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[发明专利]包括氧化亚铜半导体并具有改进的P-N异质结的微电子结构-CN201180047569.8在审
发明人： D·S·达维施;H·A·阿特瓦特 -专利权人：加利福尼亚技术学院
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明提供了用于制造较高品质p-n异质结的方法，所述p-n异质结掺有氧化亚铜和适于形成所述异质结的另一种材料。当掺入到微电子器件中时，这些改进的异质结预期将提供改进的微电子性质，例如改进的缺陷密度、特别是在所述p-n异质结处的较低界面缺陷密度，产生改进的微电子器件，例如具有改进的开路电压、填充因子、效率、电流密度等的太阳能电池器件
包括氧化亚铜半导体具有改进异质结微电子结构

[发明专利]一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法-CN201310278007.5有效
发明人：沈文忠;钟思华;韩旭根 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法。本发明提供的硅基径向同质异质结太阳电池，包括：硅衬底和所述硅衬底上的硅线阵列；所述硅线阵列中的各个硅线皆包括内层、中间层和外壳层，在各个所述硅线的所述内层和所述中间层之间形成径向PN结，在各个所述硅线的所述中间层和所述外壳层之间形成径向异质结；所述PN结为同质结，所述同质结为晶体硅PN结、PP+或NN+浓度结，所述异质结为晶体硅/非晶硅PP+、P+P++、N+N++、NN+浓度结或NI、PI结。这种电池充分结合了径向PN结电池和同质异质结电池的优势，因此可在低质量硅材料上实现较高的光电转换效率，同时能提高电池性能的稳定性。
一种径向同质异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种二维WS2/MoTe2垂直异质结的制备及测试方法-CN202010937609.7在审
发明人：张礼杰;罗婷燕;邹超;杨云 -专利权人：温州大学新材料与产业技术研究院
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维WS2/MoTe2垂直异质结的制备方法；本发明所使用的制备方法对样品的损伤小，方法简单；对制备的二维WS2/MoTe2垂直异质结器件进行了研究测试，得到了相关异质结的电学性能图，拓展了对二维过渡金属硫属化合物异质结的研究
一种二维 ws2 mote2 垂直异质结制备测试方法

[实用新型]一种太阳能异质结电池-CN201721807103.4有效
发明人：董刚强;陆海川;郁操 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳能异质结电池，所述太阳能异质结电池包括叠层ITO，所述叠层ITO设置在所述太阳能异质结电池的两面，并且包括第一不掺水ITO层、掺水ITO透明导电层和第二不掺水ITO层。本申请提供的太阳能异质结电池的光学性能优良，且电池中的各层接触良好，电池导通顺畅。
异质结电池太阳能掺水叠层电池光学性能导通申请

[发明专利]一种提高单层GaSe光催化性能的方法-CN202211003332.6在审
发明人：葛传鹏;邓洪祥;祖小涛 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：然后再对单层的GaSe进行高精度结构优化，最后计算基本的性质；S2、构件多种异质结构：选择组成异质结的另一种材料重复上述的操作。使用MS软件将两种单层二维材料堆叠在一起形成异质结；S3、选择异质结：对不同的异质结进行高精度结构优化并计算它们的结合能，选择出结合能最小的异质结进行后续的研究；对选中的异质结进行更高精度的结构优化；S4、计算异质结相关参数；S5、施加双轴应变后再计算其光吸收。
一种提高单层 gase 光催化性能方法

[发明专利]一种异质结中长波红外探测器及其制备方法-CN202110580050.1有效
发明人：王东博;刘东昊;肖淑丹;王金忠;胡云飞;张冰珂;矫淑杰;李政昊;张雨琦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结中长波红外探测器及其制备方法，所述探测器包括Si衬底、WS2/石墨烯量子点异质结和金电极，Si衬底上生长WS2/石墨烯量子点异质结，金电极设置在WS2/石墨烯量子点异质结上，制备步骤如下：一、在Si衬底上磁控溅射沉积WS2薄膜；二、制备WS2/石墨烯量子点异质结；三、利用磁控溅射技术在异质结表面沉积Au电极。本发明的探测器为光电导型器件，通过合成WS2/石墨烯量子点异质结使材料的带隙处于中长波红外波段，当入射光子能量大于异质结禁带宽度，材料中光生载流子可以实现跃迁，
一种异质结中长波红外探测器及其制备方法

