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- [发明专利]双镶嵌结构制作方法-CN200910194919.8有效
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周鸣;牛孝昊
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中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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2009-08-31
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2011-04-06
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H01L21/768
- 一种双镶嵌结构制作方法，包括：在基底上依次形成第一介电材料层和第二介电材料层，其中，所述第二介电材料层覆盖所述第一介电材料层，且所述第二介电材料的硬度大于所述第一介电材料的硬度；分别在所述第一介电材料层和所述第二介电材料层中，形成沟槽和管孔，并在所述沟槽和所述管孔中沉积金属材料；去除多余的金属材料的同时，去除所述第二介电材料层，使所述第一介电材料层表面具有低厚度的所述第二介电材料层或不具有所述第二介电材料层。本发明在不增加工艺复杂度的情况下，减小硬度小的第一介电材料层被刮伤或磨损的几率，保证了器件不仅具有良好的介电性能，还具有高稳定性、高产品良率以及良好的传输性能。
- 镶嵌结构制作方法
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