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[发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法-CN201611065521.0在审
发明人：许烁烁;刘良玉 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳电池及其制备方法，该异质结太阳电池包括硅片基底，硅片基底上设有氧化铝薄膜，氧化铝薄膜上设有氮化镓薄膜，形成GaN/Al2O3/Si异质结结构。本发明的异质结太阳电池，具有GaN/Al2O3/Si异质结结构，有效的解决了由于氮化镓和硅基底之间的晶格失配引起的载流子复合，大大的提高了异质结电池的少子寿命，其制备方法具有工艺简单等优点。
一种异质结太阳电池及其制备方法

[发明专利]基于SiGe基异质结频率可重构全息天线的制备方法-CN201611185730.9在审
发明人：尹晓雪;张亮 -专利权人：西安科锐盛创新科技有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于SiGe基异质结频率可重构全息天线的制备方法。该方法包括在SiGeOI衬底上按照全息天线的结构制作多个SiGe基异质结SPiN二极管，且SiGe基异质结SPiN二极管的P区采用Si材料、i区采用SiGe材料及N区采用Si材料；将多个SiGe基异质结SPiN二极管依次互连PAD以形成多个SiGe基异质结SPiN二极管串；在SiGe基异质结SPiN二极管串与直流偏置电源之间采用半导体工艺制作直流偏置线以实现SiGe基异质结SPiN二极管串与直流偏置电源的连接
基于 sige 基异质结频率可重构全息天线制备方法

[发明专利]氮化镓基晶体管器件外延结构及其制备方法、器件-CN202010902507.1在审
发明人：何俊蕾;林科闯;刘成;郭德霄;赵杰;徐宁;汪晓媛;叶念慈 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：氮化镓基晶体管器件外延结构，包括：衬底及依序形成于衬底上的缓冲层、第一层异质结、刻蚀终止层和第二层异质结，第二层异质结形成有凹槽，第二层异质结背离刻蚀终止层的一侧形成有P型氮化物层，且P型氮化物层填充凹槽本发明，一方面，能够通过形成的第一层异质结和第二层异质结，使两个异质结的二维电子气沟道之间可产生强耦合，从而降低该功率器件的导通电阻；另一方面，增加非凹槽处外延层厚度，降低表面态对沟道二维电子气的影响，
氮化晶体管器件外延结构及其制备方法

[发明专利]硫化镉锌/介观五氧化二铌S型异质结纤维光催化剂的制备方法和应用-CN202210486978.8在审
发明人：王楷;王湖坤;邵秀丽;李可;陈郭强 -专利权人：湖北师范大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及硫化镉锌/介观五氧化二铌S型异质结纤维光催化剂，硫化镉锌/介观五氧化二铌S型异质结由介观五氧化二铌的(001)衍射晶面、硫化镉锌的(002)衍射晶面构成。制备方法：在硫化镉锌的水热生长过程中投加介观五氧化二铌，经过二次水热得到硫化镉锌/介观五氧化二铌S型异质结纤维光催化剂。硫化镉锌/介观五氧化二铌S型异质结纤维光催化剂在可见光下催化氧化降解还原抗生素中的应用。硫化镉锌/介观五氧化二铌S型异质结纤维光催化剂在可见光下催化氧化降解还原抗生素产氢中的应用。有益效果为：硫化镉锌/介观五氧化二铌S型异质结纤维光催化剂光催化性能优越，且由于S型异质结的形成，使其具有更强的光吸收能力和更高的载流子分离效率。
硫化介观五氧化型异质结纤维光催化剂制备方法应用

[发明专利]钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结光催化剂的制备方法和应用-CN202210486986.2在审
发明人：王楷;王湖坤;邵秀丽;李可;陈郭强 -专利权人：湖北师范大学
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明涉及钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结光催化剂，钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结由硫铟锌的(200)衍射晶面、钽酸铋量子点的(102)衍射晶面构成。制备方法：在硫铟锌微球的溶剂热生长过程中投加钽酸铋量子点，经过二次溶剂热，得到钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结光催化剂。钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结光催化剂在光催化处理含铬废水中的应用。钽酸铋量子点修饰的硫铟锌微球S型异质结光催化剂在光催化处理含铬废水中制氢的应用。有益效果为：钽酸铋/硫铟锌S型异质结光催化剂光催化性能优越，由于S型异质结的形成，使其具有更强的光吸收能力和更高的载流子分离效率。
钽酸铋量子修饰硫铟锌微球型异质结光催化剂制备方法应用

