“C01B33/035”专利分类搜索_专利查询_文献下载_出售_求购_买卖_交易

钻瓜专利网为您找到相关结果746个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种尾气排放结构和还原炉-CN202110661114.0有效
发明人：冯留建;吴万里;王文;张霞飞;范协诚;银波;董越杰 -专利权人：新疆硅基新材料创新中心有限公司;新特能源股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本申请公开了一种尾气排放结构和还原炉，尾气排放结构包括：连接体，连接体上设有环形孔，环形孔具有第一开口与第二开口；多个尾气支管的第一端与环形孔的第一开口连通；多个尾气支管的第二端与汇集管连通；尾气母管的一端与汇集管连通。将尾气排放结构应用于还原炉，连接体的第二开口与还原炉底部的排气孔连通，还原炉中的尾气通过排气孔进入环形孔，通过环形孔对尾气进行平衡，环形孔中的气体通过尾气支管进入汇集管，不同尾气支管中的气体流量可以在汇集管进行平衡，然后汇集管中的气体通过尾气母管排出，连接体的高换热面积和汇集管的流量平衡作用，降低了尾气支管内的结硅情况和硅渣清理频次，使得还原炉内的压力、流场、温度场稳定。
一种尾气排放结构还原

[发明专利]生产多晶硅的控制方法及控制系统-CN202210759614.2有效
发明人：吕海花;李大伟;李伟;邵雅雅;王旭;张福川 -专利权人：新特能源股份有限公司;新疆新特晶体硅高科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的生产多晶硅的控制方法及控制系统，该方法包括以下步骤：将三氯氢硅原料、氢气通入还原炉内，进行氢还原反应，生成多晶硅，三氯氢硅原料为含有二氯二氢硅、四氯化硅的三氯氢硅原料，其中，在硅棒的不同预设的生长阶段，向还原炉内通入具有不同预设含量二氯二氢硅、四氯化硅的三氯氢硅原料，控制硅棒上的多晶硅沉积速度、雾化现象。本发明通过研究还原炉内的硅棒在不同生长阶段的运行特点，在不同的生长阶段通入含有不同预设含量二氯二氢硅和四氯化硅的三氯氢硅原料，与氢气发生氢还原反应，以达到还原炉全程高速生产的目的，既提高多晶硅的沉积速度，避免硅棒生长较脆，容易倒炉；又能保证多晶硅外观质量，减少雾化现象。
生产多晶控制方法控制系统

[发明专利]一种去除含碳杂质的方法和装置、以及多晶硅生产系统-CN202210920619.9有效
发明人：李聚安;蔡云和;胡启红;詹丽;马永露;王廷海;郭洪星 -专利权人：新特能源股份有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开一种去除含碳杂质的方法，包括：对含有三氯氢硅、甲基氯硅烷的物料进行物理吸附处理，吸附分离出含碳杂质甲基氯硅烷，得到三氯氢硅和含有碳杂质甲基氯硅烷、三氯氢硅的吸附物；对所述吸附物进行脱附处理，得到再生料；将所述再生料中的碳杂质甲基氯硅烷中的甲基二氯硅烷转化为甲基三氯硅烷，得到混合料；对混合料进行精馏分离，分离出混合料中的碳杂质甲基氯硅烷，得到三氯氢硅。本发明还公开一种去除含碳杂质的装置、以及多晶硅生产系统。本发明能够深度分离三氯氢硅与甲基氯硅烷，去除含碳杂质，可用于处理多晶硅生产中的精馏排残物料，对精馏排残物料回收再利用，降低硅耗率，避免碳杂质在多晶硅生产系统中富集，确保多晶硅品质。
一种去除杂质方法装置以及多晶生产系统

[发明专利]一种改良西门子法、流化床法联合生产工艺及装置-CN202310892907.2在审
发明人：兰天石;朱共山;蒋立民 -专利权人：江苏中能硅业科技发展有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供的一种改良西门子法、流化床法联合生产工艺及装置，所述工艺能够对反应副物进行循环利用，能够大幅提高原料利用率。本发明通过蒸汽热能循环系统能够实现将多晶硅生产过程中的蒸汽通过余热回收装置产生高温蒸汽，满足下游颗粒硅生产工序装置所需蒸汽能耗，减少下游颗粒硅生产工序所需供热装置的投资；还能将下游FBR反应器颗粒硅生产过程中的蒸汽通过余热回收装置产生高温蒸汽，循环至氯氢化流化床中用于反应加热。相比独立分开建设同样规模的颗粒硅和多晶硅产能项目，采用本发明所述装置及工艺能够大幅降低反应物料以及能耗。
一种改良西门子流化床联合生产工艺装置

