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[发明专利]一种LTCC应用的高性能微波介质陶瓷材料及制备方法-CN202310560980.X在审
发明人：王莹;施明安;夏往所;马书杨;宋清润;王嘉宁 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种LTCC应用的高性能微波介质陶瓷材料及制备方法，包括以下步骤：步骤1，将Bi2O3、CeO2按不同的比例进行称量配料，得到化学原料；步骤2，将化学原料混合后球磨；步骤3，将化学原料烘干；步骤4，将粉料过X3目筛；步骤5，将粉料置于坩埚中预烧；步骤6，将化学原料混合，加入球磨罐中球磨；步骤7，将化学原料烘干；步骤8，将粉料过X5目筛；步骤9，在粉料中加入质量百分比为5％的石蜡，置于电阻炉上翻炒均匀，过X5目筛；步骤10，将粉料用粉末压片机压制成型为坯体；步骤11，将坯体进行烧结、保温。本发明所使用的制备工艺稳定，操作成熟；过程无污染，适合工业化生产。
一种 ltcc 应用性能微波介质陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种高Q温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法与应用-CN201910640452.9有效
发明人： 夏往所;唐天良;李福生;邓静瑜;王莹;石礼伟 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种高Q温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法与应用，其化学式为CexY1‑xO1.5+x/2，(x＝0.5，0.75)，式中x为Y的摩尔掺杂量。本发明用固相反应法制备的微波介质陶瓷，其烧结温度为1400～1550℃，密度为5.652～6.054g/cm3，介电常数为19.25～20.46，品质因数为65600～149290GHz，谐振频率温度系数为‑29.8～‑13.52ppm/℃。用该微波介质陶瓷制成的元件不仅具有更稳定的性能和使用寿命，还具有更强的热稳定性以减少信号的传播错误。同时，本发明的制备工艺流程可靠，操作简单，容错率较高，适合工业化生产，具有很高的实际应用价值。
一种温度稳定微波介质陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种低介电常数高性能微波介质陶瓷材料、制备方法及应用-CN201811038898.6有效
发明人： 夏往所;张少波;唐天良;王莹;石礼伟 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电常数高性能微波介质陶瓷材料、制备方法及应用，化学式为SmNbO4‑xMgO，式中x为MgO的摩尔添加量，0.5≤x≤5。本发明通过向SmNbO4陶瓷中添加适量的MgO，利用固相反应制备获得了复相微波介质陶瓷。最终提供了一系列具有低介电常数及高品质因数的微波介质陶瓷材料，该系列陶瓷的烧结温区为1425℃～1550℃，介电常数为13.27～17.87，品质因数为87306GHz～189978GHz。本发明制备工艺操作简单，制备工艺流程可靠，烧结时的可选参数范围较大且可调控，容错率较高；制得的微波介质陶瓷材料介电常数εr在18以下，且品质因数具有了明显的提升，能够应用于制造更高端的微波元件。
一种介电常数性能微波介质陶瓷材料制备方法应用

[发明专利]一种高性能微波介质陶瓷材料、制备方法及应用-CN201710850861.2有效
发明人：王莹;张少波;张澜洋;朱海燕;夏往所;石礼伟 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能微波介质陶瓷材料、制备方法及应用，化学式为Mg₂NdNbO₆。按化学式Mg₂NdNbO₆中各元素的摩尔比分别称量MgO、Nd₂O₃、Nb₂O₅并混合后两次与无水乙醇和锆球混合球磨、烘干、煅烧，最终制成微波介质陶瓷Mg₂NdNbO₆。该材料介电常数为15.7～16.3，有利于微波元器件的小型化；其具有较高的品质因数，可以提升制成的微波元器件的品质、同时降低能量损耗；热稳定性好，拓宽了使用温度的限制，可以用于制作微波元器件，本发明制备过程简单、易于重复操作，能够提升制得成品的合格率，且生产过程中不会对环境造成污染。
一种性能微波介质陶瓷材料制备方法应用

[发明专利]一种Ta₃N₅薄膜的制备方法及Ta₃N₅薄膜的应用-CN201710416513.4有效
发明人：李明雪;李艳;夏往所;韩奎;王洪涛 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C25B11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ta₃N₅薄膜的制备方法，采用金属Ta片先化学腐蚀再氧化氮化的方法制备Ta₃N₅薄膜。本发明还公开了制备的Ta₃N₅薄膜的应用，将该Ta₃N₅薄膜作为光阳极用于太阳能分解水制氢。本发明通过化学腐蚀的引入一方面消除了金属Ta表面的富氧层，从而减少了最终制备的Ta₃N₅薄膜表面的载流子复合中心，减少了光生载流子表面复合；另一方面腐蚀造成金属Ta表面粗糙度增加，从而增加了最终制备的Ta₃N₅薄膜的表面粗糙度和比表面积，增大了电解液和Ta₃N₅薄膜的接触面积。本发明提高了Ta₃N₅薄膜的光吸收效率、光生载流子分离效率及载流子传输效率，Ta₃N₅光阳极的光电流及量子转化效率均有大幅提高。
一种 ta3n5 薄膜制备方法应用

