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[发明专利]一种测量微纳器件圆二色性光电流显微成像的方法-CN202310343507.6在审
发明人：张洋;薛晓兰;聂悦;胡宝欣;张志豪;王佳乐;陈令修;石礼伟 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种测量微纳器件圆二色性光电流显微成像的方法，包括：步骤1，建立实验系统，所述实验系统包括532nm激光器、两个反射镜、斩波器、小孔空间滤波器、透镜、起偏器、四分之一波片、步进电机、照明白光LED、半反半透平板、分光晶体、电荷耦合器件CCD、显微物镜、二维微纳米平移台、电流放大器和锁相放大器；步骤2，通过实验系统测量微纳器件圆二色性光电流显微成像。本发明使用的光路和测试方法搭建简单，易操作。且价格相对于现有的测试设备低廉。
一种测量器件圆二色性电流显微成像方法

[发明专利]一种室温测量n型掺杂砷化镓半导体自旋霍尔角的方法-CN202211065933.X有效
发明人：张洋;薛晓兰;石礼伟;陈令修;聂悦 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01R33/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种室温测量n型掺杂砷化镓半导体自旋霍尔角的方法，包括以下步骤：步骤1，建立测试系统，将待测量的n型掺杂的GaAs半导体样品放入测试系统中；步骤2，测量n型掺杂的GaAs半导体样品的自旋霍尔角。本发明利用霍尔效应将逆自旋霍尔效应进行归一化，可以扣除测试光斑面积、测试光斑位置，电极位置和大小，以及外接测试源表引入的不确定性。使测试结果的可靠性更高。
一种室温测量掺杂砷化镓半导体自旋霍尔方法

[发明专利]一种能源存储与转化一体化系统-CN202211022973.6在审
发明人：薛晓兰;张洋;石礼伟 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01M10/36 文献下载
摘要：本发明提供一种能源存储与转化一体化系统，涉及能源存储与转化领域。所述一种能源存储与转化一体化系统包括底座，所述主侧管内设有蓄气组件，所述主侧管的侧壁上固定连接有副侧管，所述副侧管内设有补加组件。本发明提供的一种能源存储与转化一体化系统通过电机工作使驱动轴转动带动横板滑动往复一次，外界空气与配量的催化剂同时排出至反应壳左侧腔内的含酸水溶液中，空气中的氮气均匀的分散于水中在催化剂的作用下充分反应生出氨气；通过氨气经过输气管输送至右侧的多孔分流壳内部与水充分接触，电极组件工作对氨气与水进行电离，即可使水中分布着铵根离子，所得的铵根离子为电荷载体构筑水系铵离子电池。
一种能源存储转化一体化系统

[发明专利]一种高Q温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法与应用-CN201910640452.9有效
发明人：夏往所;唐天良;李福生;邓静瑜;王莹;石礼伟 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种高Q温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法与应用，其化学式为CexY1‑xO1.5+x/2，(x＝0.5，0.75)，式中x为Y的摩尔掺杂量。本发明用固相反应法制备的微波介质陶瓷，其烧结温度为1400～1550℃，密度为5.652～6.054g/cm3，介电常数为19.25～20.46，品质因数为65600～149290GHz，谐振频率温度系数为‑29.8～‑13.52ppm/℃。用该微波介质陶瓷制成的元件不仅具有更稳定的性能和使用寿命，还具有更强的热稳定性以减少信号的传播错误。同时，本发明的制备工艺流程可靠，操作简单，容错率较高，适合工业化生产，具有很高的实际应用价值。
一种温度稳定微波介质陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种低介电常数高性能微波介质陶瓷材料、制备方法及应用-CN201811038898.6有效
发明人：夏往所;张少波;唐天良;王莹;石礼伟 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电常数高性能微波介质陶瓷材料、制备方法及应用，化学式为SmNbO4‑xMgO，式中x为MgO的摩尔添加量，0.5≤x≤5。本发明通过向SmNbO4陶瓷中添加适量的MgO，利用固相反应制备获得了复相微波介质陶瓷。最终提供了一系列具有低介电常数及高品质因数的微波介质陶瓷材料，该系列陶瓷的烧结温区为1425℃～1550℃，介电常数为13.27～17.87，品质因数为87306GHz～189978GHz。本发明制备工艺操作简单，制备工艺流程可靠，烧结时的可选参数范围较大且可调控，容错率较高；制得的微波介质陶瓷材料介电常数εr在18以下，且品质因数具有了明显的提升，能够应用于制造更高端的微波元件。
一种介电常数性能微波介质陶瓷材料制备方法应用

[发明专利]一种高性能微波介质陶瓷材料、制备方法及应用-CN201710850861.2有效
发明人：王莹;张少波;张澜洋;朱海燕;夏往所;石礼伟 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能微波介质陶瓷材料、制备方法及应用，化学式为Mg₂NdNbO₆。按化学式Mg₂NdNbO₆中各元素的摩尔比分别称量MgO、Nd₂O₃、Nb₂O₅并混合后两次与无水乙醇和锆球混合球磨、烘干、煅烧，最终制成微波介质陶瓷Mg₂NdNbO₆。该材料介电常数为15.7～16.3，有利于微波元器件的小型化；其具有较高的品质因数，可以提升制成的微波元器件的品质、同时降低能量损耗；热稳定性好，拓宽了使用温度的限制，可以用于制作微波元器件，本发明制备过程简单、易于重复操作，能够提升制得成品的合格率，且生产过程中不会对环境造成污染。
一种性能微波介质陶瓷材料制备方法应用

