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[发明专利]一种温度稳定型高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法和应用-CN201810072931.0有效
发明人：王丹;吉岸;王晓慧;金镇龙 -专利权人：无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种温度稳定型高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法和应用。base:Sub>Zr2O7的物质，其中0.95≤x≤1；所述微波介质陶瓷的谐振频率温度系数为15～160ppm/℃，相对介电常数为TiO3固溶体，或与Nd2Zr2O7复配而成，相对介电常数可达到190～208，远高于现有技术中微波介质陶瓷介电常数水平，且具有较低的损耗和15～160ppm/℃的谐振频率温度系数，绿色无污染，能适应微波器件日渐小型化的需求。
一种温度稳定介电常数微波介质陶瓷及其制备方法应用

[发明专利]一种介电常数感测装置、系统及方法-CN202010354582.9有效
发明人：曹新亮;董军堂;杨红霞;任新成;杨鹏举;赵娜;骆守宇 -专利权人：延安大学
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种介电常数感测装置、系统及方法。介电常数感测系统包括介电常数感测装置、调理部分和数据处理部分。先将被测物质放入介电常数感测装置中，用于将被测物质的介电常数转换为电容值，调理部分对电容值做放大和去噪处理后，将电容值转换为频率值。数据处理部分对频率值执行测量校准：以分段线性化的数据处理方法建立频率与介电常数的对应关系，通过频率到介电常数的转换实现被测物质介电常数的测量，得到经测量校准后的被测物质的介电常数。本发明能够实现纯的或含杂质的固体、液体及粉末颗粒的介电常数的快速准确测量。
一种介电常数装置系统方法

[发明专利]介电常数增强的磁共振成像(MRI)和磁共振波谱(MRS)-CN202280003467.4在审
发明人：王敬华;汪孔桥;鲁礼云 -专利权人：泽璞公司;安徽华米健康科技有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G01R33/48 文献下载
摘要：公开了介电常数增强的磁共振成像(MRI)和磁共振波谱(MRS)。接收包括介电常数材料的介电常数设备(402)。介电常数材料包括一种或多种类型的高介电常数材料。介电常数设备(402)被配置为放置在待成像的感兴趣区域(404)附近或内部，从而改变感兴趣区域(404)周围或内部的局部存储电磁能量分布。然后获取包括感兴趣区域(404)的MRI图像。MRI系统(400)包括射频线圈和包括一种或多种类型的高介电常数材料的介电常数设备(402)。介电常数设备(402)被配置为放置在待成像的感兴趣区域(404)附近或内部。
介电常数增强磁共振成像 mri 波谱 mrs

[发明专利]一种不规则非均匀介质体雷达散射截面的计算方法-CN202110632551.X有效
发明人：侯牡玉;叶嘉伟;王瑜;弓树宏;贺钊;暴雅婷 -专利权人：西安电子科技大学;中国电子科技集团公司第二十研究所
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：一种不规则非均匀介质体雷达散射截面的计算方法，步骤如下：建立目标介质体模型，确定目标介质体模型的介电常数空间分布；基于目标介质体的最大介电常数对目标介质体模型进行网格剖分；生成目标介质体模型的介电常数采样点，由介电常数空间分布得到介电常数采样点对应的介电常数值，提取每个剖分单元的顶点坐标，将每个剖分单元的各顶点和目标介质体模型中每个介电常数采样点进行遍历，确定每个剖分单元内的介电常数采样点，将每个剖分单元的所有介电常数采样点的介电常数值求平均，得到的平均值即为该剖分单元的介电常数值；采用矩量法计算目标介质体的雷达散射截面。
一种不规则均匀介质雷达散射截面计算方法

[发明专利]一种确定吸波材料介电常数的方法-CN202310227024.X有效
发明人：孟凡彬;李金哲;徐正康;李佳桐;李天;支丹丹 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种确定吸波材料介电常数的方法，所述介电常数包括理想吸收介电常数和/或有效吸收介电常数，所述方法包括以下步骤：构建介电常数数据库；分别在最佳吸收性能和有效吸收性能的约束条件下，对所述介电常数数据库进行组合筛选，获得理想吸收的介电常数解和有效吸收的介电常数范围解；建立拟合模型一和拟合模型二，分别在定厚度与定频率条件下进行拟合操作，并在无穷大位置处添加附加约束点来优化拟合结果，以此确定两个拟合模型的待定系数；根据确定待定系数后的拟合模型，即可确定吸波材料的理想吸收介电常数和有效吸收介电常数。本发明能够更快、更准确地确定吸波材料的介电常数，为吸波材料的研发设计提供技术支持。
一种确定材料介电常数方法