[发明专利]一种中介电常数微波介质陶瓷材料、制备方法及应用-CN201811039570.6在审
发明人：寻之朋;张晓黎;于泽威;夏往所;石礼伟 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明公开了一种中介电常数微波介质陶瓷材料、制备方法及应用，化学式为Mg₂NdTiO_5.5。本发明以MgO、Nd₂O₃、TiO₂作为原料，利用固相反应制备出微波介质陶瓷Mg₂NdTiO_5.5，最终提供了具有中介电常数及较高品质因数的微波介质陶瓷材料，该陶瓷材料的煅烧温区为900～1300℃，烧结温区为1400℃～1550℃，介电常数为24～27，品质因数为7658～15579GHz，性能稳定，能够应用于制造微波元件。本发明的制备工艺操作简单，制备工艺流程可靠、容易实现材料的稳定生产；烧结时的可选参数范围较大且可调控，容错率和良品率较高，大大降低了次品率和总体制造成本，适合工业化生产和大力推广。
微波介质陶瓷材料制备中介电常数烧结温区应用微波介质陶瓷高品质因数固相反应介电常数可选参数品质因数陶瓷材料微波元件稳定生产制备工艺制造成本工艺流程次品率可调控良品率容错率煅烧制造

[发明专利]一种高性能微波介质陶瓷材料的制备方法-CN201510196581.5有效
发明人：仇亮;左泽文;金飞;石礼伟;夏往所 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2015-04-23 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能微波介质陶瓷材料的制备方法，先将化学原料ZnO、ZrO2、Nb2O5按化学计量式ZnZrNb2O8称量配料，再经过球磨、烘干，外加6～10wt％的石蜡，碾匀后过筛，压制成型为坯体，于1075～1225℃烧结，制成微波介质陶瓷材料。本发明在传统固相反应法的基础上，优化了制备工艺，其介电常数为22.13～27.21，品质因数(Q×f)为37,000～75,000GHz，减少了二次球磨和煅烧工艺，缩短了工艺周期，节约了资源，且过程无污染，具有广阔的应用前景。
一种性能微波介质陶瓷材料制备方法

[发明专利]一种中介电常数温度稳定型微波介质陶瓷及其制备方法-CN201610373041.4在审
发明人：石礼伟;金飞;张少波;张澜洋;夏往所;王莹 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种中介电常数温度稳定型微波介质陶瓷及其制备方法，以MgO、ZrO₂、Ta₂O₅、CuO为原料，目标合成物表达式为MgZrTa₂O₈，外加质量百分比为0.5～2.0％的CuO。先经配料、球磨、烘干、过筛，于1000℃煅烧，合成前驱体；再将前驱体碾匀后，外加CuO；再经球磨罐、烘干、过筛，外加入质量百分比为10％的石蜡，再搅拌均匀、过筛、压力成型为坯体；再于1300～1425℃烧结，制得中温烧结中介电常数温度稳定型微波介质陶瓷。本发明有效降低了MgZrTa₂O₈微波介质陶瓷的烧结温度(1325～1425℃)，具有中介电常数、近零的谐振频率温度系数，制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
一种介电常数温度稳定微波介质陶瓷及其制备方法

[发明专利]中介电常数高品质因数微波介质陶瓷材料及其制备方法-CN201410555791.4无效
发明人： 夏往所;王莹;石礼伟;张国营;黄逸佳 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种中介电常数高品质因数微波介质陶瓷材料，其化学式为：MgZrTa₂O₈；先将原料MgO、ZrO₂、Ta₂O₅按化学计量式称量配料；再经球磨、烘干、过筛后，于1000℃煅烧合成前驱体；再经球磨、烘干、过筛后，加入石蜡于电阻炉上碾匀，压制成坯体；坯体于1400～1525℃烧结，制成微波介质陶瓷。本发明介电常数为14～23，品质因数为7,900～132,000GHz，谐振频率温度系数为-27～-46×10^-6/℃，制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。
介电常数品质因数微波介质陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]具有磁电共振特征的颗粒型复合陶瓷材料-CN201210507045.9有效
发明人：李玲霞;韩叶梅;夏往所;张明名 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-11-29 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有磁电共振特征的颗粒型复合陶瓷材料，其化学式为：(100-x)NaNbO3-xNiFe2O4，其中NiFe2O4的摩尔量为x=15～45；以Na2CO3、Nb2O5、NiO和Fe2O3为原料，采用固相法，经配料、球磨、于900~1150℃预烧，再经压制成型，于1100℃~1200℃烧结。本发明具有均匀性好、粗糙度小、无微裂纹，性能稳定，且具有良好的电学性能、磁性能及磁电效应等优点，在谐振频率获得较大的磁电耦合系数，可用于制造集成的多功能磁/电器件，且制备工艺简单，无毒，污染小，具有广泛的应用领域。
具有磁电共振特征颗粒复合陶瓷材料

