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[发明专利]一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺-CN202011011919.2在审
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区；本发明也相应地公开上述IBC太阳能电池结构的制备工艺。本发明通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。
一种 ibc 太阳能电池结构及其制备工艺

[实用新型]一种IBC太阳能电池结构-CN202022108929.X有效
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区。本实用新型通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。
一种 ibc 太阳能电池结构

[发明专利]一种单层二硫化钼能谷协调的单极型自旋二极管-CN201911029141.5有效
发明人：翟学超;刘永强;闻睿 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：所述自旋二极管包括由掺杂半导体材料与衬底材料融合形成的第一异质结和第二异质结，第一异质结与第二异质结相接触构成PN结，融合形成第一异质结或/和第二异质结的衬底材料为铁磁绝缘体，所述半导体为单层二硫化钼。
一种单层二硫化钼协调单极自旋二极管

[发明专利]具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法-CN202111226933.9在审
发明人：田宏波;赵晓霞;黎力;王伟;王雪松;王彩霞;宗军;范霁红;孙金华 -专利权人：国家电投集团科学技术研究院有限公司
申请日： 2021-10-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电极贯穿孔的硅异质结电池及其制备方法，硅异质结电池包括硅异质结主体、栅线和导电图形；硅异质结主体上沿其厚度方向设有电极贯穿孔，电极贯穿孔内填充有导电材料；设置于硅异质结主体上表面和下表面的栅线，电极贯穿孔的上端与硅异质结主体上表面的栅线相连；设置于硅异质结主体下表面的导电图形，电极贯穿孔的下端与导电图形相连，导电图形适于与相邻的硅异质结电池的栅线相连。
具有电极贯穿硅异质结电池及其制备方法

[发明专利]一种表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍及其制备方法和应用-CN202210504090.2在审
发明人：宫勇吉;金椿乔;翟朋博 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01M4/1397 文献下载
摘要：本发明涉及锂硫电池技术领域，尤其涉及一种表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍及其制备方法和应用。发明提供的制备方法，包括以下步骤：将尿素、氧化剂和水混合，得到尿素溶液；将泡沫镍置于所述尿素溶液中，依次进行水热反应、退火处理和硫化反应，得到表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍；所述异质结纳米片层中的异质结纳米片为NiO和Ni3S2的异质结纳米片，所述NiO和Ni3S2的异质结纳米片的厚度为1.7～3.2nm。利用本发明所述的制备方法制备得到的表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍表面的异质结纳米片的厚度为1.7～3.2nm，具有更好的活性位点，且与泡沫镍的结合性强。
一种表面生长有异质结纳米泡沫及其制备方法应用

[发明专利]可降低泄露电流的III族氮化物晶体管结构及其制作方法-CN202111577242.3在审
发明人：魏星;张晓东;赵德胜;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;广东中科半导体微纳制造技术研究院
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：所述III族氮化物晶体管结构包括：层叠设置的第一异质结和第二异质结，且所述第一异质结与第二异质结经高阻材料和/或插入层电性隔离；与所述第一异质结配合的第一电极、第二电极、第一栅极，所述第一栅极与第一异质结之间设有第三半导体，所述第一栅极还与第一电极电性连接；与所述第二异质结配合的源极、漏极、第二栅极，所述源极、漏极还分别与所述第一栅极、第二电极电性连接，所述第二栅极与第二异质结之间设置有第六半导体上。
降低泄露电流 iii 氮化物晶体管结构及其制作方法

[发明专利]半导体装置-CN201210458371.5有效
发明人：胜野高志;树神雅人;市川正;石井荣子 -专利权人：株式会社丰田中央研究所
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：在半导体装置（1）中，漏极（21）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电连接，源极（29）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电绝缘且构成为可与形成于第二异质结面（34）的二维电子气层电连接，栅极部（28）与第二异质结面（34）相向，导通电极（25）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层及形成于第二异质结面（34）的二维电子气层这两者电连接。形成于第一异质结面（32）的二维电子气层的电子浓度比形成于第二异质结面（34）的二维电子气层的电子浓度大。
半导体装置

[实用新型]一种异质结光伏组件-CN202122225264.5有效
发明人：李纪伟;王永;巴义敏;王海涛;吕井成;蒲雪莲 -专利权人：唐山海泰新能科技股份有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H02S20/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及光伏组件技术领域，尤其涉及一种异质结光伏组件。包括异质结光伏板和箱体，所述异质结光伏板为条状，多条所述异质结光伏板相互平行的横置在所述箱体的内部，所述异质结光伏板的左右两侧端部共轴的设置有两个铰接轴，所述箱体的左右两侧分别设置有两条竖直的固定条，所述铰接轴穿入在所述固定条内，所述异质结光伏板的一侧端部向外伸出有驱动轴，多条所述异质结光伏板的驱动轴共同穿入在竖直设置的驱动条中，所述驱动条的一端铰接有曲柄摇杆机构。通过设置的铰接轴使箱体内的多块条状异质结光伏板在驱动条的带动下实现翻转一定角度，能适应太阳光照的不同高度。
一种异质结光伏组件