[发明专利]硒化钨基范德华异质结的红外光电探测器及其制备方法-CN202110863515.4在审
发明人：张栩朝;曲英杰 -专利权人：苏州元烨微电子科技有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了硒化钨基范德华异质结的红外光电探测器及其制备方法，包括Si衬底、SiO2衬底、二维WSe2/TMDCs异质结器件、两个Au电极和导线，SiO2衬底设置于Si衬底的顶端，二维WSe2/TMDCs异质结器件设置于SiO/TMDCs异质结器件为U型结构，导线为导电材料，导线用于传输Au电极的电信号。本发明利用二维WSe2/TMDCs异质结器件的设置，通过多组数据的测量，得到二维WSe2/TMDCs异质结器件，使得二维WSe2/TMDCs异质结器件可在近红外波段实现光电响应，同时该器件成本低、体积小且功耗低。
硒化钨基范德华异质结红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]异质结硅太阳能电池及其制造方法-CN200880111068.X无效
发明人：高志勋;鱼英株;金真阿;尹周焕;郑一炯;金钟焕 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2008-12-17 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：公开了一种异质结硅太阳能电池及其制造方法。根据本发明的异质结硅太阳能电池形成晶体硅基板和掺有杂质的钝化层的pn结，以使得电子和空穴的重新组合最小化，从而可以最大化异质结硅太阳能电池的效率。本发明提供一种异质结硅太阳能电池，其包括：晶体硅基板；和形成在所述晶体硅基板上并且掺有杂质的钝化层。
异质结硅太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种铜诱导的聚吡咯/黑磷异质结材料及其制备方法与应用-CN202211726073.X在审
发明人：吴玫颖;黄晨怡;刘沅淇;曾伟伟;汤甲 -专利权人：中山大学·深圳;中山大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： A61K41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜诱导的聚吡咯/黑磷异质结材料及其制备方法与应用，所述异质结材料由黑磷纳米片及负载在其表面的掺铜聚吡咯颗粒组成，其中掺铜聚吡咯作为半导体Ⅰ、黑磷纳米片作为半导体Ⅱ，构建Ⅱ型异质结。本发明采用含铜氧化剂使其螯合于BPNSs表面，继续加入吡咯单体，BPNSs表面的铜离子诱导吡咯氧化聚合于BPNSs表面形成异质结构。本发明通过构建聚吡咯/黑磷异质结，提高黑磷的光催化能力与稳定性，并且异质结中的掺铜聚吡咯可以通过其优越的光热性能与类酶催化功能与黑磷共同增强肿瘤光疗效果。本发明铜诱导的聚吡咯/黑磷异质结材料生物安全性高，光动力/光热/纳米催化性能好，适合作为肿瘤治疗剂使用。
一种诱导吡咯黑磷异质结材料及其制备方法应用

[发明专利]基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法-CN202110759016.0有效
发明人：迟力峰;黄丽珍;王滋;薛娣 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于有机晶态异质结的紫外光晶体管及其制备方法，紫外光晶体管包括自上而下依次设置的基底、绝缘层、模板层、晶态有机异质结光敏层以及源漏电极，模板层为七联苯，晶态有机异质结光敏层包括p型有机半导体光敏层和本发明基于有机晶态异质结的紫外光晶体管通过引入晶态有机异质结，晶态有机异质结高效的载流子输运对光的协同吸收效应以及异质结界面效应对激子分离的促进作用，使得器件的光电学性能有了显著的影响，而且制备方法简单快速
基于有机晶态异质结紫外光晶体管及其制备方法