[发明专利]半导体异质结构光电子器件的逻辑应用方法-CN201610987801.0有效
发明人：马海英;张增星;李东 -专利权人：同济大学
申请日： 2016-11-10 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种半导体异质结光电子器件的逻辑应用方法。该器件主要基于纳米半导体材料的物理特性，通过场效应晶体管的结构设计，实现栅极电压对源漏沟道光电转换性能的逻辑调控，从而具有逻辑光电子的性能。该器件主要结构和功能如下：(1)具有场效应晶体管的类似结构；(2)组成沟道层的材料为半导体异质结材料；(3)半导体异质结中包括至少一种双极性半导体，该种半导体的载流子类型(p型或n型)可以通过栅极调控；(4)通过这种设计，可以通过栅极调控半导体异质结形成pn结与非pn结。通过利用不同异质结的光电转换性能，实现栅极电压对沟道层不同光电转换性能状态之间的调控，使光电子器件具有逻辑功能。
半导体结构光电子器件逻辑应用方法

[发明专利]一种纳米P-N异质结及其制备和应用-CN202010236730.7有效
发明人：李耀刚;吴波;侯成义;王宏志;张青红 -专利权人：东华大学
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米P‑N异质结及其制备和应用，所述异质结中的P型半导体为碲纳米线，N型半导体为碲化铋纳米片。本发明制备的纳米P‑N异质结具有超高的Seebeck系数，在热电转换与制冷领域有重要的科学价值和广阔的应用前景。
一种纳米异质结及其制备应用

[发明专利]一种基于SnSe₂/SnO₂异质结的二氧化氮气体传感器、制备工艺及应用-CN201810634837.X在审
发明人：李晓干;李欣宇;王明峰;顾丁;刘航 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料技术领域，提供一种基于SnSe₂/SnO₂异质结的二氧化氮气体传感器、制备工艺及应用。基于SnSe₂/SnO₂异质结的二氧化氮气体传感器主要由气敏材料和加热基板组成，所述气敏材料涂覆在所述加热基板表面，涂覆厚度为1μm～100μm；所述气敏材料成分为二硒化锡和二氧化锡形成的异质结复合纳米材料本发明采用热氧化法获得一种新型异质结复合纳米材料，原材料获取方便、价格低廉、制备异质结过程简单，是一种设备投资小，工艺流程简单的二维半导体异质结制备方案。本发明利用二硒化锡和二氧化锡异质结复合纳米材料制作的二氧化氮传感器工作温度为120℃，可以实现材料与硅基微电子相集成。
异质结二氧化氮气体复合纳米材料气敏材料传感器二氧化锡加热基板制备工艺涂覆硒化制备二氧化氮传感器纳米材料技术二维半导体热氧化法工艺流程硅基微电子应用制作

[发明专利]一种Mn掺杂CoP纳米线复合Ni(PO3-CN202210834149.4在审
发明人：杨勇;刘渊;尧慎曼;龚吴非;郭满满;俞挺;袁彩雷 -专利权人：江西师范大学
申请日： 2022-07-14 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明涉及纳米电催化材料领域，具体涉及一种Mn掺杂CoP纳米线复合Ni(PO3)2纳米团簇异质结阵列及其制备方法和应用该异质结阵列的制备方法易于推广，只需要简单的化学溶液反应结合一步低温磷化处理即可。该Mn掺杂CoP纳米线复合Ni(PO3)2纳米团簇异质结阵列包括碳纤维布基底和生长在碳纤维布表面的异质结阵列，所述异质结阵列由得益于Mn元素掺杂和独特的磷化钴/磷酸盐异质界面，这种异质结阵列在电催化分解水方面具有优异的性能。
一种 mn 掺杂 cop 纳米复合 ni po base sub

