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[发明专利]一种高分辨力石墨烯异质结气压传感器-CN202211444804.1在审
发明人：张甲;李松霖;梁帅;吴博轩;贺欣欣;郭平 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：本发明是一种高分辨力石墨烯异质结气压传感器。本发明涉及压力传感器设计技术领域，本发明利用石墨烯/六方氮化硼/石墨烯(G/h‑BN/G)垂直异质结薄膜作为承压隔膜，传感器衬底上具有微纳米级阵列化凹腔结构，在气压的作用下，可使G/h‑BN/G薄膜产生局域化内应力，G/h‑BN/G薄膜局域化内应力将改变垂直异质结薄膜的能带结构，使上下两层石墨烯之间的隧道电流产生变化，从而反映外部气压的变化。所述的石墨烯异质结气压传感器的原理是基于隧道效应的。所述的传石墨烯异质结气压感器隧道电流对异质结所受的内应力极度敏感，因此，可以实现传感器对气压高分辨力的检测。
一种分辨力石墨烯异质结气压传感器

[发明专利]硒化镍钽/硒化钨异质结光电探测器及其制备方法-CN202211121131.6在审
发明人：张胜利;魏鹏飞;郭婷婷;宋秀峰;曾海波 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化镍钽/硒化钨异质结光电探测器及其制备方法。所述的异质结光电探测器自下而上依次为衬底、Ta2NiSe5薄片、WSe2薄片和金属源WSe2薄片至Ta2NiSe5表面，两种半导体通过范德华力结合，形成范德华异质结，再制备金属源漏电极，形成范德华异质结光电探测器。本发明通过构建异质结，使得其在光照条件下产生的电子与空穴在异质结处迅速分离，能够有效降低暗电流，显著提高所制备的光电探测器的响应度和探测率。
硒化镍钽硒化钨异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种异质结纯电阻-二极管复合温度计-CN201210485015.2有效
发明人：颜世申;李强;沈婷婷;曹艳玲;张昆;代正坤;刘国磊;陈延学;梅良模 -专利权人：山东大学
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： G01K7/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结纯电阻-二极管复合温度计，采用Co/CoO-ZnO/Ag异质结，该异质结中Co为下电极，Ag为上电极，CoO-ZnO为复合绝缘层。在测量时，把异质结的Ag、Co上下电极和外电路测量仪表相连接，当电压银正、钴负时异质结处于低阻态，利用低电阻状态时的金属导电特性对应的R-T曲线测量高温；当电压是银负、钴正时异质结处于高组态；利用高电阻状态时的半导体导电特性对应的
一种异质结纯电阻二极管复合温度计

[发明专利]一种高效异质结太阳能电池及其制备方法-CN201510212562.7有效
发明人：薛黎明;杨武保 -专利权人：中海阳能源集团股份有限公司
申请日： 2015-04-30 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效异质结太阳能电池及其制备方法。一种高效异质结太阳能电池，其包括晶硅层、非晶硅层、热处理硅区，所述高效异质结太阳能电池的下层为所述晶硅层，所述的高效异质结太阳能电池的上层为所述非晶硅层，在所述非晶硅层上，夹杂有热处理硅区。本发明还公开了该高效异质结太阳能电池的制备方法。本发明的高效异质结太阳能光伏电池，消除非晶硅的衰减，消除非晶硅中光生载流子的无效复合，大幅度提高光伏效率。
一种高效异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种异质结电池制备方法-CN201911418127.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：苏州联诺太阳能科技有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池制备方法，异质结电池包括依次顺序设置的栅电极、透明导电层、n型非晶硅层、本征非晶硅层、单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶硅层、透明导电层及栅电极，制备方法包括：在进行所述透明导电层的镀膜工艺之前，对所述异质结电池的半成品所处环境进行水汽管控，使所述异质结电池的半成品所处环境中的水汽含量控制在4E‑9mbar~6E‑9mbar范围内。该异质结电池制备方法在进行透明导电层的镀膜工艺之前通过进行水汽管控，使得形成的透明导电层的方阻降低，稳定性提升，波动减少；并使得最终形成的异质结电池的转换效率提高，填充因子增加，同时降低了串联电阻值。
一种异质结电池制备方法

