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[实用新型]一种改进式静电夹盘吸附用衬底和半导体芯片器件晶圆-CN201821060232.6有效
发明人：孙锦洋 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改进式静电夹盘吸附用衬底和半导体芯片器件晶圆，其中改进式静电夹盘吸附用衬底包括：低介电常数衬底；高介电常数介质薄膜层，所述的高介电常数介质薄膜层的顶端与所述低介电常数衬底连接，所述的高介电常数介质薄膜层的底端与静电夹盘接触本实用新型在低介电常数衬底表面生长高介电常数介质薄膜层形成一个改进式静电夹盘吸附用衬底，提高静电常数来增加静电吸附力，从而使工艺中E‑CHUCK静电夹盘更容易吸附带有该改进式静电夹盘吸附用衬底的半导体芯片
静电夹盘衬底吸附改进式高介电常数介质薄膜层低介电常数半导体芯片器件本实用新型晶圆半导体芯片静电吸附力衬底表面静电底端生长

[发明专利]超低介电常数薄膜铜互连的制作方法-CN201110274496.8有效
发明人：陈玉文;黄晓橹;谢欣云 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种超低介电常数薄膜铜互连的制作方法，该种制作方法在超低介电常数薄膜上覆盖低介电常数保护膜，而后采用光刻、刻蚀，形成贯通低介电常数保护膜和超低介电常数薄膜的通孔和/或沟槽，在通孔和/或沟槽内溅射沉积金属势垒层和铜的籽晶层由于采用低介电常数保护膜，从而减少了多孔的超低介电常数薄膜在化学机械研磨中产生的缺陷，增强了低介电常数保护膜与下一步铜互连的刻蚀停止层的粘贴力，避免了在后续封装中的诱导应力引起热机械失效，同时改善了可靠性
介电常数薄膜互连制作方法

[发明专利]半导体组件内层介电层与半导体组件及其制造方法-CN200410090379.6有效
发明人：黄泰钧;姚志翔;林义雄;包天一;陈笔聪;卢永诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该内层介电层包括第一低介电常数材料层及形成于该第一低介电常数材料上的第二低介电常数材料。该第二低介电常数材料层至少较第一低介电常数材料层具有一不同的材料特征。而第三低介电常数材料层又至少较第二低介电常数材料层具有一不同的材料特征。其中，第一、第二以及第三低介电常数材料层较佳为相同材料所构成，并利用连续在一或数个具有不同沉积条件的沉积室中沉积，其中可调整或改变的沉积条件包括：气体流速、电源功率或气体种类。
半导体组件内层介电层及其制造方法

[发明专利]一种用于电子元器件的有机硅灌封胶、以及电子元器件-CN202310498585.3有效
发明人：王勇;于晶晶 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C09J183/07 文献下载
摘要：所述有机硅灌封胶包括低介电常数无机填料和导热无机填料，所述低介电常数无机填料在1MHz下的介电常数≤4，所述导热无机填料在1MHz下的介电常数≥5.5。本申请通过在有机硅灌封胶的填料上进行的合理的选择和搭配，将在1MHz下介电常数≤4的低介电常数无机填料与在1MHz下介电常数≥5.5的导热无机填料搭配使用，实现了在有效控制成本的同时又能满足性能需求，所得有机硅灌封胶具有低成本、高导热、低介电常数的优点。
一种用于电子元器件有机硅灌封胶以及

[实用新型]半导体组件的内层介电层及半导体组件-CN200420009677.3无效
发明人：黄泰钧;姚志翔;林义雄;包天一;陈笔聪;卢永诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：该内层介电层包括第一低介电常数材料层及形成于该第一低介电常数材料上的第二低介电常数材料。该第二低介电常数材料层至少较第一低介电常数材料层具有一不同的材料特征。而第三低介电常数材料层又至少较第二低介电常数材料层具有一不同的材料特征。其中，第一、第二以及第三低介电常数材料层较佳为相同材料所构成，并利用连续在一或数个具有不同沉积条件的沉积室中沉积，其中可调整或改变的沉积条件包括：气体流速、电源功率或气体种类。
半导体组件内层介电层

