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[发明专利]一种测试材料电磁特性的同轴夹具-CN201410535218.7有效
发明人：赵晓明;夏靖 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明公开一种测试材料电磁特性的同轴夹具，用于测量材料屏蔽效能、复介电常数和复磁导率，包括支撑介质、内导体部件和外导体部件，内导体部件包括内导体口径渐变部分、内导体等径部分和内导体等径延长部分，外导体部件包括外导体口径渐变部分不接内、外等径延长部分装配时，该夹具适合测量材料的屏蔽效能，接内、外等径延长部分则可测量材料的复介电常数和复磁导率。
一种测试材料电磁特性同轴夹具

[实用新型]一种测试材料电磁特性的同轴夹具-CN201420584461.3有效
发明人：赵晓明;夏靖 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种测试材料电磁特性的同轴夹具，用于测量材料屏蔽效能、复介电常数和复磁导率，包括支撑介质、内导体部件和外导体部件，内导体部件包括内导体口径渐变部分、内导体等径部分和内导体等径延长部分，外导体部件包括外导体口径渐变部分不接内、外等径延长部分装配时，该夹具适合测量材料的屏蔽效能，接内、外等径延长部分则可测量材料的复介电常数和复磁导率。
一种测试材料电磁特性同轴夹具

[发明专利]一种低介电常数高性能微波介质陶瓷材料、制备方法及应用-CN201811038898.6有效
发明人：夏往所;张少波;唐天良;王莹;石礼伟 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电常数高性能微波介质陶瓷材料、制备方法及应用，化学式为SmNbO4‑xMgO，式中x为MgO的摩尔添加量，0.5≤x≤5。本发明通过向SmNbO4陶瓷中添加适量的MgO，利用固相反应制备获得了复相微波介质陶瓷。最终提供了一系列具有低介电常数及高品质因数的微波介质陶瓷材料，该系列陶瓷的烧结温区为1425℃～1550℃，介电常数为13.27～17.87，品质因数为87306GHz～189978GHz。本发明制备工艺操作简单，制备工艺流程可靠，烧结时的可选参数范围较大且可调控，容错率较高；制得的微波介质陶瓷材料介电常数εr在18以下，且品质因数具有了明显的提升
一种介电常数性能微波介质陶瓷材料制备方法应用

[发明专利]基于传输反射法的薄膜材料复介电常数的测量装置及方法-CN201611025062.3有效
发明人：杨燚;王强;张豹山;唐东明 -专利权人：南京大学
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于传输反射法的薄膜材料复介电常数的测量装置及方法。测量时先将未镀覆薄膜与镀覆有薄膜的介质基片分别竖直放置在微带线中部，获得两组S₁₁和S₂₁参数，进而根据获得的两组数据再结合传输反射法，推算出未镀覆薄膜和镀覆有薄膜的介质基片的有效介电常数，再通过确定填充因子，将薄膜材料的真实介电常数从有效介电常数中分离出来。
基于传输反射薄膜材料介电常数测量装置方法

[发明专利]一种具有负介电常数钛酸钡/钇铁石榴石复合陶瓷的制备方法-CN201810473710.4在审
发明人：韩东晓;刘节华;王忠阳;孙凯 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有负介电常数钛酸钡/钇铁石榴石复合陶瓷的制备方法，制备一种新型的单负介电常数材料，该方法以钛酸钡和钇铁石榴石为原料，球磨混合12h，将粉体干燥过筛后，在混合粉体加适量PVA粘结剂，搅拌均匀后制备得到复相陶瓷在射频段通过介电共振实现了负的介电常数，与现有负介电材料相比，数值较小且介电损耗较小。本发明有助于实现陶瓷复合材料在电磁衰减，电磁吸波领域的应用。提供了一种新的实现负介电材料的方法。
制备钇铁石榴石钛酸钡负介电常数复合陶瓷介电材料负介电常数材料陶瓷复合材料电磁吸波复相陶瓷干燥过筛混合粉体介电常数介电损耗球磨混合烧结粘结剂共振放入粉体介电射频衰减模具成型应用

[发明专利]表面安装型天线以及天线模块-CN200910003474.0无效
发明人：外间尚纪;张原康正;远藤谦二;大桥武 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2009-01-15 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：该形成为槽状的部分成为空气层，由此，作成介电常数低的区域。在各供电放射导体之间，设置介电常数比电介质基体10的介电常数低的区域，从而能够减少各放射导体之间的电磁耦合量。各放射导体之间的电磁耦合量减少，由此，能够在复共振成立的范围内使各放射导体的共振频率彼此接近而实现宽频带化。
表面安装天线以及模块

[发明专利]一种基于宽频介电响应的油纸绝缘套管受潮诊断方法-CN202111456463.5在审
发明人：朱庆东;朱文兵;崔其会;李龙龙;朱孟兆;顾朝亮;王建;王学磊;韩明明;王浩哲 -专利权人：国网山东省电力公司电力科学研究院;国家电网有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明属于测试技术领域，公开一种基于宽频介电响应的油纸绝缘套管受潮诊断方法，包括如下步骤：根据宽频介电响应曲线，获得复介电常数虚部弛豫极化损耗频谱；根据复介电常数虚部弛豫极化损耗频谱，诊断油纸绝缘套管的受潮类型
一种基于宽频响应油纸绝缘套管受潮诊断方法

[发明专利]介电细胞仪装置和介电细胞仪的细胞分选方法-CN201110324803.9有效
发明人：大森真二;佐藤一雅;胜本洋一;梅津友行;林义人 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01N27/02 文献下载
摘要：在狭窄道上形成一对测量电极，并且连接至测量电极的分析器测量通过狭窄道的每个细胞的复介电常数。设置在狭窄道下游侧的电场施加部根据关于测出的复介电常数的信息施加电场以改变流道内细胞的流动，从而可通过利用支道分选细胞。
细胞装置分选方法

