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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光伏组件的制备方法与光伏组件-CN202110894797.4在审
发明人：陈海燕;蒋方丹;吴坚 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种光伏组件的制备方法与光伏组件，所述制备方法包括采用焊带将沿第一方向依次排布的若干异质结电池串联为一体，在连接有焊带的异质结电池表面制备纳米银线薄膜，得到电池串，所述纳米银线薄膜覆设在所述异质结电池表面及连接至该异质结电池表面的焊带上所述纳米银线薄膜与异质结电池表面及相应的焊带相结合，提高电流收集与传输性能，降低异质结电池的银浆耗量与材料成本；也能减少电池表面的金属栅线，降低遮光损失，提升光伏组件的转换效率。
组件制备方法

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池铜金属化的方法-CN202310885236.7在审
发明人：孙善富;张春福;程鹏飞;王莹麟;郝熙东;许录平 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳能电池铜金属化的方法，涉及晶硅太阳能电池及半导体制造技术领域，包括S1、将图形化硅异质结太阳能电池进行镀前处理；S2、通过化学镀铜方法在图形化硅异质结太阳能电池的透明导电薄膜上进行化学镀铜工艺制备种子层；S3、然后再将图形化硅异质结太阳能电池进行铜电镀工艺处理，得到金属铜电极。本发明设计合理，提供的先化学镀铜再电镀铜的硅异质结太阳能电池金属化方法，可控制铜栅线宽度小于30μm，真正实现硅异质结太阳能电池的降本增效。
一种硅异质结太阳能电池金属化方法

[发明专利]一种碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法-CN201410624791.5有效
发明人：王丽娟;孙洋;都昊;邹凤君;李一平 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法。该碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法，包括介电层、诱导层、半导体层、异质结层、有机气敏层。采用碳纳米管作为有机气敏层，有机气敏层一面与异质结相连，一面与源极、漏极相连。特别是用碳纳米管有机气敏层实现高的气体敏感性，利用有机异质结提高载流子传输。该有机碳纳米管异质结的有机气体传感器在常温下响应速度快、灵敏性高的进行工作，并且利用真空蒸镀和溶液技术制备，工艺简单、成本低。
一种纳米管异质结有机气体传感器制备方法

[发明专利]基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器-CN201811094137.2有效
发明人：孙鹏林;傅海鹏;张齐军;马建国 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01Q19/10 文献下载
摘要：一种基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器，包括用于探测的锗硅异质结双极晶体管，所述锗硅异质结双极晶体管的基极通过匹配网络连接用来接收太赫兹波信号的基片集成波导天线，所述锗硅异质结双极晶体管的发射极接地，所述锗硅异质结双极晶体管的集电极通过输出滤波器分别连接四分之一波长开路微带线和直流偏置电压，以及构成输出端。本发明的基于基片集成波导天线的锗硅异质结双极晶体管探测器，提高片上集成天线的增益和效率，减小接直流偏置的封装线引入的寄生效应。
基于集成波导天线锗硅异质结双极晶体管探测器

[发明专利]体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池-CN201710060215.6有效
发明人：杨松旺;邵君;刘岩 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法和太阳能电池，所述体异质结钙钛矿薄膜包括：体异质结层，所述体异质结层包括作为电子给体材料的钙钛矿多晶薄膜、和位于所述钙钛矿多晶薄膜的晶界位置的电子受体材料；以及位于所述体异质结层表面的钙钛矿薄膜层将本发明的体异质结钙钛矿薄膜应用于钙钛矿太阳能电池时，其可以取代现有的介孔电子传输层和钙钛矿吸光层，从而可以简化电池的结构，还可以避免独立介孔层制备过程中所需的高温烧结工艺，适于在塑性基底上制备高效率柔性钙钛矿太阳能电池
体异质结钙钛矿薄膜及其制备方法太阳能电池