[发明专利]插板电极式介电电泳选矿设备-CN201910127539.6有效
发明人：李庆宪;李佳 -专利权人：李庆宪
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B03C5/02 文献下载
摘要：插板电极式介电电泳选矿设备，属于贵金属矿物的选矿技术领域，其选别过程是利用不同物质的介电常数不同，介电常数小于介电液介电常数的物质向电场弱的一边偏移，介电常数大于介电液介电常数的贵金属如金、铂等向电场强的一边偏移而被选别出来
插板电极式介电电泳选矿设备

[其他]ESD保护装置-CN201490000538.6有效
发明人：足立淳;安中雄海;鹫见高弘 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01T4/12 文献下载
摘要：上隔着间隔相对地设置第一、第二放电电极(3、4)，设置促进第一、第二放电电极(3、4)之间的放电的放电辅助电极(5)，使得连接第一放电电极(3)和第二放电电极(4)，放电辅助电极(5)由(i)包含金属以及相对介电常数高于所述基板的高介电常数材料的第一混合材料；(ii)包含被不具有导电性的材料覆盖的金属、以及相对介电常数高于所述基板的高介电常数材料的第二混合材料；(iii)包含被不具有导电性的材料覆盖的金属、半导体粒子以及相对介电常数高于所述基板的所述高介电常数材料的第三混合材料；以及(iv)包含被不具有导电性的材料覆盖的金属、具有所述基板的相对介电常数以下的相对介电常数的低介电常数材料以及相对介电常数高于所述基板的所述高介电常数材料的第四混合材料构成的组中选择的至少一种混合材料构成
esd 保护装置

[发明专利]避免低介电常数介电层劣化的方法-CN02140253.1有效
发明人：张鼎张;刘柏村;莫亦先 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-02 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种避免低介电常数介电层劣化的方法。该方法是先于低介电常数介电层表面形成一图案化的光阻层；接着利用光阻层作为硬屏蔽，对该低介电常数介电层进行一蚀刻制程；然后去光阻层；最后再对低介电常数介电层进行一表面处理，以去除低介电常数介电层中的Si－OH键，进而避免低介电常数介电层吸附水气而发生介电特性劣化的现象。
避免介电常数介电层劣化方法

[发明专利]用于在组合物中产生放电的系统和方法-CN201580009191.0有效
发明人：民苏克·查;章旭明;苏克侯·昌 -专利权人：阿卜杜拉国王科技大学
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H05H1/48 文献下载
摘要：一种系统和方法，其配置成在组合物中产生放电，例如配置成例如在包含材料混合物的组合物中产生放电的那些，所述材料混合物例如高介电常数材料和低介电常数材料的混合物(例如高介电常数液体和低介电常数液体的组合物、高介电常数固体和低介电常数液体的组合物以及类似组合物)，以及其它系统和方法，其配置成例如通过部分由在组合物中产生放电造成的材料改性和/或材料合成制造材料。
用于组合产生放电系统方法

[发明专利]一种玻璃微珠介电常数的测量方法-CN202210679968.6在审
发明人：张敏刚;穆春怀;曹翔宇;申鹏展 -专利权人：太原科技大学;山西海诺科技股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明公开的一种玻璃微珠介电常数的测量方法，包括步骤一：制备均匀混合玻璃微珠的聚氨酯固体；步骤二：将步骤一制得的聚氨酯基体分别打磨成直径1㎝厚度为0.5‑1㎜的正方形薄片，将制得的聚氨酯薄片喷金；步骤三：使用阻抗仪夹持(安捷伦4294A)喷金部位测量材料的电容值，测量出不含玻璃微珠的纯聚氨酯的介电常数以及玻璃微珠和聚氨酯两相复合材料的介电常数；步骤四：计算聚氨酯和玻璃微珠的两相复合材料的介电常数；步骤五：计算玻璃微珠的介电常数。本发明属于玻璃微珠技术领域，具体是一种通过制备聚氨酯与玻璃微珠复合物测量出复合物的介电常数、不含玻璃微珠聚氨酯的介电常数，最后求得玻璃微珠的介电常数的玻璃微珠介电常数的测量方法。
一种玻璃介电常数测量方法