[实用新型]一种快速拆装的石墨弹性锥管螺纹夹具-CN202321255977.9有效
发明人：马建军 -专利权人：嵊州市西格玛科技有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种快速拆装的石墨弹性锥管螺纹夹具，涉及石墨夹具技术领域，具体包括底座，所述底座为圆形的块状结构，所述底座的顶部边缘处垂直安装有第一环形板，第一环形板与底座同轴设置，且第一环形板的内壁上沿第一环形板的径长方向设有螺纹槽；所述底座的上方设有柱形块。本实用新型使用时，通过导向杆在第一柱形腔体内的容置，对锥形块与柱形块之间进行连接，并使得锥形块在锥形腔内可自由升降，不影响锥形块对硅棒的夹持，在取料可直接经柱形块将硅棒进行拿取，方便硅棒取料，同时使得柱形块在第一环形板内螺纹连接时，会带动锥形块同步转动，降低柱形块对锥形块的磨损，提高夹具整体的使用寿命。
一种快速拆装石墨弹性螺纹夹具

[实用新型]多晶硅还原炉及多晶硅还原系统-CN202321263896.3有效
发明人：郭成;党昊驰;陈林 -专利权人：华陆工程科技有限责任公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本申请提供一种多晶硅还原炉及多晶硅还原系统。其中，多晶硅还原炉包括：还原炉本体，还原炉本体包括外壳和设置在外壳内的多个电极，每个电极内均设置有冷却腔、与冷却腔连通的进液口以及与冷却腔连通的出液口；进液系统，包括多个进液支管，每个进液口均与对应的进液支管连通；回液系统，包括多个出液支管，每个出液口均与出液支管连通，每个出液支管上均设置有流量监测装置。应用本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中进入还原炉内的冷却液流量监测不准确的问题。
多晶还原系统

[实用新型]一种多晶硅生产伴生二硅原料化利用系统-CN202321377060.6有效
发明人：杨鹏;张杰;李广;周迎春;何紫微;李万存;霍福科;马俊霞;王正云;陈朝霞 -专利权人：内蒙古润阳悦达新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本申请涉及一种多晶硅生产伴生二硅原料化利用系统，通过塔侧级连四个分离塔在逐级对氢化氯硅烷除杂的同时，还能够实现氢化氯硅烷中DCS、TCS和STC的分离，且通过第五分离塔对混合物A进一步分离，避免因原料TCS中含有少量DCS或者因原料DCS中含有少量TCS干扰计算结果，从而能够使得精准控制原料TCS与原料DCS的配比，避免出现误差而影响还原工艺的稳定性，同时，将氢化氯硅烷通过本申请公开的多级分离方法得到的原料DCS代替现有技术中外购而来的DCS，能够减少降低购买成本及运输成本，有利于降低多晶硅生产成本，还能够避免因需要外购DCS而存在运输过程中安全性差、容易发生安全事故的问题。
一种多晶生产伴生原料利用系统

[实用新型]一种多晶硅还原炉余热节能系统-CN202320698546.3有效
发明人：马英中;周迎春;李万存;宋海成;李庆尚;陈彦玺;李远红;黄贤光;霍福科 -专利权人：内蒙古润阳悦达新能源科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本申请涉及一种多晶硅还原炉余热节能系统，还原炉的尾气出口与换热器的管程进口相连，还原炉炉壳冷却水出口和换热器的壳程出口均与闪蒸罐的进口相连，解析塔的蒸汽加热进口和TCS加热系统的蒸汽加热进口均与闪蒸罐的蒸汽出口相连，解析塔的蒸汽加热出口和TCS加热系统的蒸汽加热出口均与回水管道的一端相连，还原炉炉壳冷却水进口和换热器的壳程进口均与回水管道的另一端相连。能够将用于冷却炉壳的冷却水及尾气中大量热量回收利用，为解析塔和TCS加热系统提供热量，防止造成能源、资源的浪费，节省采购外供蒸汽的费用，并且能够实现冷却水的冷却，避免需要额外的冷媒进行冷却，从而实现还原炉炉壳及尾气上热量的回收利用。
一种多晶还原余热节能系统

[实用新型]多晶硅生产启动装置-CN202320446769.0有效
发明人：石何武;张升学;杨永亮;万烨;陈辉 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司;中国有色工程有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多晶硅生产启动装置，所述多晶硅生产启动装置包括：还原炉和微波发生装置，所述还原炉包括炉罩，所述炉罩包括内炉壁和外炉壁，所述内炉壁和所述外炉壁之间设有冷却水夹层，所述内炉壁围成有容置腔，所述容置腔内适于放置沉积载体硅芯，所述炉罩上设有微波馈能口，所述微波发生装置包括微波发生器和微波通道，所述微波发生器位于所述还原炉的外侧且相对所述微波发生器可移动，所述微波痛通道的一端与所述微波发生器连通，所述微波通道的另一端与所述微波馈能口连通，所述微波发生器用于通过所述微波通道加热所述沉积载体硅芯。
多晶生产启动装置

[发明专利]电子级多晶硅生产中的流体封压方法及应用-CN202310843548.1在审
发明人：袁北京;王美懿;李福中;张开端 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了电子级多晶硅生产中的流体封压方法及应用，该流体封压方法包括：采用还原性流体和/或惰性流体对电子级多晶硅生产装置进行封压。由此，既显著提高了电子级多晶硅的产品质量，有利于下游的芯片制造工序，又可以保证精馏塔平稳操作，且不会造成中和碱液的浪费。
电子多晶生产中的流体方法应用

