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[发明专利]动态随机存取存储器电容器及其制备方法-CN202011349123.8在审
发明人：陈卓;王盈智;王士欣 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：其中，DRAM电容器包括介电层，所述介电层包括：高介电材料层；和低介电损耗材料层，设置在所述高介电材料层两侧表面。本发明的DRAM电容器的介电层包括高介电材料层和设置在高介电材料层两侧表面的低介电损耗材料层，高介电材料层可以提高介电层的介电常数，使其具有更好的介电性能；两侧表面设置的低介电损耗材料层可以有效解决高介电材料层的介电损耗，从而实现介电层的高介电常数和低介电损耗的目的。
动态随机存取存储器电容器及其制备方法

[发明专利]一种低介电损耗铁铌酸钡陶瓷的制备方法-CN201110127263.5无效
发明人：杨海波;林营;朱建锋;王芬 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种低介电损耗铁铌酸钡陶瓷的制备方法，取分析纯的BaCO3、Fe2O3和Nb2O5球磨4后烘干，过筛，压块，预烧，得低介电损耗铁铌酸钡粉体；取分析纯的BaCO3和TiO2球磨后烘干，过筛，压块，预烧得低介电损耗铁铌酸钡粉体；将BaFe0.5Nb0.5O3和BaTiO3粉体混合均匀后加入PVA粘合剂得低介电损耗铁铌酸钡的混合粉末；将混合粉末按需要压制成型，烧结得到低介电损耗铁铌酸钡陶瓷。本发明制备的低介电损耗铁铌酸钡陶瓷的具有巨介电常数和非常低的介电损耗，1kHz时介电常数为13300～21000，介电损耗为0.14～0.32。该低介电损耗铁铌酸钡陶瓷可以在1350℃的条件下烧结。该低介电损耗铁铌酸钡陶瓷的制备工艺简单。
一种低介电损耗铁铌酸钡陶瓷制备方法

[发明专利]球状二氧化硅粉末-CN202080023678.5在审
发明人：冈部拓人;深泽元晴 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2020-01-30 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：本发明提供一种介电损耗角正切低的球状二氧化硅粉末。更详细而言，本发明提供一种球状二氧化硅粉末，其配合于树脂而成型为片状后，由通过空腔谐振器法在频率35～40GHz的条件下测定的该片材的介电损耗角正切计算的球状二氧化硅粉末的介电损耗角正切中，将介电损耗角正切降低处理前的球状二氧化硅粉末的介电损耗角正切设为A，将介电损耗角正切降低处理后的球状二氧化硅粉末的介电损耗角正切设为B时，B/A为0.70以下，介电损耗角正切降低处理后的球状二氧化硅粉末的比表面积为1～30m2
球状二氧化硅粉末

[发明专利]一种FCCL材料介电指标一致性和稳定性验证方法-CN202310111491.6在审
发明人：吴军;阎德劲;敖辽辉;王苏静;何来发;刘国汉 -专利权人：中国电子科技集团公司第十研究所
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术领域，具体公开了一种FCCL材料介电指标一致性和稳定性验证方法，包括以下步骤：FCCL材料准备，并在FCCL材料制作多组相同的谐振环及馈线，形成多组测试单元；在室温、常规湿度条件下测试和计算各测试单元的介电常数、介电损耗指标；根据测试得到的介电常数、介电损耗指标数据分别计算出介电常数、介电损耗指标的标准偏差；测试单元进行湿热试验；测试和计算各测试单元的介电常数、介电损耗指标，分别计算出介电常数和介电损耗指标的标准偏差；对比各测试单元在湿热试验前后的介电常数和介电损耗指标的标准偏差变化；本发明能够对于FCCL材料介电常数及介电损耗指标一致性、稳定性的验证。
一种 fccl 材料指标一致性稳定性验证方法

[发明专利]一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法-CN201510136852.8有效
发明人：叶枫;张标;高晔;刘仕超;刘强;刘立盟 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C08L79/04 文献下载
摘要：一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法，它涉及一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的高介电常数陶瓷/树脂复合材料的介电损耗高并且工艺复杂的问题，本发明的制备方法一、微波介质陶瓷多孔预制体的制备；二、陶瓷/树脂复合材料的制备，得到高介电常数、超低介电损耗陶瓷本发明制备的高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料具有更高的介电常数和超低的介电损耗，介电常数处于6.32至24.96之间，介电损耗均低于4.9×10‑3。
一种介电常数超低介电损耗陶瓷树脂复合材料制备方法

