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- [发明专利]静电保护结构-CN201210253787.3有效
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王邦麟;苏庆
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上海华虹NEC电子有限公司
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2012-07-20
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2014-02-12
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H01L27/02
- 本发明公开了一种静电保护结构，包括：N+/P阱二极管和多晶硅二极管；N+/P阱二极管其P阱通过P+扩散区连接地电位,其N+扩散区通过金属连线与多晶硅二极管的矩形P+扩散区相连；多晶硅二极管包括：形成在P-多晶硅衬底上的两个P+扩散区和两个N+扩散区；所述P+扩散区分列于所述N+扩散区两侧，其中一P+扩散区为矩形，另一P+扩散区呈阶梯形结构；所述N+扩散区通过金属连线并连后接电源电位，所述阶梯形P+扩散区通过金属连线接输出本发明相比较现有的二极管静电保护结构，能减小输出/入端口到电源与地之间的总电容，减小静电保护结构对高射频电路工作性能的影响，适应射频电路的设计需求。
- 静电保护结构
- [发明专利]静电保护结构-CN201210461488.9有效
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苏庆;王邦麟
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2012-11-15
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2014-05-21
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H01L27/02
- 本发明公开了一种静电保护结构，包括P型衬底中的N型深阱，N型深阱上部的P阱、N+扩散区和场氧化区，P阱上部的P+扩散区、N+扩散区和场氧化区，多晶硅栅极生长在N型深阱和P阱的上方；其中，所述P阱上部的N扩散区靠近多晶硅栅极的一侧还有一P+有源区，所述P+有源区与所述P阱上部N+扩散区之间具有场氧化区，P阱上部的P+扩散区和N+扩散区相接引出作为接地端，所述P+有源区通过电阻和电容与所述N型深阱上部的N+扩散区相接引出作为静电输入端本发明能在不影响器件耐压的情况下降低器件静电触发电压。
- 静电保护结构
- [发明专利]静电保护结构-CN201110103518.4有效
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苏庆
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上海华虹NEC电子有限公司
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2011-04-25
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2012-10-31
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H01L27/02
- 本发明公开了一种静电保护结构，包含一N阱，一P阱；N阱中形成有第一P+扩散区、第二P+扩散区、第一N+扩散区、第二N+扩散区，第一P+扩散区、第二P+扩散区构成一PMOS管；N阱中的二P+扩散区之一、二N+扩散区之一同所述PMOS管的栅极短接用于接静电端；P阱中形成有第三P+扩散区、第四P+扩散区、第三N+扩散区、第四N+扩散区，第三N+扩散区、第四N+扩散区构成一NMOS管；P阱中的二N+扩散区之一本发明能方便有效地调节静电保护的触发电压，能有效的避免拴锁效应，静电放电能力强。
- 静电保护结构
- [发明专利]静电保护结构-CN201010594706.7有效
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苏庆;王邦麟
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上海华虹NEC电子有限公司
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2010-12-17
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2012-07-11
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H01L27/02
- 本发明公开了一种静电保护结构，包括第一NPN异质结晶体管、第二NPN异质结晶体管；第二NPN异质结晶体管的基极、集电极接第一NPN异质结晶体管的集电极，第二NPN异质结晶体管的发射极作为静电进入端，第一NPN异质结晶体管的基极、发射极短接作为静电放出端。本发明的静电保护结构，利用第二NPN异质结晶体管实现高增益放大倍数，利用第一NPN异质结晶体管实现高反向耐压能力，可以在不明显增加寄生电容的情况下，保证较高的静电泻放能力，增强击穿电压。
- 静电保护结构
- [实用新型]静电保护结构-CN200520105259.9无效
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杨立新;王美
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BCD半导体制造有限公司
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2005-08-31
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2006-10-11
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H01L23/60
- 本实用新型揭示了一种静电保护结构，静电保护电路中的启动/关闭端一端与一第一二极管(D1)正极相连，第一二极管(D1)的负极与一第二二极管(D2)的负极相连，第二二极管(D2)的正极接地；启动/关闭端同时还与一第一三极管和一第二三极管(Q12)的发射极相连，第一三极管(Q11)的基极与第二三极管(Q12)的基极相连，第一三极管(Q11)的集电极一端连到第一三极管(Q11)的基极同时与第二三极管(Q12)的集电极一起接入被保护的电路
- 静电保护结构
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