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- [发明专利]静电保护结构、芯片-CN202110793560.7在审
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许杞安
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长鑫存储技术有限公司
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2021-07-14
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2023-01-17
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H01L23/60
- 本公开涉及半导体技术领域，提出一种静电保护结构、芯片，静电保护结构包括：半导体衬底、第一P型阱、第一N型阱、第一N型掺杂部、第一P型掺杂部、第二N型掺杂部、第二P型掺杂部、第三掺杂阱、第三P型掺杂部、第三N型掺杂部。第一P型阱、第一N型阱、第三掺杂阱位于半导体衬底内；第一N型掺杂部、第一P型掺杂部位于第一N型阱内且间隔设置；第二N型掺杂部、第二P型掺杂部位于第一P型阱且间隔设置；第三P型掺杂部、第三N型掺杂部位于第三掺杂阱内且间隔设置；第二N型掺杂部、第二P型掺杂部、第三N型掺杂部电连接，第一N型掺杂部与第三P型掺杂部电连接。
- 静电保护结构芯片
- [发明专利]静电放电保护元件-CN201910306149.5在审
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陈永初;陈哲宏
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旺宏电子股份有限公司
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2019-04-16
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2020-09-29
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H01L27/02
- 本发明公开了一种静电放电保护元件，包括以下构件：第一PNP型双极结晶体管包括P型区、第一N型阱区、第二N型阱区、第一P型掺杂区、第一N型掺杂区、第二P型掺杂区与N型区。NPN型双极结晶体管包括第一P型阱区、第三N型阱区、第二N型掺杂区、第三P型掺杂区与第三N型掺杂区。第二PNP型双极结晶体管包括第一P型阱区、第三N型阱区、第三P型掺杂区、第三N型掺杂区与第四P型掺杂区。第二P型掺杂区、第一N型掺杂区、第三N型掺杂区与第四P型掺杂区耦接至高压端。第一P型掺杂区、第二N型掺杂区与第三P型掺杂区耦接至低压端。
- 静电放电保护元件
- [发明专利]快恢复二极管及其制备方法-CN202211233564.0有效
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李伟聪;伍济
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深圳市威兆半导体股份有限公司
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2022-10-10
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2023-01-03
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H01L29/06
- 本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种快恢复二极管，包括阳极金属、P型轻掺杂区、P型重掺杂区、P型掺杂区、沟槽、N型漂移区、N型衬底和阴极金属；P型轻掺杂区的顶部与阳极金属连接，P型重掺杂区的顶部与阳极金属连接；沟槽位于P型轻掺杂区与P型重掺杂区之间，沟槽的深度大于P型轻掺杂区的深度，沟槽的深度大于P型重掺杂区的深度；沟槽内设有介质层；P型掺杂区设置于P型重掺杂区下方，并与沟槽底部连接；沟槽与P型掺杂区配合，形成相对于P型重掺杂区的半包围结构。本发明提供的快恢复二极管的半包围结构可保护结深较浅的P型重掺杂区，从而快恢复二极管能获得较宽的安全工作区。
- 恢复二极管及其制备方法
- [实用新型]可控硅结构-CN202022145791.0有效
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刘宗贺;吴沛东
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深圳长晶微电子有限公司
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2020-09-25
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2021-03-16
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H01L29/08
- 本实用新型提供一种可控硅结构，其包括N型衬底、背面P型掺杂、P型穿通环、正面P型掺杂、隔离槽、N型掺杂区、表面结构和第三金属电极，背面P型掺杂设置在N型衬底一端，P型穿通环位于N型衬底四周，一端接触背面P型掺杂，正面P型掺杂设置在N型衬底远离背面P型掺杂一端，隔离槽呈环状，一端露出正面P型掺杂区，另一端穿过正面P型掺杂区，沉入N型衬底中，N型掺杂区设置在正面P型掺杂上，表面结构设置在正面P型掺杂远离N型衬底的一端，用于芯片钝化以及封装焊接，第三金属电极覆盖在背面P型掺杂上，用于封装可控硅阳极电极焊接导电。
- 可控硅结构
- [发明专利]一种静电保护器件-CN201911060817.7在审
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张泽飞;郭朝亮
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上海类比半导体技术有限公司
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2019-11-01
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2019-12-27
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H01L29/06
- 本申请公开了一种静电保护器件，包括：P型衬底及N型掺杂埋层；相邻的第一N型阱区、第一P型阱区、第二N型阱区、第二P型阱区及第三N型阱区；位于第一N型阱区中的第一N型重掺杂区；位于第一P型阱区中的第一P型重掺杂区和第二N型重掺杂区；位于第二N型阱区中的第二P型重掺杂区、第三N型重掺杂区和第三P型重掺杂区；位于第二P型阱区中的第四N型重掺杂区和第四P型重掺杂区；位于第三N型阱区中的第五N型重掺杂区；位于P型衬底表面的第五P型重掺杂区和第六P型重掺杂区；第一、第三、第五N型重掺杂区、第二、第三P型重掺杂区相连为阳极；第一、第四、第五、第六P型重掺杂区、第二、第四N型重掺杂区相连为阴极。
- 阴极静电保护器件阳极衬底表面衬底埋层申请
- [实用新型]一种静电保护器件-CN201921870091.9有效
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张泽飞;郭朝亮
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上海类比半导体技术有限公司
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2019-11-01
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2020-05-12
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H01L29/06
- 本申请公开了一种静电保护器件，包括：P型衬底及N型掺杂埋层；相邻的第一N型阱区、第一P型阱区、第二N型阱区、第二P型阱区及第三N型阱区；位于第一N型阱区中的第一N型重掺杂区；位于第一P型阱区中的第一P型重掺杂区和第二N型重掺杂区；位于第二N型阱区中的第二P型重掺杂区、第三N型重掺杂区和第三P型重掺杂区；位于第二P型阱区中的第四N型重掺杂区和第四P型重掺杂区；位于第三N型阱区中的第五N型重掺杂区；位于P型衬底表面的第五P型重掺杂区和第六P型重掺杂区；第一、第三、第五N型重掺杂区、第二、第三P型重掺杂区相连为阳极；第一、第四、第五、第六P型重掺杂区、第二、第四N型重掺杂区相连为阴极。
- 一种静电保护器件
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