[发明专利]一种介电损耗芳纶纸、吸波蜂窝及制备方法-CN202011400692.0在审
发明人：赵宏杰;张昊;赵英民;江明;王志新;季文忠;宫元勋;马向雨;王峰 -专利权人：航天特种材料及工艺技术研究所
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： D21F11/00 文献下载
摘要：本发明提出一种介电损耗芳纶纸、吸波蜂窝及制备方法，属于功能材料技术领域，该介电损耗芳纶纸包括芳纶纸和混杂在芳纶纸中的碳纤维，碳纤维长度为2～16mm，且小于所需吸收的电磁波波长的四分之一，碳纤维质量占介电损耗芳纶纸总质量的本发明在造纸环节将特定长度、特定含量的导电纤维混杂到芳纶纸内部获得介电损耗芳纶纸，采用本发明介电损耗芳纶纸制备的吸波蜂窝具有介电常数稳定并且调控范围大、介电损耗高、力学性能高、密度低等优点。
一种损耗芳纶纸蜂窝制备方法

[发明专利]低介电损耗复合弹性介电材料的制备方法-CN201810166030.8在审
发明人：胡玲 -专利权人：佛山慧创正元新材料科技有限公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： C08L23/06 文献下载
摘要：本发明公开了低介电损耗复合弹性介电材料的制备方法，该工艺将钛酸镁、砷化钾、山梨醇、乙基己基甘油、聚二甲基硅氧烷、聚四氟乙烯、聚乙烯、苯乙烯、丁二烯、二氧化钛、天然橡胶、酚醛树脂等原料分别经过超声分散、离心洗涤、干燥、分步真空高温反应、冰浴降温、加压密炼、挤出造粒、塑型、包装等步骤制备得到低介电损耗复合弹性介电材料。制备而成的低介电损耗复合弹性介电材料，其介电性能好、损耗低、同时材料弹性大，可以满足多种用户的特殊需求。
低介电损耗复合弹性介电材料制备聚二甲基硅氧烷聚乙烯乙基己基甘油聚四氟乙烯材料弹性超声分散二氧化钛酚醛树脂挤出造粒加压密炼介电性能离心洗涤天然橡胶真空高温苯乙烯丁二烯山梨醇砷化钾钛酸镁冰浴塑型

[发明专利]具有低介电损耗的电介质的制造方法及据此制造的电介质-CN201910958668.X在审
发明人：郑盛允;安志祥 -专利权人：韩国科学技术院
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够制造因温度导致的介电特性变动窄、不同频率下的介电特性不变、具有低介电损耗的低介电损耗的频率不变的电介质的电介质的制造方法及据此制造的电介质。
具有低介电损耗电介质制造方法据此

[发明专利]用于触头模块堆叠体的接地触头模块-CN201710105922.2有效
发明人： T.T.德博尔;M.J.菲利普斯;J.J.康索利;S.帕特尔;B.A.钱皮恩;L.E.希尔兹 -专利权人：泰连公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01R13/648 文献下载
摘要：一种接地触头模块(154)，包括保持接地引线框架(170)的接地介电本体(172)，所述接地介电本体具有至少两个接地触头(174)。所述接地介电本体具有包覆模制在所述接地引线框架上的低损耗层(180)，以及电耦合到所述至少两个接地触头的有损耗带(182)。所述有损耗带(182)与所述低损耗层独立且分离，且在所述至少两个接地触头附近附接到所述低损耗层。所述有损耗带由在介电粘合剂材料中具有导电颗粒的有损耗材料制造，其中所述有损耗带吸收通过所述接地触头模块传播的电谐振。
用于模块堆叠接地

[发明专利]一种基于极化损耗和电导损耗的油纸绝缘含水量评估方法-CN201710796693.3有效
发明人：姜海波;刘昌宏;陆承虎;杜林;冉鹂蔓;杨峰 -专利权人：贵州电网有限责任公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于极化损耗和电导损耗的油纸绝缘含水量评估方法，它包括：步骤1、频域介电谱测试准备；步骤2、求解满足频域介电谱匹配要求的油浸绝缘纸板扩展德拜模型的相关参数，从而完成油浸绝缘纸板频域介电谱测试的解谱；步骤3、基于油浸绝缘纸板频域介电谱复电容测试解谱结果，计算油浸绝缘纸板的电导损耗及极化损耗；步骤4、根据电导损耗及极化损耗分别作出电导损耗和极化损耗的频率曲线，并得到两曲线交点频率，通过极化损耗和电导损耗频率曲线的交点频率来计算油浸绝缘纸板的含水量；解决了现有技术基于理化性质的油纸绝缘含水量评估方法可靠性不足，而时域介电响应技术测量频带窄且受环境干扰显著等问题。
一种基于极化损耗电导油纸绝缘含水量评估方法