[发明专利]一种中介电常数微波介质陶瓷材料、制备方法及应用-CN201811039570.6在审
发明人：寻之朋;张晓黎;于泽威;夏往所;石礼伟 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明公开了一种中介电常数微波介质陶瓷材料、制备方法及应用，化学式为Mg₂NdTiO_5.5。本发明以MgO、Nd₂O₃、TiO₂作为原料，利用固相反应制备出微波介质陶瓷Mg₂NdTiO_5.5，最终提供了具有中介电常数及较高品质因数的微波介质陶瓷材料，该陶瓷材料的煅烧温区为900～1300℃，烧结温区为1400℃～1550℃，介电常数为24～27，品质因数为7658～15579GHz，性能稳定，能够应用于制造微波元件。本发明的制备工艺操作简单，制备工艺流程可靠、容易实现材料的稳定生产；烧结时的可选参数范围较大且可调控，容错率和良品率较高，大大降低了次品率和总体制造成本，适合工业化生产和大力推广。
微波介质陶瓷材料制备中介电常数烧结温区应用微波介质陶瓷高品质因数固相反应介电常数可选参数品质因数陶瓷材料微波元件稳定生产制备工艺制造成本工艺流程次品率可调控良品率容错率煅烧制造

[发明专利]一种高性能微波介质陶瓷材料的制备方法-CN201510196581.5有效
发明人：仇亮;左泽文;金飞;石礼伟;夏往所 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能微波介质陶瓷材料的制备方法，先将化学原料ZnO、ZrO2、Nb2O5按化学计量式ZnZrNb2O8称量配料，再经过球磨、烘干，外加6～10wt％的石蜡，碾匀后过筛，压制成型为坯体，于1075～1225℃烧结，制成微波介质陶瓷材料。本发明在传统固相反应法的基础上，优化了制备工艺，其介电常数为22.13～27.21，品质因数(Q×f)为37,000～75,000GHz，减少了二次球磨和煅烧工艺，缩短了工艺周期，节约了资源，且过程无污染，具有广阔的应用前景。
一种性能微波介质陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种简单稳定的制备微纳米空心铜的方法-CN201510035141.1有效
发明人：吴玲;寻之朋;张伦;石礼伟;于桂丽 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：一种简单稳定的制备微纳米空心铜的方法，属于制备空心铜的方法。步骤：(1)将硫酸铜溶入水中，放入水浴锅中加热；(2)将聚乙烯吡咯烷酮加入上述溶液中，搅拌；(3)将氢氧化钠加入水，配成氢氧化钠的水溶液，然后加入步骤(2)所述溶液中，搅拌；(4)将预先配好的水合肼溶液加入步骤(3)所述溶液中，搅拌；(5)调节恰当的水浴锅温度，生成棕褐色Cu颗粒，将含有Cu颗粒的固液两相经过高速离心，得到Cu固体颗粒，然后用无水酒精和去离子水交叉洗涤Cu颗粒数次，除去反应过程中的其他杂质；(6)将含水或酒精的Cu粉置于真空干燥箱中干燥，即可得到高纯度Cu微纳米颗粒。优点：具有成本低，制备工艺简单，纯度高，重复性好，表面化学活性高。
一种简单稳定制备纳米空心方法

[发明专利]一种中介电常数温度稳定型微波介质陶瓷及其制备方法-CN201610373041.4在审
发明人： 石礼伟;金飞;张少波;张澜洋;夏往所;王莹 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种中介电常数温度稳定型微波介质陶瓷及其制备方法，以MgO、ZrO₂、Ta₂O₅、CuO为原料，目标合成物表达式为MgZrTa₂O₈，外加质量百分比为0.5～2.0％的CuO。先经配料、球磨、烘干、过筛，于1000℃煅烧，合成前驱体；再将前驱体碾匀后，外加CuO；再经球磨罐、烘干、过筛，外加入质量百分比为10％的石蜡，再搅拌均匀、过筛、压力成型为坯体；再于1300～1425℃烧结，制得中温烧结中介电常数温度稳定型微波介质陶瓷。本发明有效降低了MgZrTa₂O₈微波介质陶瓷的烧结温度(1325～1425℃)，具有中介电常数、近零的谐振频率温度系数，制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
一种介电常数温度稳定微波介质陶瓷及其制备方法

[发明专利]中介电常数高品质因数微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN201410555791.4无效
发明人：夏往所;王莹;石礼伟;张国营;黄逸佳 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种中介电常数高品质因数微波介质陶瓷材料，其化学式为：MgZrTa₂O₈；先将原料MgO、ZrO₂、Ta₂O₅按化学计量式称量配料；再经球磨、烘干、过筛后，于1000℃煅烧合成前驱体；再经球磨、烘干、过筛后，加入石蜡于电阻炉上碾匀，压制成坯体；坯体于1400～1525℃烧结，制成微波介质陶瓷。本发明介电常数为14～23，品质因数为7,900～132,000GHz，谐振频率温度系数为-27～-46×10^-6/℃，制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
介电常数品质因数微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]量子点－阱红外探测器的结构及其制备方法-CN200710064588.7无效
发明人：王志成;徐波;刘峰奇;陈涌海;王占国;石礼伟;梁凌燕 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-03-21 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：一种量子点－阱红外探测器结构，包括：一半绝缘GaAs衬底；一GaAs底接触层制作在半绝缘GaAs衬底上；一下GaAs隔离层制作在GaAs底接触层上的一侧，在GaAs底接触层上的另一侧形成一台面；一10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层制作在下GaAs隔离层上，该10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层是形成光电流并最终实现红外探测的核心部位；一GaAs顶接触层制作在10个周期的InAs/InGaAs点－阱结构层上；一上电极制作在GaAs顶接触层上的中间部位，该上电极可以实现探测器进行外加电压；一下电极制作在GaAs底接触层上的台面上，该下电极可以实现探测器进行外加电压。
量子红外探测器结构及其制备方法

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