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[实用新型]功率半导体器件-CN202022541853.X有效
发明人：朱袁正;黄薛佺;杨卓;叶鹏 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种功率半导体器件，功率半导体器件被划分为终端区和元胞区，终端区环绕元胞区设置，其中，功率半导体器件包括第一MOSFET器件和第二MOSFET器件，第一MOSFET器件的源极与第二MOSFET器件的源极连接后作为功率半导体器件的源极，第一MOSFET器件的漏极和第二MOSFET器件的漏极连接后作为功率半导体器件的漏极，第一MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第一栅极，第二MOSFET器件的栅极作为功率半导体器件的第二栅极，位于元胞区内的第一MOSFET器件的元胞的数量大于第二MOSFET器件的元胞的数量。本实用新型提供的功率半导体器件具有高可靠性的优势。
功率半导体器件

[实用新型]功率半导体器件-CN201921347175.4有效
发明人：郭依腾;史波 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2019-08-16 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本申请涉及功率半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种新型结构功率半导体器件。功率半导体器件包括由下至上依次层叠的背面金属层、衬底、外延层和正面结构，所述背面金属层通过设置于所述衬底内的金属与所述外延层连接。本申请中的功率半导体器件在制备过程中不需对衬底进行减薄，而是采用引线孔技术，将背面电极引出。在不影响焊接工艺和功率半导体器件电性的基础上，取缔了减薄工艺，保留了衬底作为支撑，避免了减薄过程以及后续薄片制作工艺上造成的碎片风险，节约了成本。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201810650267.3在审
发明人：李述洲;王兴龙;徐向涛;刘道广;万欣;晋虎 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种功率半导体器件，包括：第一类型掺杂的半导体层；位于所述半导体层表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体层内的第二类型掺杂的体区；位于所述体区之间的半导体层内的载流子吸收区。所述功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
功率半导体器件半导体层栅极结构掺杂的体区半导体层表面载流子吸收

[实用新型]功率半导体器件-CN201820967474.7有效
发明人：李述洲;王兴龙;徐向涛;刘道广;万欣;晋虎 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种功率半导体器件，包括：第一类型掺杂的半导体层；位于所述半导体层表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体层内的第二类型掺杂的体区；位于所述体区之间的半导体层内的载流子吸收区。所述功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
功率半导体器件半导体层栅极结构掺杂的体区半导体层表面载流子吸收

[发明专利]功率半导体器件-CN202180092589.0在审
发明人：岛津浩美;金子裕二朗;高木佑辅 -专利权人：日立安斯泰莫株式会社
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明的功率半导体器件的第1功率半导体元件和第2功率半导体元件，在所述第1功率半导体元件的发热量大于所述第2功率半导体元件的发热量的情况下，作为从所述第1功率半导体元件的端部到所述导体板的端部的距离的第1距离大于作为从所述第2功率半导体元件的端部到与所述第2功率半导体元件连接的第2导体板的端部的距离的第2距离。
功率半导体器件

[实用新型]功率半导体器件-CN201721548489.1有效
发明人：杨彦涛;夏志平;王维建 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽；位于多个沟槽下部侧壁和底部的绝缘叠层；至少一部分位于多个沟槽中的屏蔽导体，屏蔽导体从多个沟槽上方延伸至其底部，并且与半导体衬底之间由绝缘叠层彼此隔离；在多个沟槽上部中位于屏蔽导体两侧的栅极导体；与源区和屏蔽导体电连接的源极电极；以及与栅极导体电连接的栅极电极，其中，栅极导体与屏蔽导体之间由绝缘叠层中的至少一层彼此隔离，栅极导体与体区之间由栅极电介质彼此隔离，屏蔽导体与半导体衬底之间由绝缘叠层彼此隔离该功率半导体器件在屏蔽导体顶部形成隔离层以避免栅源短路。
屏蔽导体功率半导体器件绝缘叠层栅极导体衬底隔离半导体电连接栅极电介质下部侧壁源极电极栅极电极栅源短路隔离层体区源区延伸申请

[实用新型]功率半导体器件-CN201721548674.0有效
发明人：杨彦涛;王平;陈文伟 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽；位于多个沟槽底部下方的半导体衬底中的掺杂区；位于多个沟槽下部侧壁和底部的绝缘叠层；至少一部分位于多个沟槽中的屏蔽导体，屏蔽导体从多个沟槽上方延伸至其底部；在多个沟槽上部中位于屏蔽导体两侧的栅极导体；与源区和屏蔽导体电连接的源极电极；以及与栅极导体电连接的栅极电极，其中，栅极导体与屏蔽导体之间由绝缘叠层中的至少一层彼此隔离，栅极导体与体区之间由栅极电介质彼此隔离，屏蔽导体与半导体衬底之间由绝缘叠层彼此隔离。该功率半导体器件在沟槽底部形成掺杂区以减小栅漏电容。
屏蔽导体功率半导体器件栅极导体绝缘叠层衬底半导体掺杂区电连接隔离栅极电介质下部侧壁源极电极栅极电极栅漏电容减小体区源区延伸申请

[实用新型]功率半导体器件-CN201820977290.9有效
发明人：李述洲;王建平;张力;刘道广;万欣;高良 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种功率半导体器件，包括：第一类型掺杂的半导体层；位于所述半导体层表面的栅极结构；位于所述栅极结构两侧的半导体层内的第二类型掺杂的体区；位于所述体区之间的半导体层内的载流子吸收区，所述载流子吸收区包括多个阵列排列的子吸收区所述功率半导体器件具有较高的抗SEGR能力。
功率半导体器件半导体层载流子吸收栅极结构掺杂的体区半导体层表面本实用新型多个阵列吸收区