[发明专利]低温烧结锂锌钛系微波介质陶瓷及其制备方法-CN201210381309.0无效
发明人：张平;王月;华燕波;夏往所;李玲霞 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-10-09 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温烧结锂锌钛系微波介质陶瓷，由Li2ZnTi3O8-mwt%MBS组成，其中，0≤m≤5，m为外加烧结助剂的质量百分比；所述MBS为42wt%MgO-45wt%B2O3-13wt%SiO2。先按Li2CO3、ZnO、TiO2摩尔比配料，经球磨、烘干、900℃预烧、再加入烧结助剂二次配料、最后于860～940℃烧结，制得微波介质陶瓷。本发明成功地将烧结温度降至900℃，同时保持了其优异的微波介电性能，并且制备工艺简单、无污染，可应用于LTCC相关领域。
低温烧结锂锌钛系微波介质陶瓷及其制备方法

[发明专利]以氧化铜为添加剂降低铌酸钕微波介质陶瓷烧结温度的方法-CN201210352791.5无效
发明人：张平;宋振坤;王涛;夏往所;李玲霞 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C04B35/63 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过CuO掺杂改善NdNbO4系烧结温度微波介质陶瓷，由NdNbO4-m wt%组成，其中，0
氧化铜添加剂降低铌酸钕微波介质陶瓷烧结温度方法

[发明专利]具有磁介电效应的多铁性复合材料及其制备方法-CN201210349938.5无效
发明人：李玲霞;韩叶梅;夏往所;任翔 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有磁介电效应的多铁性复合陶瓷材料，其化学式为NaNbO3-NiFe2O4，摩尔比为1:1；以Na2CO3、Nb2O5、NiO和Fe2O3为原料，采用固相法，经配料、球磨、于900~1150℃予烧，再经压制成型，于1100℃~1200℃烧结。本发明具有均匀性好、粗糙度小、无微裂纹，性能稳定，且具有良好的电学性能、磁性能及磁介电效应等优点，可用于制造集成的多功能磁/电器件，且制备工艺简单，无毒，污染小，具有广泛的应用领域。
具有磁介电效应多铁性复合材料及其制备方法

[发明专利]介电可调的铌酸铅薄膜材料-CN201210261592.3无效
发明人：李玲霞;宁平凡;董和磊;张晓宇;夏往所 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： C04B41/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电可调的铌酸铅薄膜材料，其化学式及摩尔含量为：PbxNb2O5+x其中x=1.05～1.35。制备方法为：首先制备铅和铌的柠檬酸水溶液，再于该溶液中加入乙二醇，得前驱体溶胶；再将前躯体溶胶滴在基片上，经匀胶，干燥，热处理，重复制备多层薄膜，再于500~700℃热处理0.5~2h，得到介电可调的铌酸铅介质薄膜。本发明的综合性能优于目前研究最广泛的BST薄膜和BZN薄膜，其介电常数为350~440，介电损耗为0.005～0.0007，500kV/cm偏压下的调谐率为25%～30%，优值≥100；本发明的方法具有精确控制薄膜化学组分的优点；本发明工艺简单、成本低廉、具有良好的应用前景。
可调铌酸铅薄膜材料

[发明专利]中介电常数低损耗的微波介质陶瓷-CN201210256690.8有效
发明人：李玲霞;夏往所;张明名;国栋;王鸣婧 -专利权人：天津大学
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种中介电常数低损耗的微波介质陶瓷，其化学式为：Zn(Ta0.8Sb0.2)2O6。本发明通过向ZnTa2O6陶瓷中添加Sb2O3，从而获得复相微波介质陶瓷。提供了一种在相对较低的烧结温度下，具有中等的介电常数、较高的品质因数及稳定的温度系数的微波介质陶瓷材料。其烧结温度为1225~1275℃，介电常数为25~29，品质因数为65,000~120,000GHz，谐振频率温度系数为23~28×10-6/℃。该微波介质陶瓷材料的制备工艺简单，过程无污染，能够满足在高性能微波器件中应用的要求，具有广阔的应用前景。
介电常数损耗微波介质陶瓷

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