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[发明专利]一种异质结、铁电隧道结及其制备方法和应用-CN201310258989.1有效
发明人：杨锋;胡广达;武卫兵;杨长红;吴海涛 -专利权人：济南大学
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结，包括衬底和在衬底上外延生长的一层铁电薄膜，所述衬底为n型或p型掺杂硅半导体，所述铁电薄膜为SrTiO3薄膜。本发明还公开了一种铁电隧道结，包括上述异质结，所述异质结的铁电薄膜表面覆有上电极，异质结的铁电薄膜作为铁电隧道结的势垒层，异质结的衬底作为铁电隧道结的下电极。本发明还公开了它们的制备和应用。本发明异质结实现了钛酸锶与非本征硅的直接外延生长，表现出了稳定的极化翻转特性，制成隧道结可电调制势垒的高度而且可电调制势垒的宽度，从而大大提高了隧道电阻。
一种异质结隧道及其制备方法应用

[发明专利]二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件-CN202011298767.9有效
发明人：方铉;牛守柱;杜鹏;刘晓磊;房丹;王登魁;魏志鹏;王晓华;王菲 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件，涉及半导体技术领域，二维材料异质结结构包括：生长于衬底的单原子层或多原子层X‑Y烯异质结薄膜，每层所述X‑Y烯异质结薄膜中X和Y相拼接形成共价键异质结结构本发明的二维材料异质结结构在二维材料内部形成稳定的共价键异质结结构，解决了传统二维材料无法形成真正单原子层的二维异质结，并且所形成的异质结是由范德瓦尔斯力所维系的，材料的稳定性不佳的问题。同时，层内异质结的构成也使得器件制备更加灵活，可以构建层内‑层间异质结复合结构，使得器件性质控制更加多样化。
二维材料异质结结构及其制备方法应用光电器件

[发明专利]一种以平面异质结为光敏层的有机近红外上转换器件-CN201610064522.7在审
发明人：彭应全;吕文理;钟隽康;许自强 -专利权人：兰州大学
申请日： 2016-01-30 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种以平面异质结为近红外光敏层的有机近红外上转换器件。采用有机平面异质结作为近红外光敏层，采用有机发光二极管(OLED)结构作为发光单元，制备有机近红外上转换器件。有机平面异质结采用给体‑受体或者受体‑给体平面异质结结构，OLED结构采用常规或者倒置OLED结构，设计了结构为“透明阴极/给体‑受体平面异质结光敏层/倒置OLED功能层/阳极”，“透明阴极/倒置OLED功能层/给体‑受体平面异质结光敏层/阳极”，“透明阳极/受体‑给体平面异质结光敏层/常规OLED功能层/阴极”和“透明阳极/常规OLED功能层/受体‑给体平面异质结光敏层/阴极”的四种有机近红外上转换器件
一种平面结为光敏有机红外转换器件

[实用新型]一种以平面异质结为光敏层的有机近红外上转换器件-CN201620093962.0有效
发明人：彭应全;吕文理;钟隽康;许自强 -专利权人：兰州大学
申请日： 2016-01-30 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种以平面异质结为光敏层的有机近红外上转换器件。采用有机平面异质结作为近红外光敏层，采用有机发光二极管(OLED)结构作为发光单元，制备有机近红外上转换器件。有机平面异质结采用给体‑受体或者受体‑给体平面异质结结构，OLED结构采用常规或者倒置OLED结构，设计了结构为“透明阴极/给体‑受体平面异质结光敏层/倒置OLED功能层/阳极”，“透明阴极/倒置OLED功能层/给体‑受体平面异质结光敏层/阳极”，“透明阳极/受体‑给体平面异质结光敏层/常规OLED功能层/阴极”和“透明阳极/常规OLED功能层/受体‑给体平面异质结光敏层/阴极”的四种有机近红外上转换器件
一种平面结为光敏有机红外转换器件

[实用新型]一种肖特基二极管-CN202320729088.5有效
发明人：张辉;付杰;严丹妮;刘成;叶念慈 -专利权人：湖南三安半导体有限责任公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本申请公开了一种肖特基二极管，涉及半导体器件技术领域，本申请的肖特基二极管，包括衬底以及设置于衬底上的异质结，异质结内形成有二维电子气，异质结上间隔设置有阳极电极和阴极电极，阳极电极和阴极电极之间的异质结上设置有应力调节结构，应力调节结构能够通过向阳极电极附近的异质结表面施加压应力增加异质结表面的压应力，以及，通过向阴极电极附近的异质结表面施加张应力增大异质结表面的张应力。
一种肖特基二极管