[实用新型]具有高散热异质结双极晶体管的半导体组件-CN202021274540.6有效
发明人：祁幼铭;黄国钧;谢坤穆;邱宇宸;林琪钧;卢文彬;陈昭宏 -专利权人：宏捷科技股份有限公司
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：一种具有高散热异质结双极晶体管的半导体组件，包含基板、至少一异质结双极晶体管、绝缘单元，及散热单元。该至少一异质结双极晶体管具有形成于该基板的半导体单元及电极单元，该绝缘单元覆盖该基板及该至少一异质结双极晶体管，并分别界定出可令该至少一异质结双极晶体管的集电极电极、基极电极，及发射极电极的部分表面露出的开口该散热单元由导电散热材料构成，覆盖该至少一异质结双极晶体管的发射极电极且厚度不小于3μm，其中，该发射极电极具有经由该开口并沿该绝缘单元表面延伸的电极线，且该散热单元覆盖该电极线并对外裸露。
具有散热异质结双极晶体管半导体组件

[实用新型]基于一维金属/碳纳米管同轴异质结的超级电容-CN201120197235.6无效
发明人：米振宇;陈厚尊;王瑞丽;张迎九;金亮亮;黄迪 -专利权人：郑州大学
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01G9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于一维金属/碳纳米管同轴异质结的超级电容，其中，包括银膜、金属纳米线、碳纳米管、隔离物和电解液层，所述碳纳米管和金属纳米线组成一维同轴异质结，在此同轴异质结沉积有金属纳米线的一端设置银膜；两组带银膜的同轴异质结相对设置，有银膜一侧向外，两组带银膜的同轴异质结间设置隔离物；在所述两组带银膜的同轴异质结间填充电解液层。
基于金属纳米同轴异质结超级电容

[发明专利]有机光敏器件-CN200580038604.4有效
发明人：彼得·皮曼斯;斯蒂芬·R·弗里斯特 -专利权人：普林斯顿大学理事会
申请日： 2005-09-15 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：该光激活区还包括形成施主受主异质结的有机施主层和有机受主层。有机施主区里的空穴迁移率和有机受主区里的电子迁移率至少相差100倍，并且至少相差1000倍为更好。该异质结可以为各种类型，包括面异质结、体异质结、混合异质结和混合的面混合异质结。
有机光敏器件

[发明专利]一种二维材料超晶格器件及制作方法-CN202010422651.5在审
发明人：卢年端;姜文峰;李泠;耿玓;王嘉玮;李蒙蒙;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种二维材料超晶格器件及制作方法，该方法包括：形成绝缘层衬底；在所述绝缘层衬底上开设阵列槽；形成二维材料异质结，所述二维材料异质结包括由下至上的第一二维材料层、第二二维材料层以及第三二维材料层；将所述二维材料异质结转移至所述绝缘层衬底的所述阵列槽上，阵列槽产生的电势能够影响二维材料异质结的能带特性，而且，将器件的阵列槽与二维材料异质结的制作分开进行，避免在衬底上直接制作二维材料异质结产生的杂质
一种二维材料晶格器件制作方法

[发明专利]一种基于二维材料的纳米三维结构异质结、制备方法及其应用-CN201910997371.4在审
发明人：张希威;孟丹;苏意文 -专利权人：安阳师范学院
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料的纳米三维结构异质结、制备方法及其应用，所述的纳米三维结构异质结包括一层表面具有三维纳米结构的单晶硅片，单晶硅片之上的介电层，介电层之上的由两种二维材料组成的异质结。本发明主要由原子层沉积工艺制备，其保型性的特点可以使二维材料异质结完全覆盖具有三维纳米结构的衬底，形成非常大的异质结结区面积；此外，三维纳米结构的衬底可以有效的调控光吸收，使得入射光在三维纳米结构中经过多次反射，提高了吸光率，进而提高异质结的光电转换效率。
异质结三维纳米结构二维材料单晶硅片三维结构介电层衬底制备原子层沉积工艺光电转换效率多次反射保型性光吸收入射光吸光率结区调控应用