[发明专利]一种Pd/PdO异质结催化剂、制备方法及其应用-CN202111205619.2有效
发明人：聂华贵;罗文杰;陈倩倩;张潇栋;金玉威;周学梅;杨硕;杨植 -专利权人：温州大学
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明属于电催化合成氨技术领域，具体涉及一种Pd/PdO异质结催化剂、制备方法及其应用。本发明还提供了一种简单绿色的制备Pd/PdO异质结催化剂的方法，通过该方法制得的材料活性高，选择性高，活性位点暴露多，成分可控，其所制备得到的Pd/PdO异质结催化剂在两相交界处可以适当吸附N2，同时又能抑制HER反应，异质结的“协同效应”可以让N2在低过电势下以远端缔合机制进行还原。经实验验证，该Pd/PdO异质结催化剂呈现出优异的NRR性能。因此，该异质结催化剂在催化氮还原方面展现出了便于大规模产氨的优势。
一种 pd pdo 异质结催化剂制备方法及其应用

[发明专利]一种异质结材料及其应用-CN202110437540.6有效
发明人：曾祥斌;王曦雅;胡一说;王文照;陆晶晶;王君豪;肖永红;周宇飞;王士博;陈铎;张茂发 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件制备技术领域，具体涉及一种异质结材料及其应用，异质结材料包括：依次层叠设置的硒化钼薄膜、第一钝化层和硫化铅薄膜；其中，硒化钼薄膜通过激光辐射制备得到。该异质结材料可应用于光电探测器，其结构包括：绝缘衬底、上述异质结材料、钝化层和电极。其中，采用激光辐射制备硒化钼薄膜，磁控溅射制备硫化铅薄膜，光刻选择制备异质结区域。该光电探测器可探测红外光和近红外光，并且响应时间短、光响应度高，制备方法具有工艺简便，成本低和大规模生产的优点，因此该异质结光电探测器具有非常广阔的应用前景。
一种异质结材料及其应用

[发明专利]一种异质结电池胶膜-CN202111527111.4有效
发明人：陈书亮;吕松;黄宝玉;张刚;季志超;徐炜琴;刘俊;杨求平;吴斌;吴丰华 -专利权人：常州斯威克光伏新材料有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C09J123/08 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结电池胶膜，按重量份计算，100份的EVA基体树脂、0.2～0.77份的抗氧剂、0.25～0.6份的自由基交联剂、0.1～0.4份的硅烷偶联剂、0.3～0.6份的粘结力增强助剂和0.2该胶膜通过添加粘结力增强助剂，在保证胶膜基础透过率、体阻和粘结力的前提下，提高胶膜与异质结电池片之间的粘结力，有效的解决了光伏封装胶膜与异质结电池粘结力过低的难题，推动了异质结组件的生产，有效改善异质结组件在使用过程中的粘结力降低和脱层现象的出现；能够促使异质结电池组件在市场端的大规模推广。
一种异质结电池胶膜

[发明专利]两步液相离子交换合成氧化锌/硫化镉异质结纳米棒阵列的方法-CN201310596030.9无效
发明人：杜希文;王琰 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种两步液相离子交换合成氧化锌/硫化镉异质结纳米棒阵列结构的方法：（1）以ZnO纳米棒阵列为原料，加入到30mL0.5M硫代乙酰胺（TAA）水溶液中，于反应釜中，90℃下保持2h，经清洗，得到ZnO/ZnS异质结纳米棒阵列；（2）将该ZnO/ZnS异质结纳米棒阵列加入到30mL0.1M氯化镉（CdCl2）水溶液中，于反应釜中，120℃下保持9h，再清洗，制得ZnO/CdS异质结纳米棒阵列。本发明的ZnO/CdS异质结纳米棒阵列尺寸均匀，操作方法简单，条件温和，是一种新型的操作简便可以大量合成ZnO/CdS异质结纳米棒阵列材料的方法。
两步液相离子交换合成氧化锌硫化镉异质结纳米阵列方法

[实用新型]一种异质结无主栅电池组件-CN202120833254.7有效
发明人：傅松楠;罗骞;尤宇文;谢延权;何广东 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结无主栅电池组件，多个异质结无主栅电池片；设在异质结无主栅电池片正面的导电胶；设在导电胶上的多个互联条；设在互联条上的胶膜，设在胶膜上的压花玻璃；设在异质结无主栅电池片背面的导电胶本实用新型通过提供一种异质结无主栅电池片，可节省35％的低温银浆耗量；通过将互联条与电池栅线在层压过程实现良好的欧姆接触的方式，取代传统的串焊工艺，可有效改善组件虚焊、过焊等不良，有利于异质结电池的产业化推进
一种异质结无主电池组件