[发明专利]一种不等分微带功分器-CN202310289456.3在审
发明人：邓小乔;李垣江;李效龙;张正言;暴琳;杨正文;杨新华;杨涛 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明涉及不等分功分器技术领域，具体涉及一种不等分微带功分器，包括混合基板，混合基板包括高介电常数基板及与其连接的低介电常数基板，高介电常数基板的介电常数大于低介电常数基板的介电常数，混合基板上表面设置有功分信号层，功分信号层包括输入段，输入端口设置在高介电常数基板上，输入段的另一端连通有第一功分支路和第二功分支路，第一功分支路和第二功分支路分别位于高介电常数基板和低介电常数基板上，第一功分支路的线宽大于第二功分支路的线宽
一种等分微带功分器

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN201911252119.7有效
发明人：马雪丽;李永亮;王晓磊;项金娟;杨红;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的沟道层；位于沟道层之上的界面层；位于界面层之上的第一高介电常数材料层；位于第一高介电常数材料层之上的第二高介电常数材料层其中，界面层是通过对包括沟道层和第一高介电常数材料层的第一半导体结构进行原位化学氧化处理形成的，界面层通过钝化沟道层可以降低沟道层与第一高介电常数材料层界面处的界面态密度；同时界面层很稳定，不会扩散进入第一高介电常数材料层，还可以抑制沟道层中的Ge原子扩散进入第一高介电常数材料层，最终获得高质量的包括沟道层、界面层、第一高介电常数材料层和第二高介电常数材料层的第二半导体结构。
一种半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种计算介电常数的方法、装置、电子设备和存储介质-CN202110379976.4有效
发明人：王瑞刚;苏彦;李春来;戴舜 -专利权人：中国科学院国家天文台
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G01S7/41 文献下载
摘要：本公开提供了一种计算介电常数的方法，包括：获取待计算介电常数的物质的雷达数据，并对其进行预处理；根据预处理后的雷达数据绘制雷达剖面图，并从其上的双曲线上选取若干点，获取被选取点的坐标值；对被选取点进行拟合，得到双曲线函数；获取双曲线函数的顶点的坐标值；获取计算介电常数的方程组，将双曲线函数的顶点的坐标值以及被选取点的坐标值带入方程组，计算得到与其对应的介电常数；剔除上述获得的介电常数中的不符合第一预设条件的介电常数，计算剔除后剩余的所有介电常数的平均值，得到待计算物质的介电常数。本公开的方法充分考虑了天线高度和天线距离的影响，通过解方程组获得介电常数，便于后期偏移处理及损耗角正切与密度的计算。
一种计算介电常数方法装置电子设备存储介质

[发明专利]低介电常数材料的测量方法-CN200610156705.8无效
发明人：沈千万 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：公开了一种低介电常数材料的测量方法。在用于除去蚀刻处理后的光致抗蚀剂膜的灰化处理中，因使用氧等离子，低介电常数材料表面受损并变成氧化物。为测量受损的低介电常数材料的厚度，利用光学测量系统初步测量形成于衬底上的低介电常数材料的厚度；利用等离子的灰化工艺对形成低介电常数材料的衬底处理，以使低介电常数材料的表面变成氧化物。灰化处理后，利用无机溶液或有机清洗溶液湿清洗衬底，以除去低介电常数材料中变成氧化物的区域。然后，利用光学测量系统再次测量低介电常数材料的厚度，比较初步测量和再次测量值，以计算氧化物的厚度。由于使用设置在半导体制造装置内的光学测量系统，所以可简单快速地测量受损的低介电常数材料的厚度。
介电常数材料测量方法

[发明专利]介电常数可调的铜互连层间介质之制造方法-CN201310262994.X无效
发明人：曾林华;任昱;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种介电常数可调的铜互连层间介质之制造方法，包括：步骤S1：依次淀积第一阻挡层、低介电常数介质层，以及覆盖层；步骤S2：通过光刻、刻蚀形成介质层沟槽；步骤S3：对介质层沟槽外围的低介电常数介质层进行氧化处理，获得侧壁氧化膜；步骤S4：在介质层沟槽内形成所述铜互连线；步骤S5：湿法刻蚀去除侧壁氧化膜；步骤S6：在低介电常数介质层一侧淀积第二阻挡层，以形成所述空气隔离。本发明通过设置所述介电常数可调的铜互连层间介质，所述介电常数可调的铜互连层间介质具有厚度可调的空气隔离，其介电常数约为1，较传统介质膜之介电常数更低，进而从整体上降低了所述铜互连层间介质的介电常数，改善了半导体器件之性能
介电常数可调互连介质制造方法