[发明专利]细胞分选器和细胞分选方法-CN201110322597.8有效
发明人：佐藤一雅;胜本洋一 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G01N15/10 文献下载
摘要：该测量电极在流路中形成测量电场，测量流过流路的各细胞的复介电常数。工作电极在流路中形成工作电场，通过对细胞施加介电泳力并利用该流路来分选细胞。检测电极，检测流过流路的流体中的细胞的存在。输出部获取基于关于测量到的复介电常数的信息的分选信号以及表明由检测电极检测到细胞的检测信号。输出部在获取到分选信号的情况下，在获取检测信号时对工作电极输出用于形成工作电场的工作信号。
细胞分选方法

[发明专利]测量成分浓度的系统及方法-CN200780021554.8无效
发明人：渡边伸介;井上晃;吉田博 -专利权人：三菱电机株式会社;尼普洛株式会社
申请日： 2007-06-08 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： A61B5/145 文献下载
摘要：本发明的测量受检物中包含的预定成分的浓度的系统的特征在于包括：将具有5GHz～300GHz的相互不同频率的电磁波朝向受检物振荡的振荡部；检测由受检物反射的多个电磁波的检测部；测量多个电磁波各自的反射系数和复介电常数中至少任一方，并根据所测出的多个电磁波的反射系数和复介电常数中至少任一方算出受检物中包含的预定成分的浓度的运算处理部。
测量成分浓度系统方法

[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202310962831.6在审
发明人：朱惠薇;郭歆;庞微 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该制备方法包括如下步骤：提供衬底，衬底包括隔离层以及位于隔离层中的金属接触；在衬底上制备低介电常数层，低介电常数层包括沿远离衬底的方向依次层叠的第一低介电常数子层、第二低介电常数子层和第三低介电常数子层，其中第二低介电常数子层的介电常数小于第一低介电常数子层的介电常数以及第三低介电常数子层的介电常数；刻蚀低介电常数层和隔离层，形成贯穿低介电常数层、且底部位于隔离层中的沟槽，自第一子低介电常数子层起，沿靠近衬底的方向
半导体结构制备方法

[发明专利]在制程中测量低介电常数的薄膜性质-CN200610066511.9无效
发明人：蔡嘉祥;徐鹏富;彭宝庆;徐祖望;谢志宏;苏怡年;陶宏远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-03-28 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种决定制造基板上低介电常数薄膜的介电系数的方法与系统。此方法包含用椭圆仪测量介电常数的电子组成，用红外光谱仪测量介电常数的离子组成，用微波光谱仪测量整体介电常数，推导出介电常数的偶极组成。该系统包含：一椭圆仪用来测量该低介电常数薄膜的该介电常数的一电子组成和产生一测量电子组成；一红外光谱仪用来测量该低介电常数薄膜的该介电常数的一离子组成和产生一测量离子组成；一微波光谱仪用来测量该低介电常数薄膜的一整体介电常数和产生一测量的整体介电常数；一装置利用该测量的电子组成、该测量的离子组成和该测量的整体介电常数用来推导该介电常数的一偶极组成。
制程中测量介电常数薄膜性质

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201110075856.1有效
发明人：米仓和贤;富田和朗 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在扩散阻止膜之上依次叠置第二低介电常数膜、第三低介电常数膜和用作掩膜层的膜。蚀刻用作掩膜层的膜，并且形成其底部由第三低介电常数膜的表面制成的布线沟槽图案。通过灰化去除第一抗蚀剂掩膜。使用掩膜层的布线沟槽图案形成布线沟槽，从而使沟槽的底部由第二低介电常数膜构成。通过CMP方法去除从铜金属的顶部表面到第三低介电常数膜的层。每一个低介电常数膜的介电常数都低于FSG的介电常数，并且第二低介电常数膜的介电常数低于第三低介电常数膜的介电常数。
半导体器件制造方法

[实用新型]一种便携式液体介电常数测量笔-CN201520141499.8有效
发明人：千承辉;王天资;宋继斌;秦佳男 -专利权人：吉林大学
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本实用新型属于电子测量技术领域，特别涉及一种便携式液体介电常数测量笔。包括：壳体、液体介电常数测量探头、介电常数分析电路及显示电路；壳体为铝制壳体，用于连接、支撑、保护与屏蔽；液体介电常数测量探头安装在所述壳体顶端，具有同轴线结构，可探入液体内部用于介电常数测量；介电常数分析电路安装在所述壳体内部，与液体介电常数测量探头的输出端连接可用于接收和分析所述液体介电常数测量探头的测量数据；显示电路与所述介电常数分析电路连接，用于显示所述介电常数分析电路输出的介电常数数值。本实用新型具有便携，成本低，准确度高等优点，便于现场快速检测液体介电常数。
一种便携式液体介电常数测量

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201811442129.2在审
发明人：洪铭辉;郭瑞年;林延勳;林耕雍;杨博宇;万献文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;洪铭辉
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种半导体元件的制造方法包含：在半导体基材上形成第一高介电常数介电层；在第一高介电常数介电层上形成第二高介电常数介电层，其中第二高介电常数介电层包含与第一高介电常数介电层的材料不同的材料；退火第一高介电常数介电层以及第二高介电常数介电层，使得第一高介电常数介电层与第二高介电常数介电层相互扩散；以及在第二高介电常数介电层上形成栅电极。
高介电常数介电层半导体元件退火半导体基材栅电极制造扩散