[实用新型]一种异质结太阳电池-CN202121187548.3有效
发明人：张海川;袁强;石建华;孟凡英;刘正新;程琼;周华 -专利权人：中威新能源(成都)有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种异质结太阳电池，涉及异质结太阳电池领域。该异质结太阳电池包括硅衬底，硅衬底的正面依次叠加设置有正面钝化层、n型掺杂层、正面TCO层和正面电极，硅衬底的背面依次叠加设置有背面钝化层、p型掺杂层、背面TCO层和背面电极，正面TCO层和/或背面TCO该异质结太阳电池在保证电池成本、效率的同时，有效提升异质结太阳电池的可靠性，减缓异质结太阳电池的老化衰减。
一种异质结太阳电池

[发明专利]一种改性磷酸钴/磷化钴异质结复合材料及其制备方法和应用-CN202310880864.6在审
发明人：锁国权;穆荣荣;张荔;侯小江;叶晓慧;杨艳玲 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B01J27/185 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性磷酸钴/磷化钴异质结复合材料及其制备方法和应用，包括基材和碳包覆磷酸钴/磷化钴异质结纳米片结构，碳包覆磷酸钴/磷化钴异质结纳米片结构与基材之间通过化学键牢固锚定，磷酸钴/磷化钴纳米片结构以异质结形式存在本发明通过在基材上构筑碳包覆磷酸钴/磷化钴异质结纳米片结构，有效提升了催化材料的催化性能，具有可回收循环利用的特点。
一种改性磷酸磷化钴异质结复合材料及其制备方法应用

[发明专利]硫化锌/氮化镓异质结及其制备方法和应用-CN201810798048.X有效
发明人：王干;李红喜;王琳晶;吴鹏阳 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硫化锌/氮化镓异质结及其制备方法。一种硫化锌/氮化镓异质结的制备方法，包括步骤：在气压小于4×10^‑6Pa的真空条件下，以硫化锌为蒸发源，采用分子束外延法在氮化镓单晶衬底上生长硫化锌单晶层，得到硫化锌/氮化镓异质结上述硫化锌/氮化镓异质结的制备方法制得的硫化锌/氮化镓异质结的结晶度较好，适于产业化应用。
硫化锌氮化镓异质结制备氮化镓单晶蒸发源衬底制备方法和应用分子束外延法产业化应用硫化锌单晶真空条件结晶度气压生长

[发明专利]一种异质结材料及其制备方法和用途-CN202010118693.X在审
发明人：何洪涛;余涛;陈平博;周良 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结材料及其制备方法和用途。所述异质结材料包括SrIrO3层以及位于所述SrIrO3层上的锰氧化物层。所述制备方法包括：(1)沉积SrIrO3层；(2)在SrIrO3层上沉积锰氧化物层，得到所述异质结材料。本发明提供的异质结材料通过异质结界面极性不连续和SrIrO3中强自旋‑轨道耦合能的共同作用下驱动了异质结界面的非对称电荷转移。通过调节异质结界面的极性不连续性以及连同SrIrO3中强的自旋耦合能，可以有效地调控界面电荷转移的程度，从而实现调节异质结材料界面的磁耦合性能。
一种异质结材料及其制备方法用途

[发明专利]一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法-CN202111299654.5在审
发明人：范祥祥;黄淳;陆宇杰;代盼;贺无名;徐亚娟 -专利权人：湖州师范学院
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及气体传感器技术领域，尤其涉及一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法。本发明通过在衬底表面设置零维金属氧化物二极管型异质结结构或一维金属氧化物二极管型异质结结构可以大大提高所述异质结在进行气体检测时，所述异质结与被检测气体的接触面积，并有助于被检测气体在异质结处的扩散和吸附，进而提高其对被检测气体的检测灵敏度和响应恢复速率；且本发明还提供了所述二极管型异质结气体传感器芯片的制备方法，所述制备方法有助于二极管型异质结气体传感器的可控制备和大规模生产。
一种二极管型异质结气体传感器芯片及其制备方法

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