[发明专利]一种单晶异质结电池封装表面处理方法-CN202110388703.6在审
发明人：黄家容 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶异质结电池封装表面处理方法，包括以下步骤：将硅烷偶联剂与溶剂按比例混合，所述硅烷偶联剂与溶剂的比例控制在0.1％～5％之间，并均匀喷涂在单晶异质结电池表面；高温烘干单晶异质结电池表面的溶液本发明通过硅烷偶联剂中和电池表面残留离子的化学键，并且形成有机基体‑硅烷偶联剂‑无机基体的结合层，促进EVA或POE胶膜与异质结电池片表面ITO层的粘合，从而避免异质结电池封装脱层以及异质结光伏组件老化脱层，提升异质结光伏组件的可靠性。
一种单晶异质结电池封装表面处理方法

[发明专利]异质结电池库存管理系统-CN202211130003.8在审
发明人：王可胜;侯俊;柏爱玉;韩豫 -专利权人：合肥中南光电有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G06Q10/0875 文献下载
摘要：本发明公开了异质结电池库存管理系统，涉及库存管理技术领域，解决了异质结电池库存管理系统依赖人工导致相关库存管理系统的数据处理效率较为低下和无法满足智慧供应链对信息需要高速反应和处理的技术问题；本发明通过数据采集模块异质结电池的获取入库时间、供应商信息以及电池总数；并将入库时间、供应商信息以及电池总数上传至云平台；样本检测模块获取合格批次的异质结电池；并将不合格批次异质结电池的入库时间、供应商信息以及电池总数在云平台内删除；库存管理模块更新云平台中异质结电池的库存量；实现了智能化管理异质结电池库存，避免了因质量问题而导致库存量不准确的现象。
异质结电池库存管理系统

[发明专利]相变存储单元、相变存储器、电子设备及制备方法-CN202110655982.8在审
发明人：陈鑫;李响 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该相变存储单元包括：相变薄膜，该相变薄膜包括：一层相变材料层和一层异质结层，所述相变材料层与所述异质结层相接触；所述相变材料层采用相变材料形成，所述异质结层采用异质结材料形成；所述异质结材料与所述相变材料的晶格失配度小于或等于20％；所述异质结材料与所述相变材料的接触晶面具有相同的晶格夹角；以及，所述异质结材料的熔点大于所述相变材料的熔点。
相变存储单元存储器电子设备制备方法

[发明专利]异质结热物理性质测量方法和装置-CN202310706629.7在审
发明人：曹炳阳;刘朝阳;杨光 -专利权人：清华大学
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结热物理性质测量方法和装置，包括：在测试时长内，对待测异质结样本进行加热，获取加热温升值和加热功率；基于所述加热温升值，确定所述加热温升值在所述测试时长内随时间变化的变化离散点和有效导热面积；根据所述变化离散点、所述加热功率、所述有效导热面积和所述待测异质结样本的各层厚度计算所述待测异质结样本的热物性。本发明对待测异质结样本表面进行热激励，测得样品表面不同时刻的温升变化，以得到温度变化离散点，根据温度变化离散点一次性地原位测量待测异质结样本的热物性，实现精度更高、效率更高的异质结热物理性质的测量。
异质结热物理性质测量方法装置

[发明专利]一种低温一步法制备单层硫化钼/硫化钨面内异质结的方法-CN201811446332.7有效
发明人：陶俊光;于宸崎;陈磊;陈士强;关丽秀;陈贵锋 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及低温一步法制备单层MoS2/WS2面内异质结的方法，适用于制备二维过渡金属硫化物的异质结。该方法包括：按配比制备出前驱物和通过化学气相沉积法(CVD)制备异质结。通过相图确定前驱物中各组分的最佳配比以及反应所需的最低温度；生长异质结则是在一英寸CVD管式炉中，通过化学气相沉积法制得。通过低温下的一步法生长，很大程度上简便了实验流程，降低了异质结形成的反应温度，大大减少了实验能耗，为制备二维过渡金属硫化物异质结提供了一种方便可靠的方法，在异质结生长领域具有深远意义。
一种低温一步法制备单层硫化钨面内异质结方法

