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[发明专利]超结金属氧化物场效应晶体管-CN201711328190.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种超结金属氧化物场效应晶体管。所述晶体管划分为有源区域及位于有源区域外围的耐压区域，所述耐压区域划分邻近所述有源区域的过渡区域及位于所述过渡区域外围的终端区域，所述晶体管还包括N型衬底、位于所述N型衬底上的N型外延层、位于所述耐压区域的N型外延层表面的P型掺杂结、位于所述过渡区域的N型外延层中的连接所述P型掺杂结底部且朝向所述N型衬底延伸的第一P型掺杂区、位于所述终端区域的P型掺杂结下方的N型外延层中的沿着平行于所述N型衬底的方向延伸的第二P型掺杂区。
金属氧化物场效应晶体管

[发明专利]一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法-CN201811097469.6有效
发明人：吴苏州;李娇 -专利权人： 深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C03C3/064 文献下载
摘要：本发明公开一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法，所述低温共烧陶瓷材料包括30～50重量份的钠硼硅玻璃，50～70重量份的硅碱钙石微晶玻璃，4～10重量份的高热导率材料。本发明的低温共烧陶瓷具有热膨胀系数低、机械强度高、热导率高等特点，可应用于LTCC基板材料及其他电子封装材料领域。
一种低温陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种高度取向沸石膜的制备方法-CN201810782309.9有效
发明人：吴苏州 -专利权人： 深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： B01D71/02 文献下载
摘要：本发明公开一种高度取向沸石膜的制备方法，所述方法包括：对载体表面进行预处理，然后依次引入修饰层和晶种层，之后在含有模板剂的晶化合成液中进行水热处理以在所述载体表面形成b取向沸石膜，最后高温焙烧去除模板剂和修饰层，并得到覆盖在所述载体表面的高度b取向的沸石膜。所述沸石膜具有良好的气体渗透性和气体选择性，气体分离性能优越。
一种高度取向沸石膜制备方法

[发明专利]沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管及其制作方法-CN201711397391.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种沟槽型垂直双扩散金属氧化物晶体管的制作方法包括以下步骤：提供N型衬底，在所述N型衬底上依序形成N型外延层、P型体区、第一沟槽及第二沟槽；在所述第一及第二沟槽中的栅氧化层上及所述P型体区上形成多晶硅；对所述多晶硅进行热处理，使得所述多晶硅中的N型杂质进入所述P型体区邻近所述多晶硅的表面，从而在所述P型体区邻近所述多晶硅的表面形成N型源区，并且所述沟槽外侧的多晶硅被氧化为位于所述N型源区上的二氧化硅；形成贯穿所述第一与第二沟槽两侧的二氧化硅及N型源区并延伸至所述P型体区中的接触孔；形成正面金属层与背面金属。
沟槽垂直扩散金属氧化物晶体管及其制作方法

[发明专利]沟槽型联栅晶体管及其制作方法-CN201711423827.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽型联栅晶体管及其制作方法。所述沟槽型联栅晶体管包括N型衬底、在所述N型衬底上形成的N型外延层、在所述N型外延层表面形成的P型基区、贯穿所述P型基区的多个沟槽、在所述多个沟槽内壁形成的P型高掺杂区、在所述P型基区及所述P型高掺杂表面形成的TEOS氧化层、贯穿所述TEOS氧化层且对应所述P型基区的开口、形成于所述沟槽中与所述开口中的多晶硅、在所述P型基区的表面形成的N型区域、在所述TEOS氧化层、所述P型高掺杂区及所述多晶硅上形成的正面金属、及在所述N型衬底远离所述N型外延层一侧形成的背面金属。
沟槽型联栅晶体管及其制作方法

[发明专利]双极晶体管的制作方法-CN201711366210.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：一种双极晶体管及的制作方法包括：提供P型衬底，形成N型埋层、N型外延层；在所述N型外延层上形成氧化硅层，形成贯穿所述氧化硅层的开口；在所述开口的侧壁形成氮化硅侧墙，使得所述氮化硅侧墙围成第一刻蚀窗口；利用所述第一刻蚀窗口进行光刻及刻蚀形成贯穿所述N型外延层及所述N型埋层并延伸至所述P型衬底中的隔离沟槽；在所述隔离沟槽中形成氧化物；对所述氧化硅层进行光刻及刻蚀，形成由所述氮化硅侧墙与氧化硅层围成的第二刻蚀窗口；利用所述第二刻蚀窗口对所述N型外延层进行光刻及刻蚀，从而形成贯穿所述N型外延层并延伸至所述N型埋层中的N阱沟槽；去除所述氧化硅层及氮化硅侧墙，在所述N阱沟槽中填充多晶硅从而形成N型阱区。
双极晶体管制作方法