[发明专利]氧缺陷态修饰铁电化合物Z型异质结光催化材料及其制备方法和应用-CN202211569340.7在审
发明人：曾涛;周同彪;李诗恒;曾江涛;杜刚;张永丽 -专利权人：上海材料研究所有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及氧缺陷态修饰铁电化合物Z型异质结光催化材料及其制备方法和应用，属于光催化技术领域。本发明利用钨酸铋和氮化碳复合构建异质结的同时引入氧缺陷态的方法，在异质结界面形成大量电子施主态集中的非晶层，稳定异质结的形成。氧空位的引入，一方面在铁电材料内部引入施主能级来增强对可见光的利用效率，另一方面铁电材料纳米粒子表面形成的氧空位非晶层更利于异质结之间的电荷传输，从而稳定Z型异质结的结构，以此来实现可见光催化高效降解污染物的作用
缺陷修饰化合物型异质结光催化材料及其制备方法应用

[发明专利]一种硫化铜量子点/硫氰酸亚铜异质结光电薄膜及其制备方法-CN201911254550.5有效
发明人：陈达;李灵惠;梁俊辉;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电技术领域，具体涉及一种硫化铜量子点/硫氰酸亚铜（CuS QDs/CuSCN）异质结光电薄膜及其制备方法。本发明提供了一种CuS QDs/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，其特征在于：通过电化学沉积过程将CuS量子点负载到CuSCN纳米棒薄膜表面，构建制备获得一种CuS量子点/CuSCN异质结光电薄膜；CuS量子点与CuSCN二者形成的异质结有效地促进了光生电荷的分离并降低光生载流子的复合，大大提高了CuSCN光电薄膜的光电化学性能。本发明提供的CuS QDs/CuSCN异质结光电薄膜及其制备方法，具有改性手段简单、异质结结构易于调控、改性效果明显和成本低廉等优点。
一种硫化铜量子氰酸亚铜异质结光电薄膜及其制备方法

[发明专利]N极性GaN/AlGaN异质结外延结构及其制备方法-CN202111407956.X在审
发明人：王文樑;江弘胜;李国强;李林浩;黄星悦 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种N极性GaN/AlGaN异质结外延结构及其制备方法，所述N极性GaN/AlGaN异质结外延结构包括在硅衬底上依次生长的低温N极性AlN缓冲层、非掺杂N极性AlGaN缓冲层、非掺杂N极性AlGaN本发明提供的N极性GaN/AlGaN异质结外延结构，是一种高质量N极性GaN/AlGaN异质结的外延结构，能够实现高效率的功率电子器件。
极性 gan algan 异质结外延结构及其制备方法

[发明专利]背接触异质结电池片、光伏组件及其制作方法-CN202210768478.3在审
发明人：罗丽珍;彭文博;肖平;赵建勇;赵东明;张时;杨萍;鞠进;陈文吉;左康正;田丹丹 -专利权人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能集团技术创新中心有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开一种背接触异质结电池片、光伏组件及其制作方法，涉及异质结光伏组件技术领域，背接触异质结电池片包括P区、N区、P区及N区的间隙、贯穿于P区及N区的电池片n等分切割线，(1≤n≤10),切割线分布在电池片本征非晶硅钝化层上本发明提供的背接触异质结电池片具有透明导电层切损小，切片方便、成本低的优点。
接触异质结电池组件及其制作方法

[发明专利]含有有机异质结的电接触材料及其器件-CN200510016721.2有效
发明人：闫东航;王海波;王军;代继光;姜晓霞;严铉俊 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2005-04-18 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01H1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善有机半导体与金属电极之间接触的含有有机异质结的电接触材料。本发明的特征是所采用的含有有机异质结的电接触材料是由电子型和空穴型有机半导体及其构成的异质结组成。本发明还涉及到采用这种含有有机异质结的电接触材料作为缓冲层的有机二极管、有机场效应晶体管以及有机光伏器件。
含有有机异质结接触材料及其器件