[发明专利]超低介电常数层的制作方法-CN201110193824.1无效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低介电常数层的制作方法，该方法包括：在硅片的金属层上沉积低介电常数层，采用光刻方式在所述低介电常数层上形成具有沟槽和通孔的图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述低介电常数层，形成沟槽和通孔；湿法清洗去除光刻胶层后，在沟槽和通孔沉积金属后，抛光金属至所述低介电常数层表面，在所述低介电常数层中形成金属连线；对所述低介电常数层采用紫外光照射，形成超低介电常数层；在具有金属连线的所述低介电常数层上沉积第二金属阻挡层后本发明可以防止所制作的超低介电常数层中的介电常数材料的迁移。
介电常数制作方法

[发明专利]超低介电常数层的制作方法-CN201110193916.X有效
发明人：周鸣;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低介电常数层的制作方法，该方法包括：在硅片的金属层上沉积低介电常数层，采用光刻方式在所述低介电常数层上形成具有沟槽和通孔的图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述低介电常数层，形成沟槽和通孔；湿法清洗去除光刻胶层后，在沟槽和通孔沉积金属后，抛光金属至所述低介电常数层表面，在所述低介电常数层中形成金属连线；对所述低介电常数层采用紫外光照射，形成超低介电常数层。本发明可以防止所制作的超低介电常数层中的介电常数材料的迁移。
介电常数制作方法

[发明专利]一种识别岩土体介电常数温度效应的方法及系统-CN202310882659.3有效
发明人：蒋小伟;欧阳恺皋;吴业楠;唐旭霖;闫宏彬 -专利权人：中国地质大学（北京）
申请日： 2023-07-19 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种识别岩土体介电常数温度效应的方法及系统，方法包括：获取若干时间点监测的岩土体介电常数信号值，构建岩土体介电常数时间序列数据集；对所述岩土体介电常数时间序列数据集进行傅里叶变换，得到所述岩土体介电常数时间序列数据集在不同频率下的频谱提取结果图；基于所述频谱提取结果图，识别温度效应对岩土体介电常数的影响。本发明弥补了现有技术中无法有效识别岩土体介电常数中温度效应的不足，高效、准确地识别岩土体介电常数监测过程中温度效应的影响，提升监测的岩土体介电常数的可靠性。
一种识别岩土介电常数温度效应方法系统

[发明专利]基于Dobson介电模型的改进土壤半经验介电模型的计算方法-CN202211062398.2有效
发明人：靳潇;高晓清;余晔;李振朝;罗斯琼 -专利权人：中国科学院西北生态环境资源研究院
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：:Italic>和土壤水电导率σeff、纯水的静态介电常数base:Sub>、土壤水中强结合水比例Dbw、结合水介电常数温度函数的实部>和虚部B"T；⑵确定自由水复介电常数的实部base:Italic>"fb；⑷确定土壤水整体的复介电常数的实部Italic>和虚部ε"w；⑸确定土壤复介电常数的实部
基于 dobson 模型改进土壤经验计算方法

[发明专利]低介电常数的介电薄膜的形成方法-CN200610127039.5有效
发明人：林耕竹;周家政;叶明灵 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-09-21 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种低介电常数的介电薄膜的形成方法，包括形成一多孔低介电常数的介电薄膜于半导体基底上的方法。导入活性键结于多孔低介电常数的介电薄膜之中，以改善低介电常数的介电薄膜的损失电阻及化学完整性，进而在经过后续的制程后，保持低介电常数的介电薄膜的低介电常数。进行活性键结的导入方式可以是通过导入氢氧及/或氢基团于多孔低介电常数的介电薄膜的孔隙内，在以硅为主的低介电常数的介电薄膜的一实施例中，可产生硅－氢氧(Si－OH)及/或硅－氢(Si－H)活性键结。在更进一步处理低介电常数的介电薄膜之后，从低介电常数的介电薄膜内移除活性键结。本发明所述的方法改善了损失电阻及介电常数稳定性。
介电常数薄膜形成方法