[发明专利]防光干扰的半导体芯片的制作方法-CN201711398705.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明提供了一种防光干扰的半导体芯片的制作方法，包括：在硅衬底表面制作金属走线和压焊块；在所述金属走线和所述压焊块表面覆盖第一钝化层；在所述第一钝化层表面形成遮光层；在所述遮光层表面形成第二钝化层；对所述第一钝化层、所述遮光层和所述第二钝化层进行刻蚀，以在所述压焊块表面形成打线开口。采用本发明提供的方法可以提高半导体芯片的可靠性和稳定性，并且工艺较为简单且可以有效降低整体制作成本。
干扰半导体芯片制作方法

[发明专利]一种生产具有抗氢致裂纹性能的高品质C-Mn钢的工艺-CN201810172631.X有效
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： C22C38/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种生产具有抗氢致裂纹性能的高品质C‑Mn钢的工艺，钢种成分按重量百分比为C 0.1％～0.2％，Mn 1％～2％，Si≤0.5％，P≤0.01％，S≤0.002％，Al 0.01％～0.05％，Cr 1％～2％，Ni 0.1％～0.6％，Nb 0.003％～0.01％，Sc 0.001％～0.005％，Y 0.002％～0.008％，余量为Fe和杂质；其生产工艺为：(1)使用连铸板坯生产该类钢种，板坯厚度为150mm～300mm，板坯宽度为1000mm～3000mm；(2)轧制后钢板规格为，钢板厚度5mm～40mm，钢板宽度2000mm～3500mm；(3)将板坯轧制为最终规格的钢板后，对钢板进行冷却。本发明能降低钢板心部的偏析程度，提高钢板的均匀性，通过该方式生产的C‑Mn钢具有良好的抗氢致裂纹性能。
一种生产具有抗氢致裂纹性能品质 mn 工艺

[发明专利]一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法-CN201811093292.2在审
发明人：吴苏州;李娇 -专利权人： 深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C03C14/00 文献下载
摘要：本发明公开一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法，所述低温共烧陶瓷材料包括30～50重量份的锂硼硅玻璃、50～70重量份的复相微晶玻璃和5～10重量份的高热导率材料，所述复相微晶玻璃包括交错渗透在一起的堇青石和顽火辉石。所述低温共烧陶瓷具有热膨胀系数低、机械强度高、热导率高等特点，可应用于LTCC基板材料及其他电子封装材料领域。
低温共烧陶瓷材料重量份微晶玻璃制备低温共烧陶瓷电子封装材料高热导率材料热膨胀系数硼硅玻璃顽火辉石热导率堇青石交错应用

[发明专利]一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法-CN201811093699.5在审
发明人：吴苏州;李娇 -专利权人： 深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C04B35/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法，所述低温共烧陶瓷材料由30～50重量份的锌硼玻璃、50～70重量份的锂铝硅磷微晶玻璃及5～10重量份的高热导率材料经过烧结制成。所述低温共烧陶瓷材料具有较小的介电常数(ε≤10)和介电损耗，热膨胀系数低、机械强度高、热导率高，且工艺性好、成本低，可应用于LTCC基板材料、谐振器等电子器件以及其他电子封装材料领域。
低温共烧陶瓷材料重量份制备电子封装材料高热导率材料热膨胀系数电子器件介电常数介电损耗微晶玻璃烧结工艺性热导率谐振器锂铝硅锌硼玻璃应用

[发明专利]一种真空雾化装置及制备3D打印粉末的方法-CN201810814431.X在审
发明人：吴苏州;李娇 -专利权人： 深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种真空雾化装置，包括依次连接的真空感应炉、中间包、气雾化装置、雾化冷却塔和粉末收集系统，所述真空雾化装置还包括高压供气系统，所述气雾化装置包括与所述中间包连通的金属液喷头和与所述高压供气系统连通的气体喷头，所述真空雾化装置还包括盐浴器，所述盐浴器设在所述气雾化装置上方，所述盐浴器包括盐浴喷头，所述盐浴喷头与所述盐浴器连通，所述盐浴喷头设置在所述金属液喷头和所述气体喷头之间。在金属液喷头和气体喷头中间增加盐浴喷头，在金属液凝固过程中，利用盐浴对粉末表面进行热处理，降低粉末表面凝固速度，增加粉末颗粒表面的球似度，能够提高粉末表面质量。
盐浴喷头真空雾化装置气雾化装置粉末表面气体喷头金属液连通高压供气系统中间包粉末颗粒表面粉末收集系统金属液凝固雾化冷却塔真空感应炉热处理喷头设置依次连接制备打印凝固