[发明专利]一种基于spiro-OMeTAD掺杂体异质结的钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202110587818.8有效
发明人：于军胜;李嘉文;王瑞;王子君 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于spiro‑OMeTAD掺杂体异质结的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，由下至上依次为透明衬底、导电阴极、电子传输层、钙钛矿活性层、体异质结掺杂的空穴传输层以及金属阳极，且上述各层按序依次制备；其中，体异质结掺杂的空穴传输层采用空穴传输材料spiro‑OMeTAD，并掺入体异质结；体异质结包括并不限于IEICO‑4F：PCE10，薄膜厚度为300nm；掺杂的体异质结选用具有近红外吸收的给体/受体材料并选用与之搭配的受体/给体，spiro‑OMeTAD中掺入体异质结后，在提升器件短路电流的同时保持了器件的开路电压，从而提升了钙钛矿太阳能电池的光电转换效率。
一种基于 spiro ometad 掺杂体异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]相变存储单元、相变存储器、电子设备及制备方法-CN202210577387.1有效
发明人：陈鑫;李响 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：该相变存储单元包括：相变薄膜，该相变薄膜包括：一层相变材料层和一层异质结层，所述相变材料层与所述异质结层相接触；所述相变材料层采用相变材料形成，所述异质结层采用异质结材料形成；所述异质结材料与所述相变材料的晶格失配度小于或等于20％；所述异质结材料与所述相变材料的接触晶面具有相同的晶格夹角；以及，所述异质结材料的熔点大于所述相变材料的熔点。
相变存储单元存储器电子设备制备方法

[实用新型]异质结太阳能电池片干燥装置-CN201620447683.X有效
发明人：孙杰;王琪;张闻斌 -专利权人：苏州协鑫集成科技工业应用研究院有限公司;协鑫集成科技（苏州）有限公司;协鑫集成科技股份有限公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： F26B9/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种异质结太阳能电池片干燥装置，包括：箱体，具有容纳腔及盖板，所述容纳腔用于防止异质结电池片，所述盖板用于盖合所述容纳腔，其中所述箱体还包括多个进气口，设置于正对于异质结电池片的所述容纳腔的侧面或所述盖板上；进气管，一端连接于所述箱体的进气口，所述进气管通过所述多个进气口向所述容纳腔通入气流，使气流对放置于所述腔体内的异质结电池片进行干燥。以上公开的异质结太阳能电池片干燥装置可利用上述进气口使气流均匀地接触异质结太阳能电池片的表面，避免因异质结太阳能电池片受热不均而导致电池片质量异常的问题。
异质结太阳能电池干燥装置

[实用新型]异质结电池及光伏组件-CN202122764455.9有效
发明人：姚铮;崔巍;陈海燕;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种异质结电池及光伏组件,其中，异质结电池包括硅基底，依次层叠设置于硅基底受光侧表面的第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一透明导电层，其中，异质结电池还包括设于第一透明导电层表面的第一金属纳米线薄膜、设于第一金属纳米线薄膜表面的第一金属电极，本实用新型的异质结电池，通过在第一透明导电层表面设置第一金属纳米线薄膜，可有效地提升异质结电池受光面的透光率，同时第一金属纳米线薄膜与第一金属电极之间形成良好的欧姆接触，提升异质结电池的短路电流和填充因子，进而提升异质结电池的转换效率。
异质结电池组件

[实用新型]光伏组件以及光伏设备-CN202220208694.8有效
发明人：张达奇;吴坚;蒋方丹;毛立中 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光伏组件以及光伏设备，光伏组件包括：盖板、封装胶膜层和异质结电池，所述封装胶膜层设置于所述异质结电池和所述盖板之间，所述异质结电池与所述封装胶膜层之间的剥离能值大于等于200J/m<异质结电池的表面与封装胶膜层之间的剥离能值大于等于200J/m2，这样可以保证异质结电池的表面与封装胶膜层之间的剥离能值处于一个可靠的范围内，剥离能值不能太小，这样可以避免在光伏组件的户外发电过程中封装胶膜层与异质结电池的剥离能下降，可以提升封装胶膜层与异质结电池的连接可靠性。
组件以及设备