[实用新型]一种新型防止还原倒炉的石墨头-CN202320668343.X有效
发明人：刘斌;李寿琴;冯成;彭建;谈子义;伍峰锴;金文彬;朱永跃;袁光明;周晶 -专利权人：四川永祥新能源有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型防止还原倒炉的石墨头，属于多晶硅生产技术领域，石墨头顶部开设有用于固定硅芯的硅芯孔，所述石墨头外壁上开设有环状凹槽，所述环状凹槽的中心与石墨头的轴向方向一致；或在石墨头外壁上开设有环状凹槽，螺旋形凹槽在石墨头外壁上沿石墨头的轴向延伸，前述优化结构均能解决现有技术停炉拆硅棒时，容易出现硅棒与石墨头裂开，从而造成硅棒倒炉，增加后续处理费用增加，并对还原炉造成损坏，对多晶硅产品品质造成不良影响的问题。
一种新型防止还原石墨

[发明专利]玻璃碳石墨电极的制备方法-CN202310927901.4在审
发明人：陈进斌;杨平;张泽宇;于飞;陈杨;杨凯;王小军 -专利权人：石嘴山市新宇兰山电碳有限公司
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供了玻璃碳石墨电极的制备方法，包括：S1、制备石墨电极；S2、制备玻璃碳石墨电极：所述步骤S2具体包括：S21、在步骤S1制备的石墨电极表面涂覆酚醛树脂；S22、将步骤S21得到的涂覆酚醛树脂的石墨电极在常温下固化后得到包覆玻璃炭前驱体的石墨电极；S23、将步骤S22得到的包覆玻璃炭前驱体的石墨电极，在1000℃高温下无氧环境下进行炭化处理，得到玻璃碳石墨电极初级制品；S24、将步骤S23得到的玻璃碳石墨电极初级制品在2000℃～3000℃高温下热处理后，得到高纯玻璃碳石墨电极。本发明通过在石墨电极表面包覆玻璃碳层，可以在石墨电极表面形成保护层，阻止石墨电极中石墨在高温下向外溢出，从可降低多晶硅棒内碳元素含量。
玻璃碳石墨电极制备方法

[发明专利]一种氯碱制氢耦合多晶硅生产的系统-CN202310786558.6在审
发明人：李晶;赵雄;杨阳;刘峻;赵汪;沈国强 -专利权人：中国长江三峡集团有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明涉及电解制氢技术领域，公开了一种氯碱制氢耦合多晶硅生产的系统。在本发明提供的系统中，通过将氯碱制氢子系统和多晶硅生产子系统耦合设置，成功实现了两个子系统之间氢气的综合利用，显著提升了氢气的综合利用效率，有效提升了氯碱制氢子系统的经济效益，降低了多晶硅生产子系统的生产成本。
一种氯碱制氢耦合多晶生产系统

[发明专利]多晶硅还原炉的参数配置方法、装置、终端设备及介质-CN202111535728.0有效
发明人：曹晶;陈杰;彭涛;吉晓喆;田洋洋;赵宜勇 -专利权人：浙江中控技术股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅还原炉的参数配置方法、装置、终端设备及介质，涉及数据处理技术领域。该多晶硅还原炉的参数配置方法包括：显示多晶硅还原炉的多组参数，其中，每组参数包括：进料参数，以及工作电参数；响应输入的针对多组参数中一组目标参数的选择操作，确定目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，以根据进料参数，控制目标多晶硅还原炉以工作电参数进行运行。显示多晶硅还原炉的多组参数，响应输入的针对多组参数中一组目标参数的选择操作，便可以确定目标参数为目标多晶硅还原炉的控制参数，仅需要输入选择操作，便可以实现对于多晶硅还原炉的参数设备，节省了人力资源，还提高了用户体验。
多晶还原参数配置方法装置终端设备介质

[发明专利]多晶硅还原炉的冷却系统和方法-CN201910669979.4有效
发明人：石何武;张升学;杨永亮;郑红梅;严大洲 -专利权人：中国恩菲工程技术有限公司;洛阳中硅高科技有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了多晶硅还原炉的冷却系统和方法，该系统包括：还原炉，包括钟罩和底盘，所述钟罩具有冷却水第一入口和钟罩高温水出口，所述底盘具有冷却水第二入口和底盘高温水出口，所述底盘高温水出口与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连；换热装置，具有钟罩高温水入口和换热后冷却水出口，所述钟罩高温水入口与所述钟罩高温水出口相连，所述换热后冷却水出口与所述冷却水第一入口和/或所述冷却水第二入口相连。采用该系统既显著简化了现有多晶硅还原炉冷却系统的管道，又实现了对钟罩高温水和底盘高温水热量的高效、分级回收利用，同时显著降低了多晶硅还原炉冷却水的远距离循环使用量并实现多晶硅还原炉的安全稳定运行。
多晶还原冷却系统方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 746 条