[发明专利]功率半导体器件-CN201310722649.X在审
发明人：张昌洙;严基宙;宋寅赫;朴在勋;徐东秀 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：第一导电类型的第一半导体层，具有厚度t1，以耐受600V的反向电压；以及第二导电类型的第二半导体层，形成在第一半导体层的上部中并具有厚度t2，其中
功率半导体器件

[实用新型]功率半导体器件-CN201720097749.1有效
发明人：顾悦吉;杨彦涛;陈琛;王珏 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了功率半导体器件。所述功率半导体器件包括位于沟槽中的分离栅结构。所述分离栅结构包括彼此隔开的第一栅极导体、第二栅极导体和第三栅极导体，所述第一栅极导体的第一部分位于所述沟槽的上部并且夹在所述第二栅极导体和所述第三栅极导体之间，所述第一栅极导体的第二部分延伸至所述沟槽的下部该功率半导体器件采用分离栅结构以提高响应速度和降低开关损耗。
功率半导体器件

[实用新型]功率半导体器件-CN201721548407.3有效
发明人：杨彦涛;向璐;陈琛;吕焕秀 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽；位于多个沟槽下部侧壁和底部的绝缘叠层；至少一部分位于多个沟槽中的屏蔽导体；在多个沟槽上部中位于屏蔽导体两侧的栅极导体；与源区和屏蔽导体电连接的源极电极；以及与栅极导体电连接的栅极电极,其中，栅极导体与屏蔽导体之间由绝缘叠层中的至少一层彼此隔离，栅极导体与体区之间由栅极电介质彼此隔离，屏蔽导体与半导体衬底之间由绝缘叠层彼此隔离，栅极导体用于重布线以实现与栅极电极的电连接该功率半导体器件利用栅极重布线以实现栅极电极和源极电极的隔开，从而避免栅源短路。
屏蔽导体栅极导体功率半导体器件绝缘叠层栅极电极电连接源极电极重布线隔离衬底半导体栅极电介质下部侧壁栅源短路隔开体区源区申请

[实用新型]功率半导体器件-CN201721548721.1有效
发明人：杨彦涛;夏志平;王维建 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的多个沟槽；位于多个沟槽下部侧壁和底部的绝缘叠层；填充沟槽的底部的隔离层；至少一部分位于多个沟槽中的屏蔽导体，屏蔽导体从多个沟槽上方延伸至其底部；在多个沟槽上部中位于屏蔽导体两侧的栅极导体；与源区和屏蔽导体电连接的源极电极；以及与栅极导体电连接的栅极电极，其中，栅极导体与屏蔽导体之间由绝缘叠层中的至少一层彼此隔离，栅极导体与体区之间由栅极电介质彼此隔离，屏蔽导体与半导体衬底之间由隔离层和绝缘叠层彼此隔离该功率半导体器件在屏蔽导体与半导体衬底之间形成隔离层和绝缘叠层，从而减小栅漏电容。
屏蔽导体功率半导体器件绝缘叠层栅极导体隔离层衬底半导体电连接隔离栅极电介质下部侧壁源极电极栅极电极栅漏电容减小体区填充源区延伸申请

[实用新型]功率半导体器件-CN202021231063.5有效
发明人：宋辉;张太之;曹玉昭;唐曙华;时尚起;严波;邵兆军 -专利权人：苏州汇川联合动力系统有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本实用新型公开一种功率半导体器件，其中，该功率半导体器件包括：第一基板，具有第一导电面；第一桥臂芯片，第一桥臂芯片具有正面和背面，以及形成在正面的发射极，第一桥臂芯片的正面贴设于第一基板的第一导电面，且第一桥臂芯片的发射极与第一基板的第一导电面电连接本实用新型应用于具有半桥/全桥拓扑的功率半导体器件封装，通过减少材料、降低功率半导体器件的封装尺寸，从而提高功率半导体器件的功率密度。
功率半导体器件

[实用新型]功率半导体器件-CN201721548848.3有效
发明人：杨彦涛;王平;顾悦吉;张邵华;李敏 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了功率半导体器件。该功率半导体器件包括：位于半导体衬底中的体区和多个沟槽，所述体区邻近所述多个沟槽上部；位于所述体区中的源区；位于所述多个沟槽下部侧壁和底部的绝缘叠层；屏蔽导体，从所述多个沟槽上方延伸至其底部；位于所述屏蔽导体两侧的栅极导体；与所述源区和所述屏蔽导体电连接的源极电极；以及与所述栅极导体电连接的栅极电极，其中，所述栅极导体与所述屏蔽导体之间由所述绝缘叠层中的至少一层彼此隔离，所述栅极导体与所述体区之间由所述栅极电介质彼此隔离，所述屏蔽导体与所述半导体衬底之间由所述绝缘叠层彼此隔离。该功率半导体器件在屏蔽导体与半导体衬底之间形成绝缘叠层，从而减小栅漏电容。
屏蔽导体功率半导体器件绝缘叠层栅极导体体区衬底半导体电连接隔离源区栅极电介质下部侧壁源极电极栅极电极栅漏电容减小邻近延伸申请

[发明专利]功率半导体器件-CN201310175270.1有效
发明人：吴政勳 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2013-05-13 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件。该功率半导体器件包括衬底、设置在衬底上的第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层，设置在第二半导体层上并且露出第二半导体层的一部分的第三半导体层、设置在第二半导体层的经由第三半导体层露出的部分上的栅电极以及设置在第三半导体层上在栅电极的两侧处以彼此间隔开的源电极和漏电极在第三半导体层中在栅电极和漏电极之间形成电隔离区域。
功率半导体器件

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