[发明专利]低介电非晶质二氧化硅粉体及其制造方法、浆料、树脂组合物、预浸料、印刷布线板-CN202310079578.X在审
发明人：糸川肇;田口雄亮;野村龙之介;浦中宗圣 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明提供介电损耗角正切非常小的低介电非晶质二氧化硅粉体、表面处理低介电二氧化硅粉体；凝聚少的二氧化硅浆料；能够兼顾拉伸强度和介电损耗角正切的含二氧化硅的树脂组合物；以及含二氧化硅的预浸料和印刷布线板。低介电非晶质二氧化硅粉体，其为使用VMC二氧化硅的低介电非晶质二氧化硅粉体，其中，平均粒径为0.1～1.5μm，比表面积为1.5～20m2/g，碱金属和碱土类金属的合计含量为700ppm以下，硅烷醇量为100ppm以下，比重为2.2，介电损耗角正切在10GHz下为0.0007以下，(40GHz的介电损耗角正切)/(10GHz下的介电损耗角正切)为2.0以下。
低介电非晶质二氧化硅及其制造方法浆料树脂组合预浸料印刷布线

[发明专利]用于电磁干扰(EMI)应用的高介电损耗复合材料-CN201780067669.4有效
发明人：迪潘克尔·高希 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明描述了用于电磁干扰(EMI)应用的高介电损耗复合材料。所述复合材料包含分布在低介电损耗基质材料中的高负载水平陶瓷颗粒，该低介电损耗基质材料在0.01GHz至100GHz的频率范围内具有在约0.0001至约0.004范围内的介电损耗角正切。所述复合材料在高频范围内表现出介电吸收体特性。
用于电磁干扰 emi 应用高介电损耗复合材料

[发明专利]光学玻璃材料的相对介电常数和介电损耗的测试方法-CN202210460349.8在审
发明人：蒋子安;刘惠芳 -专利权人：成都光明光电股份有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明提供一种光学玻璃材料的相对介电常数和介电损耗的测试方法，该方法包括以下步骤：1)将光学玻璃材料样品制备成直径均匀的圆柱形杆状材料；2)重入式同轴腔测试设备空腔校准和系统校准；3)在重入式同轴腔测试设备内的测试空腔中放入待测光学玻璃材料样品，进入相对介电常数和介电损耗的测试过程，得到相对介电常数ε测ˊ和介电损耗ε测"的数据；4)对相对介电常数ε测ˊ、介电损耗ε测"进行修正得到相对介电常数εˊ、介电损耗ε"。本发明测试光学玻璃材料的相对介电常数的测量误差1.5％，介电损耗的测量误差20％，能很好地降低光学玻璃材料的测量误差，使测量结果更能体现光学玻璃材料的介电性能。
光学玻璃材料相对介电常数损耗测试方法

[发明专利]一种无卤阻燃低介电损耗玻纤增强聚丙烯材料-CN202011413922.7有效
发明人：许宏武;姚跃;陈旭东 -专利权人：广东聚航新材料研究院有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种无卤阻燃低介电损耗玻纤增强聚丙烯材料，属于高分子材料技术领域。本发明所述无卤阻燃低介电损耗玻纤增强聚丙烯材料包括以下重量份的组分：聚丙烯树脂35～80份、低介电损耗玻纤10～40份、无卤阻燃剂1～4份；所述低介电损耗玻纤在4～4.5GHz频率下的介电损耗为4×10该产品通过在聚丙烯树脂中加入特定含量的无卤阻燃剂以及特定介电损耗系数的玻纤材料，不仅可有效保留聚丙烯树脂原有的力学机械性能，使材料的介电损耗较低，还提高了材料的热变形温度和阻燃性，满足其在电子产品领域的高使用要求
一种阻燃低介电损耗增强聚丙烯材料

[发明专利]纳米氧化锆材料、其制备方法及应用-CN202010351108.0有效
发明人：宋锡滨;赵莎;王军;焦英训 -专利权人：山东国瓷功能材料股份有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：该纳米氧化锆材料在20GHz的介电常数为18.01～19.97，介电损耗角正切为0.0008～0.0027；在28GHz的介电常数为18.46～21.27，介电损耗角正切为0.0012～0.0035；在39GHz的介电常数为18.73～23.88，介电损耗角正切为0.0041～0.0078；在65GHz的介电常数为19.75～25.35，介电损耗角正切为0.0031～0.0073；在70GHz的介电常数为20.68～26.26，介电损耗角正切为0.0043～0.0080。该纳米氧化锆材料介电性能优良，适用于5G通讯消费电子介质基板、手机背板、指纹识别等应用领域，是一种能够在毫米波频段应用的陶瓷材料。
纳米氧化锆材料制备方法应用

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