厚度对其测量，精确度可达0.1nm。
一种精确测量 inp 激光器顶层厚度方法