[发明专利]一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器无效
| 申请号： | 200810020042.6 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101252151A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 韦文生 | 申请（专利权）人： | 韦文生 |
| 主分类号： | H01L29/96 | 分类号： | H01L29/96;H01L29/84;H01L29/861;G01L1/00 |
| 代理公司： | 温州瓯越专利代理有限公司 | 代理人： | 王阿宝 |
| 地址： | 325000浙江省温州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器，本发明的优点在于应用纳米硅/单晶硅异质结构在应力状态下的反向I－V特性，制成了敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管，并应用该纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管而制作一种敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压力传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 硅异质结压敏 二极管 硅异质结 压力传感器 | ||
【主权项】：
1.一种纳米硅异质结压敏二极管，包括单晶硅基片、沉积于单晶硅基片上的纳米硅薄膜、分别与单晶硅基片和纳米硅薄膜欧姆连接的一对电极，所述纳米硅薄膜与单晶硅基片构成纳米硅/单晶硅异质结构，其特征在于：所述单晶硅基片的平均电阻率约为0.001Ω·cm-0.0001Ω·cm，载流子浓度约为5.0×1019cm-3-1.0×1021cm-3，所述纳米硅薄膜厚度约为3.0μm-8.0μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韦文生，未经韦文生许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810020042.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种配电网工频通讯方法及系统
- 下一篇：水坠坝坝体排水系统及其应用
- 同类专利
- 具有双功能布线的芯片和相关的制造方法-202111106121.0
- 坎迪斯·托马斯;让·查尔邦尼尔;珀西瓦尔·库兰;莫德·维内 - 法国原子能及替代能源委员会
- 2021-09-22 - 2022-03-29 - H01L29/96
- 本发明公开了功能芯片，其包括：包括第一面和第二面的衬底，衬底的第二面形成功能芯片的正面；在衬底的第一面上的第一氧化物层；‑在第一氧化层上的第二氧化物层；‑在与第一氧化物层接触的第二氧化物层的表面上形成第一布线层；在第二氧化物层上的第三氧化物层，其中插入了至少一个半导体元件；‑由与第二氧化物层相对的第三氧化物层的表面形成的背面，背面包括至少部分地被一个或多个导体布线轨道包围的多个超导体布线轨道，半导体元件经由超导体过孔连接到超导体布线轨道，并且背面的导体布线轨道经由导体过孔连接到第一布线层。本发明允许芯片的良好热化。
- 具有双功能布线的集成结构和包括这种结构的组件-202111118199.4
- 坎迪斯·托马斯;让·查尔邦尼尔;珀西瓦尔·库兰;莫德·维内 - 法国原子能及替代能源委员会
- 2021-09-22 - 2022-03-29 - H01L29/96
- 本发明的涉及旨在连接多个半导体器件(DS)的集成结构(SI)，集成结构包括衬底(SB)、第一面(SIS1)和第二面(SIS2)，第一面(SIS1)旨在接收半导体器件(DS)，集成结构(SI)在第一表面(SIS1)处包括至少一个布线层(1NR)，一个布线层或多个布线层(1NR)包括由非超导体的导体材料制成的至少一个第一导体布线轨道(PC)；和由超导体材料制成的至少一个第一超导体布线轨道(PS)。该集成结构允许芯片的良好热化，同时仍确保芯片之间的芯片良好的热绝缘。
- 共振隧穿二极管及其制作方法-202010877959.9
- 周祥鹏;陆书龙;邱海兵;杨文献;李雪飞;边历峰 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2020-08-27 - 2020-10-23 - H01L29/96
- 本发明公开了一种共振隧穿二极管，该共振隧穿二极管包括衬底以及在衬底上形成的功能层，在共振隧穿二极管的彼此相对的两侧分别设有第一磁性部和第二磁性部，第一磁性部和第二磁性部之间形成磁场；其中，磁场的磁场方向与衬底的面向功能层的表面的法线垂直。本发明还公开了一种共振隧穿二极管的制作方法。本发明解决了现有技术中因衬底的位错导致共振隧穿二极管的功能层内也形成有与衬底的位错相应的内部缺陷，从而导致共振隧穿二极管难以实现负阻特性的问题。
- 电流开关晶体管-201380049979.5
- 大卫·托马斯·布里顿;马尔吉特·黑廷;斯坦利·道格拉斯·沃顿 - PST传感器(私人)有限公司
- 2013-09-20 - 2019-03-12 - H01L29/96