[发明专利]锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用-CN202110274722.6有效
发明人：张建军;黄鼎铭 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构，其包括具有图形结构的锗衬底、位于所述锗衬底上的具有无原子台阶锗表面的锗层，以及位于所述锗层上的砷化镓层。本发明还提供一种制备本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构的方法。本发明还提供本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构或本发明的方法制得的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构在锗基III‑V族半导体光电器件中的应用。本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构能够完全避免砷化镓/锗异质结构中反向畤的产生，进而实现无缺陷的异质结薄膜。本发明的制备方法简单，且能够实现大规模阵列式可控生长。
衬底砷化镓锗异质结薄膜复合结构及其制法应用

[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池-CN201621054544.7有效
发明人：高超;黄海宾;周浪;岳之浩 -专利权人：南昌大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：一种晶体硅异质结太阳电池，其结构从迎光面开始依次为前电极、TiOx层、晶体硅吸收层、本征非晶硅钝化层、p型非晶硅重掺杂层、背电极。迎光面使用n型掺杂的TiOx与晶体硅形成异质结，而背面使用传统的非晶硅/晶体硅异质结结构。另外，TiOx可良好钝化硅片表面且与硅形成良好异质结，有助于增加异质结电池的开路电压。因此，本实用新型所提出晶体硅异质结太阳电池可同时实现高的开路电压和短路电流，提高晶体硅异质结太阳电池的光电转换效率。
一种晶体硅异质结太阳电池

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010288188.X在审
发明人：黎子兰 -专利权人：广东致能科技有限公司
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法；其中半导体器件，包括：第一沟道层；第一势垒层，其中在第一沟道层与第一势垒层之间形成具有垂直界面的第一异质结，在所述第一异质结内形成垂直的2DEG或2DHG；第一电极，其位于所述第一异质结的上侧，经配置以与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触，其中所述第一电极与所述第一异质结上方的第一外部电压连接；以及第二电极，其位于所述第一异质结的下侧，经配置以与所述第一异质结内的2DEG或2DHG电接触，其中所述第二电极与所述第一异质结下方的第二外部电压连接。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种具有异质结的碳纳米管垂直阵列结构的制备方法-CN201210345378.6有效
发明人：侯鹏翔;宋曼;刘畅;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及异质结碳纳米管垂直阵列结构的可控制备领域，具体为一种具有异质结碳（氮掺杂/未掺杂）的碳纳米管垂直阵列结构的可控制备方法。异质结也指分子内节，是由两种不同类型的碳纳米管即氮掺杂和未掺杂碳纳米管在连接处形成。以沉积在Si基片或SiOX/Si基片上的铁为催化剂，利用化学气相沉积法，在碳纳米管垂直阵列生长过程中，适时加入氮源，获得氮掺杂/未掺杂的碳纳米管异质结垂直阵列，并可对异质结的长度、个数和结构等进行有效、本发明提供的可控制备异质结垂直阵列结构的方法简单，异质结结构明显，且异质结过渡区窄、结构均一，可望在二极管、纳米开关、放大器等领域获得应用。
一种具有异质结纳米垂直阵列结构制备方法

[发明专利]用少层黑磷烯的不同堆垛结构的遂穿二极管及实现方法-CN201610551782.7在审
发明人：雷双瑛;沈海云;黄兰 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-07-13 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：该遂穿二极管为异质结遂穿二极管，最下面是衬底(1)，在衬底(1)上是下电极台面(2)，在下电极台面(2)的上面的一边为黑磷烯横向异质结(3)，另一边是下电极(6)，在黑磷烯横向异质结(3)上为电极台面(与普通遂穿二极管相比，本发明提出的异质结不需要进行重掺杂即可得到用于遂穿的能带结构。其中III型半导体异质结是本专利设计结构的核心部分。本发明选用的同种材料异质结更容易达到晶格匹配，制备工艺也更简单，仅仅通过范德瓦耳斯力就能将两种不同堆垛结构的黑磷烯横向连接形成异质结。
用少层黑磷不同堆垛结构二极管实现方法