[发明专利]一种氟化石墨烯/石墨烯异质结的制备方法-CN201510361771.8在审
发明人：徐杨;陆薇;阿亚兹;孟楠;万霞;程呈;郭宏伟;周翰铭;王雪;施添锦;王锋;马玲玲;刘雪梅;李炜;刘威 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C01B31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化石墨烯/石墨烯异质结的制备方法，主要采用深反应刻蚀的方法，以 SF₆气体作为氟化剂制得氟化石墨烯/石墨烯异质结。所制得的氟化石墨烯异质结为多层，顶层为氟化石墨烯，顶层以下为石墨烯。本发明方法制备的氟化石墨烯/石墨烯异质结氟化程度高，氟化性质好，该方法可用于大尺寸氟化石墨烯/石墨烯异质结的制备，当采用的石墨烯样品其衬底为铜网时，还可实现氟化石墨烯/石墨烯/氟化石墨烯双层异质结。制得的氟化石墨烯/石墨烯异质结尺寸可以达到晶圆级，这为氟化石墨烯/石墨烯异质结的性质探究以及氟化石墨烯/石墨烯异质结器件的加工都奠定了良好的基础。
一种氟化石墨烯异质结制备方法

[发明专利]一种异质结电池及其制备方法-CN202210307002.X在审
发明人：徐晓华;龚道仁;周肃;张鑫义;于长悦 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种异质结电池及其制备方法，异质结电池的制备方法包括：提供半导体衬底层；在所述半导体衬底层的至少一侧表面形成隧穿介质膜，所述隧穿介质膜中具有若干微孔；在所述隧穿介质膜背离所述半导体衬底层的一侧表面形成掺杂半导体层所述异质结电池的制备方法可以使异质结电池的寄生光吸收降低，导电性提高，进而提高异质结电池的转换效率。
一种异质结电池及其制备方法

[实用新型]一种异质结可饱和吸收镜、锁模光纤激光器-CN201620532351.1有效
发明人：闫培光;陈浩;王金章;邢凤飞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本实用新型属于激光器技术领域，提供了一种异质结可饱和吸收镜，包括衬底、覆盖在所述衬底上的异质结薄膜以及位于所述异质结薄膜之上的保护膜层；所述异质结薄膜包括至少两层可饱和吸收层，其中各可饱和吸收层的材料互不相同本实用新型提供的异质结可饱和吸收镜具有高损伤阈值，结构简单、成本低廉，可靠性高；制备方法简单，适于批量生产。
一种异质结可饱和吸收光纤激光器

[实用新型]一种异质结电池丝网印刷装置-CN202021676685.9有效
发明人：刘莉 -专利权人：宁波赫兹光电科技有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： B41F15/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结电池丝网印刷装置，包括：安装底座，用于放置异质结电池片，所述安装底座上设置有吸附孔，所述吸附孔能够在第一状态下产生吸附力以使得所述异质结电池片定位于所述安装底座上，所述吸附孔能够在第二状态下使得吸附力消失以使得异质结电池片能够从所述安装底座上取下本实用新型使得异质结电池片定位更加方便。
一种异质结电池丝网印刷装置

[发明专利]一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器-CN200810020042.6无效
发明人：韦文生 -专利权人：韦文生
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器，本发明的优点在于应用纳米硅/单晶硅异质结构在应力状态下的反向I－V特性，制成了敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管，并应用该纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管而制作一种敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压力传感器。
一种纳米硅异质结压敏二极管硅异质结压力传感器

[发明专利]一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管-CN201110105996.9无效
发明人：陈万军;魏进;汪志刚;张竞;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管，属于功率半导体器件技术领域。包括单片集成的低压MOS管和耗尽型GaN异质结场效应晶体管；其中，MOS管的漏极和耗尽型GaN异质结场效应晶体管的源极相连；二者的栅极互连，或者GaN异质结场效应晶体管的栅极与MOS管的源极互连；MOS管和耗尽型GaN异质结场效应晶体管之间采用介质隔离槽隔离。本发明通过控制与耗尽型GaN异质结场效应晶体管相串联的低压MOS管的开关状态实现了将耗尽型GaN异质结场效应晶体管向增强型GaN异质结场效应晶体管的转变，不仅具有低压MOS器件的常关型特性，而且具有耗尽型GaN异质结场效应晶体管的高耐压、低导通电阻等优点，具有良好的频率特性和输出功率密度，适用于高频、大功率领域。
一种基于 mos 控制增强 gan 异质结场效应晶体管

[实用新型]用于承载异质结太阳能电池的硅片载片盒-CN201620685105.X有效
发明人：顾凯;张闻斌;王琪 -专利权人：苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;协鑫集成科技股份有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于承载异质结太阳能电池的硅片载片盒，包括：底部；一对支撑臂，分别呈夹角设置于所述底部的相对两侧，所述支撑臂具有用以卡持异质结太阳能电池片一侧的第一拐角结构，所述第一拐角结构包括：与异质结太阳能电池片的侧边接触的第一卡合面；及与异质结太阳能电池片的正/反面接触的第二卡合面，所述第二卡合面的宽度小于2mm，上述用于承载异质结太阳能电池片的载片盒的第二卡合面不与异质结太阳能电池片的栅线所在位置的浆料接触，避免了因异质结太阳能电池片的栅线与载片盒接触，导致的异质结太阳能电池片的背电极因受热不均匀阻碍浆料中的有机物的挥发，影响异质结太阳能电池片的良率。
用于承载异质结太阳能电池硅片载片盒