[发明专利]具有垂直结构的SnSe2-CN201710276280.2有效
发明人：商继敏;陈鹏;吴杰;冯学超;杨阳;李强;杨坤 -专利权人：郑州轻工业学院
申请日： 2017-04-25 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有垂直结构的SnSe2/MoSe2新型异质结的制备方法及其场效应性能改性方法，该制备方法采用机械剥离法结合旋转转移法的湿化学合成技术手段，通过调整旋转转移法技术手段的具体实施条件，制得一种基于二维过渡金属硫族化合物Se的垂直结构范德瓦尔斯异质半导体材料，该方法较为简单安全，适用于制备一系列二维过渡金属硫族化物（TMDs）的垂直结构异质结；通过将制备的垂直结构SnSe2/MoSe2范德瓦尔斯异质结进行退火改性处理，选择最优的提升异质结器件的场效应性能的退火改性温度及时间参数，本发明提供的异质结的改性方法，为范德瓦尔斯异质结更深入的应用于新一代光电子器件领域指明了方向。
具有垂直结构 snse base sub

[发明专利]氟修饰的富勒烯/石墨烯异质结的制备方法-CN201810372031.8有效
发明人：周吕;金树人;姚琪;陈超 -专利权人：常州天鸽环保科技有限公司
申请日： 2018-04-24 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C01B32/154 文献下载
摘要：本发明涉及一种氟修饰的富勒烯/石墨烯异质结的制备方法、富勒烯的制备方法及装置，其中，氟修饰的富勒烯/石墨烯异质结的制备方法通过在富勒烯/石墨烯异质结上的自由活性基团与氟碳高分子树脂发生反应得到。加大富勒烯/石墨烯异质结的缺陷，提高材料的溶解性和吸附性。
修饰富勒烯石墨烯异质结制备方法

[发明专利]一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法-CN201510394761.4在审
发明人：吴立枢;赵岩;程伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明是一种基于硅衬底的磷化铟异质结双极型晶体管的制备方法，包括以下步骤：1）准备样品；2）在磷化铟异质结双极型晶体管圆片上涂敷光刻胶；3）临时键合；4）背面工艺；5）涂敷BCB；6）清洗硅衬底表面；7优点：可将磷化铟异质结双极型晶体管完整剥离转移到硅衬底上，工艺简单，转移中不会对磷化铟异质结双极型晶体管造成破坏。
一种基于衬底磷化铟异质结双极型晶体管制备方法

[发明专利]一种低漏电流半导体薄膜异质结及其制备方法-CN201410098676.9在审
发明人：黄文;杨骏珏;曾慧中;高关胤;郝建华 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种低漏电流半导体薄膜异质结及其制备方法，属于材料技术领域。该低漏电流半导体薄膜异质结是在GaAs基片上沉积铌掺杂的钛酸锶作为缓冲层，然后在缓冲层上沉积铁电氧化物薄膜，形成铁电氧化物/NSTO缓冲层/GaAs基底异质结薄膜结构，其中缓冲层NSTO和铁电氧化物薄膜均采用激光脉冲沉积法制备本发明制得的薄膜异质结有较低的界面态密度，良好的整流特性，较低的漏电流。
一种漏电半导体薄膜异质结及其制备方法

[发明专利]一种无主栅异质结太阳电池及其制备的叠瓦组件-CN202110902743.8在审
发明人：孙玉海;宋艳 -专利权人：苏州卡睿杰新材料科技有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种无主栅异质结太阳电池及其制备的叠瓦组件，其特征在于本发明所述异质结太阳电池只需印刷细栅线来收集电流，无需传统太阳电池的主栅线。无主栅异质结太阳电池的电流汇集及电池片之间的互联，则通过制备叠瓦组件时位于太阳电池片之间的导电胶来完成，从而减少异质结太阳电池的银浆用量，使叠瓦组件成本大幅度地降低。
一种无主栅异质结太阳电池及其制备组件

[发明专利]一种CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法-CN201911325196.0有效
发明人：姬鹏飞;李勇;宋月丽;周丰群;袁书卿;田明丽 -专利权人：平顶山学院
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明属于异质结制备技术领域，特别是涉及一种CdS/Si纳米薄膜异质结的制备方法，该方法首先以ITO导电薄膜为衬底，利用磁控溅射技术在ITO导电薄膜上沉积Si，制备纳米结构ITO/Si；然后利用磁控溅射技术在纳米结构ITO/Si上沉积CdS，制备纳米结构ITO/Si/CdS；最后利用磁控溅射技术在纳米结构ITO/Si/CdS上沉积Ag，制备纳米ITO/Si/CdS/Ag异质结。本发明简单、高效，易于调控异质结各组分的结构和尺寸。
一种 cds si 纳米薄膜异质结制备方法