[实用新型]一种实时修正介电常数的电容式液位计-CN201320615695.5有效
发明人：蔡睿;周磊;耿卫国;管理;朱子环;段文浩;周文怡;宋绪勇;方俊雅;田源;李琪琪;贾洁;蒋宇 -专利权人：北京航天试验技术研究所;北京航天峰光电子技术有限责任公司
申请日： 2013-10-07 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： G01F23/26 文献下载
摘要：本实用新型公开一种实时修正介电常数的电容液位计，该液位计包括外管、内管、两个隔离环和控制器；其中外管由液位外管及通过隔离环分别同轴连接在液位外管两端的气相外管和液相外管组成；由此形成三个电容传感器，位于底端的液相介电常数传感器，用来实时测量液相介质的介电常数；位于顶端的气相介电常数传感器，用来实时测量气相介质的介电常数。在实时液位测量过程中，在底端的液相介电常数传感器可以换算出此时刻被测液体的介电常数；在顶端的气相介电常数传感器可以换算出此时刻液体上方气体的介电常数。再通过气相液相的真实介电常数计算能够得到真实的液位，排除因为温度压力等环境影响改变介电常数，对液位测量的影响。
一种实时修正介电常数电容式液位计

[发明专利]一种修正PCB介电常数模型的建立方法和修正方法及修正系统-CN202010844533.3在审
发明人：张利华;刘诗涛;李一峰 -专利权人：深南电路股份有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及PCB介电常数领域，具体涉及一种修正PCB介电常数模型的建立方法和修正方法及修正系统。所述建立方法包括步骤：通过阻抗测试获取PCB样品的介电常数测试结果；获取对应PCB样品阻抗线的实际参数，并根据实际参数获取介电常数反推结果；根据多个PCB样品的介电常数测试结果和介电常数反推结果的修正关系，建立修正PCB介电常数的修正模型。发明的有益效果在于，与现有技术相比，本发明建立修正模型，并将后续需要获取修正后介电常数的PCB的相关参数数据，输入至修正模型中，直接快捷方便获取所述PCB的已修正后的介电常数；同时，提供修正的准确性。
一种修正 pcb 介电常数模型建立方法系统

[发明专利]具有多层高介电常数薄膜的介电层的制造方法-CN200710195393.6无效
发明人：余振华;姚亮吉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明是有关于一种具有多层高介电常数薄膜的介电层的制造方法，其包括以下步骤：(a)形成一高介电常数薄膜于一基底上；(b)以等离子体氮化该高介电常数薄膜；(c)重复步骤(a)，形成另一高介电常数薄膜于先前形成的该高介电常数薄膜上；(d)重复步骤(b)，氮化最后形成的高介电常数薄膜。本发明以逐层氮化以及逐层回火的方式，将氮离子掺杂至多层高介电常数薄膜之中。
具有多层介电常数薄膜介电层制造方法

[发明专利]基于模匹配的单端口同轴线式复介电常数测量装置及方法-CN201310039847.6有效
发明人：申发中;冉立新 -专利权人：浙江大学
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于模匹配的单端口同轴线式复介电常数测量装置及方法。通过矢量网络分析仪测量待测物质填充的传感装置的反射系数，然后经过数据处理，反演得到物质的复介电常数。
基于匹配端口同轴线介电常数测量装置方法

[发明专利]一种沥青混凝土复介电常数确定方法-CN202210849764.2有效
发明人：陈嘉祺;陈星早;石柱;杨春会;罗振宇;陈宇哲;沈雪浩 -专利权人：中南大学;湖南路桥建设集团有限责任公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：一种沥青混凝土复介电常数确定方法，包括以下步骤：1：通过骨料数据库，在离散元软件中，按级配生成沥青混凝土模型；2：采用重整化的方法，将模型分为基质、粗骨料、空气和水，并生成文档；3：在电磁仿真软件中建立电磁波频域模型对模型设置电磁波端口及边界条件；6：对模型进行网格划分；7：设置研究的求解器起始频率、停止频率和步长；8：对研究进行计算，得到S参数随频率变化的曲线图，输出S参数的复数形式；9：根据S参数反算沥青混凝土的复介电常数
一种沥青混凝土介电常数确定方法

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