[发明专利]一种脱硝催化剂及其制备方法-CN201810742020.4在审
发明人：吴苏州;李娇 -专利权人： 深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： B01J23/83 文献下载
摘要：本发明公开了一种脱硝催化剂，包括载体蜂窝陶瓷以及复合在所述载体蜂窝陶瓷上的TiO₂和活性物质Sm、Ce、Fe的氧化物，所述活性物质中Ce元素、Fe元素和Sm元素的摩尔比约为：1：(2.0～7.1)：(0.8～1.6)。及其制备方法，包括以下步骤：首先将蜂窝陶瓷表面附着一层TiO₂，再通过浸渍法浸渍Fe、Ce、Sm的前驱体，最后干燥、焙烧可得催化剂成品。本发明制备的整体式低温脱硝催化剂的方法，所得的整体式催化剂的脱销活性高，温度窗口广，产品无毒，有一定的抗SO₂和碱土金属中毒能力强，可直接应用到实际工业烟气治理中。
蜂窝陶瓷制备脱硝催化剂活性物质焙烧浸渍工业烟气治理整体式催化剂催化剂成品表面附着低温脱硝碱土金属活性高浸渍法摩尔比能力强前驱体整体式氧化物脱销催化剂无毒复合应用

[发明专利]一种透水混凝土及其制备方法-CN201810986502.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人： 深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2018-08-28 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C04B28/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种透水混凝土及其制备方法，所述透水混凝土包含重量百分比计的如下组分：15％‑25％的水泥，1％‑3％的矿物掺合料，65％‑75％的建筑废弃物粗骨料，6％‑13％的钢渣废弃物粗骨料，5‑10％的玻璃纤维，0.10‑1.10％的减水剂，4％‑8％的水，该透水混凝土不仅可以保证降水及时渗入地下，而且可以有效的利用建筑废弃物和钢渣废弃物，实现了废弃物的二次利用。
透水混凝土废弃物建筑废弃物钢渣粗骨料制备矿物掺合料重量百分比玻璃纤维二次利用减水剂渗入水泥地下降水保证

[发明专利]一种SCR催化剂及其制备方法-CN201810742033.1在审
发明人：吴苏州;李娇 -专利权人： 深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： B01J23/889 文献下载
摘要：本发明公开了一种SCR催化剂及其制备方法，所述SCR催化剂的成分包括CuSO₄、MnO_x、SmO_x、FeO_x和单质Fe，其中x为满足Mn、Sm和Fe元素化合价所需的氧原子数，其制备方法包括以下步骤：首先将P25型TiO₂、CuSO₄·5H₂O、铁粉、去离子水混合，在通入SO₂气氛下剧烈搅拌；再将Sm(NO₃)₃·6H₂O、Mn(NO₃)₂·6H₂O、草酸溶于去离子水中并逐滴加入，在N2条件下继续搅拌2‑4h；然后将混合液放入反应釜中密闭静置，最后烘干、焙烧得成品催化剂。本发明制备的催化剂脱硝活性较高，且活性温度窗口宽、有很高的抗SO₂中毒能力，能适应实际生产需要。
制备焙烧草酸活性温度窗口成品催化剂元素化合价剧烈搅拌去离子水脱硝活性氧原子数反应釜混合液烘干密闭单质放入水中铁粉催化剂离子生产

[发明专利]一种纯硅沸石膜复合体及其制备方法-CN201810478582.2在审
发明人：张惠宝;赵忆娜 -专利权人： 深圳市晶特智造科技有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： B01D53/22 文献下载
摘要：本发明公开一种纯硅沸石膜复合体及其制备方法，所述纯硅沸石膜复合体包括多孔载体和覆盖在所述多孔载体表面的纯硅沸石膜，所述纯硅沸石膜的厚度为微米级或亚微米级，所述纯硅沸石膜部分嵌入多孔载体中并与多孔载体结合为一个整体。所述纯硅沸石膜厚度超薄，为微米级或亚微米级，这样就大大降低了纯硅沸石膜复合体的渗透阻力，增加了其渗透通量，本发明所述纯硅沸石膜复合体气体分离效果好，其对小分子气体的分离效果指标为3×10‑5～3×10‑4。
沸石膜纯硅复合体多孔载体亚微米级微米级制备多孔载体表面气体分离效果小分子气体分离效果渗透通量嵌入覆盖

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