- 公开了一种电子装置及其制造方法。该装置包括半导体材料本体和限定了至少三个导电触点以形成相应端子的导电材料。所述半导体材料与所述导电触点至少部分地重叠以限定该装置，使得所述装置在任意一对端子之间的电特性与变阻器的电特性相对应。所述半导体材料本体是以印刷或涂覆而沉积的层。所述每对端子之间的变阻器特性能够按以下方式在一个端子与任意两个另外的端子之间切换电流：当存在正电流流入第一端子时，可忽略不计的电流流过施加有正电位的第二端子，并且正电流从相对于第二端子保持负电位的第三端子流出。当存在负电流流出第一端子时，正电流流入第二端子并且可忽略不计的电流流过第三端子。
- 带有集成背空腔的MEMS声传感器-201480011805.4
- 艾尔翰·波拉特卡恩·阿塔;马丁·利姆;李想;斯蒂芬·劳埃德;迈克尔·朱利安·达内曼 - 因文森斯公司
- 2014-02-28 - 2018-01-05 - H01L29/96
- 在此披露了一种MEMS器件。该MEMS器件包括一个带有一个第一表面和一个第二表面的第一极板；以及一个附接到一个第一衬底上的锚点。该MEMS器件进一步包括一个带有一个第三表面和一个第四表面的附接到该第一极板上的第二极板。一个连接机构将该锚点连接到该第一极板上，其中，在该第一极板的该第一和第二表面之间存在一个声压差的情况下，该第一极板和第二极板移位。该第一极板、第二极板、连接机构和锚点全都包含在由该第一衬底和一个第二衬底形成的一个围隔内，其中，该第一和第二衬底其中之一包含一个通口以使该第一极板的该第一表面暴露在环境下。
- 压力调控薄膜晶体管及其应用-201110181626.3
- 胡春华;刘长洪;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
- 2011-06-30 - 2013-01-02 - H01L29/96
- 一种压力调控薄膜晶体管，其包括：一源极；一与该源极间隔设置的漏极；一半导体层，该半导体层与所述源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置；其中，所述绝缘层为一高分子材料层，该高分子材料层的弹性模量为0.1兆帕至10兆帕，在所述绝缘层上施加一垂直于所述绝缘层的压力，该压力导致所述绝缘层的厚度发生变化，所述栅极电容与该厚度成反比，所述源极和漏极之间的电流与该栅极电容成正比。本发明还涉及一应用该压力调控薄膜晶体管的压力感应装置。
- 偏置电场调制的氧化物半导体异质结构、其制备方法和装置-201110009450.3
- 胡凤霞;王晶;陈岭;沈保根;孙继荣 - 中国科学院物理研究所
- 2011-01-17 - 2012-07-18 - H01L29/96
- 本发明涉及一种偏置电场调制的全氧化物半导体异质结构，该半导体异质结构由驰豫型铁电单晶(PMN-PT)基片以及在其上交替生长的空穴型(p型)钙钛矿锰氧化物薄膜和电子型(n型)钙钛矿氧化物薄膜构成。本发明还提供了该半导体异质结构的制备方法和装置。由于驰豫型铁电单晶具有显著的逆压电效应，因此，获得的新型功能的所述半导体异质结构具有显著的偏置电场可调特性。
- 半导体元件及其制作方法-201010260685.5
- 黄敬源;詹前泰;林大文;吴忠政 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2010-08-19 - 2011-10-12 - H01L29/96
- 本发明提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括：一基底；一电极，位于基底上方；一压电层，设置于基底和电极之间，当电极产生一电场时，压电层使基底产生应变。本发明提供的半导体元件和方法，能够于不同的操作下调整沟道的应变。
- 单晶锗锰磁性半导体/锗磁性异质结二极管及其制备方法-200910017191.1
- 颜世申;田玉峰;邓江峡;陈延学;刘国磊;梅良模 - 山东大学
- 2009-08-06 - 2009-12-30 - H01L29/96
- 单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管及其制备方法，属于信息技术自旋电子器件技术领域。异质结二极管的p型层为单晶Ge1-xMnx铁磁半导体，锰的摩尔百分比含量x为：0＜x＜15％；Ge层为商业的本征的单晶半导体Ge或微量Sb掺杂的n型单晶半导体Ge，其室温下的整流特性可用磁场调控，磁电阻在Ge1-xMnx居里温度附近有极值，显示其输运与Ge1-xMnx磁性半导体密切相关，其制备工艺与硅半导体制备工艺相匹配。利用分子束外延在单晶锗衬底上通过共蒸发的方式外延生长锗锰磁性半导体制备单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管。且本发明方法制备的单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管可以与现代半导体硅工艺很好的匹配，因此在自旋电子器件方面具有良好的应用前景。
- 一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器-200810020042.6
- 韦文生 - 韦文生
- 2008-03-21 - 2008-08-27 - H01L29/96
- 本发明公开了一种纳米硅异质结压敏二极管及纳米硅异质结压力传感器，本发明的优点在于应用纳米硅/单晶硅异质结构在应力状态下的反向I－V特性，制成了敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管，并应用该纳米硅/单晶硅异质结压敏二极管而制作一种敏感性、线性特性好的纳米硅/单晶硅异质结压力传感器。
- 专利分类
