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[发明专利]多孔半导体层形成材料-CN200680018659.3有效
发明人：筱原祐治 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2006-04-14 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明的目的是提供半导体层形成材料，从所述半导体层形成材料可以制造具有高载流子运输能力的半导体层，提供形成半导体元件的方法，所述半导体元件具有高载流子运输能力的半导体层，提供由半导体元件制造方法形成的半导体元件，提供装备有所述半导体元件的电子装置，并提供具有高可靠性的电子设备。所述半导体层形成材料包括半导体材料、各自具有许多孔隙的多孔颗粒、和分散介质，其中所述半导体材料以至少一部分半导体材料填充在多孔颗粒孔隙中的状态存在于半导体层形成材料中。根据所述半导体层形成材料，可以形成和制造具有高载流子运输能力的半导体层。
多孔半导体形成材料

[发明专利]一种半导体生产设备的产能管理方法、系统及设备-CN202210101541.8在审
发明人：王晓;宁泽宇;朱志翔 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体生产设备的产能管理方法、系统及设备，用以提高估算半导体生产设备产能的准确性。本申请预先将所述半导体生产设备进行划分，使得所述半导体生产设备包括至少一个主生产模块，以及至少一个子生产模块，本申请提供的所述半导体生产设备的产能管理方法包括：获取所述主生产模块的数量和状态，以及所述子生产模块的数量和状态；根据所述主生产模块的数量和状态，以及所述子生产模块的数量和状态，确定所述半导体生产设备的生产效率；其中，所述状态具体是指处于工作状态或停机状态。
一种半导体生产设备产能管理方法系统

[实用新型]一种高洁净度半导体晶圆自动装载设备-CN201921598701.4有效
发明人：郭聪;魏猛;张爽 -专利权人：沈阳芯达半导体设备有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高洁净度半导体晶圆自动装载设备，高洁净度半导体晶圆自动装载设备主要由密封闸板组件、承片台组件及框架组件三大部分组成。高洁净度半导体晶圆自动装载设备的框架与半导体工艺设备连接固定，片盒放置在承片台组件通过密封闸板组件自动进出半导体工艺设备。高洁净度半导体晶圆自动装载设备在晶圆进出设备过程中起到在高洁净环境下全自动进出的作用，确保晶圆在此过程中不受污染，提高工艺标准，提高成品良率。
一种洁净半导体自动装载设备

[发明专利]用于控制半导体晶片温度的方法和设备-CN201980063482.6在审
发明人：格雷戈尔·埃里奥特;埃里克·汤尼斯;保罗·哈里森;马克·拜里 -专利权人：美特拉斯有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G01G23/00 文献下载
摘要：一种半导体晶片质量计量方法包含：通过下述方式控制半导体晶片温度；检测与所述半导体晶片温度相关的信息；以及基于检测到的与所述半导体晶片的温度相关的所述信息来控制所述半导体晶片的冷却或加热；其中控制所述半导体晶片的冷却或加热包含控制所述半导体晶片的所述冷却或加热的持续时间；以及接下来将所述半导体晶片装载至半导体晶片质量计量设备的测量区域上。
用于控制半导体晶片温度方法设备

[发明专利]借助发光测量功率电子部件的冷却路径的热退化的设备-CN201880043432.7在审
发明人： J·霍默特;J·温克勒 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：提出一种用于电能变换的设备(10)，设备包括至少一个进行连接的半导体构件(100)，用于冷却所述半导体构件(100)的冷却路径和用于确定冷却路径的退化的设备(200)，用于确定冷却路径的退化的设备基于流动通过构件的具有预先确定的电流强度的电流进行确定所述设备(10)的特征在于，半导体构件(100)包括光学活性的半导体材料，当具有所述预先确定的电流强度的电流流过半导体构件(100)时，光学活性的半导体材料产生具有与半导体构件的温度相关的亮度的光，并且用于确定退化的设备设备具有以下优点：用于确定所述退化的设备和构件固有地电隔离，并且能够以高的分辨率实现退化的确定。
借助发光测量功率电子部件冷却路径退化设备

[发明专利]一种半导体照明设备-CN201711224925.4在审
发明人：刘汉平;刘林峰;刘燕;米玖帆 -专利权人：湖南正美光电科技有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体照明设备，包括半导体光源容置腔和电源容置腔，半导体光源容置腔内设置半导体光源，半导体光源容置腔设置散热部，散热部由多组散热鳍片组成，电源容置腔内安装驱动电源，半导体光源容置腔的第一侧面为出光面，第一侧面的背面为第二侧面，所述电源容置腔与所述半导体光源容置腔的第二侧面通过连接结构连接。采用此种技术方案的半导体照明设备，能够快速的将半导体光源产生的热量传递至散热部，提高散热效率，且能够避免半导体光源产生的热量与驱动电源产生的热量发生热耦合，大大提高了LED灯具的寿命。
半导体光源容置腔半导体照明设备散热部侧面电源驱动电源连接结构热量传递热量发生散热效率散热鳍片出光面热耦合背面

[发明专利]固态成像设备和成像系统-CN201510103714.X有效
发明人：小林昌弘;市川武史;户塚洋史;大贯裕介 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明涉及固态成像设备和成像系统。固态成像设备包括多个像素，像素包括：光电转换部；电荷保持部，积聚从光电转换部转移的信号电荷；以及浮置扩散区，电荷保持部的信号电荷被转移到浮置扩散区，其中，光电转换部包括第一导电类型的第一半导体区以及在第一半导体区下面形成的第二导电类型的第二半导体区，电荷保持部包括第一导电类型的第三半导体区以及在第三半导体区下面形成的第二导电类型的第四半导体区，并且第三半导体区与第四半导体区之间的p‑n结的位置比第一半导体区与第二半导体区之间的p‑n结深。
半导体区固态成像设备电荷保持部光电转换部第一导电类型浮置扩散区成像系统导电类型信号电荷像素积聚

[发明专利]半导体芯片安装设备和安装方法-CN03148321.6无效
发明人：村山启 -专利权人：新光电气工业株式会社
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： H01L21/58 文献下载
摘要：一种半导体芯片安装设备，当将半导体芯片安装在封装时能够提高定位精度，该设备包括其上承载基板的工作台，从工作台上直接照射基板的可见光源，半导体芯片传送装置，从一个表面保持由硅组成的半导体芯片并将它传送到承载在工作台上的基板上，该半导体芯片有一个可见光可以穿过的厚度，俘获装置，设置在面向工作台的一个位置处，并俘获穿过半导体芯片传送装置所保持的半导体芯片的可见光，以俘获形成在工作台上承载的基板上和半导体芯片上的图形，以及定位装置，根据俘获装置俘获的基板和半导体芯片的图形在基板上定位半导体芯片。
半导体芯片安装设备方法

[发明专利]发光设备-CN201280012652.6有效
发明人：克里斯蒂安·盖特纳;阿莱斯·马尔基坦;扬·马费尔德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：提出一种发光设备，所述发光设备具有：至少一个第一发光半导体器件（1），所述第一发光半导体器件在运行中放射红光；至少一个第二发光半导体器件（2），所述第二发光半导体器件具有波长转换元件；以及至少一个第三发光半导体器件（3），所述第三发光半导体器件具有波长转换元件，其中第二发光半导体器件和第三发光半导体器件（2，3）分别放射蓝色的初级光和转换的次级光并且第二发光半导体器件和第三发光半导体器件（2，3）的初级光和次级光的相应的叠加具有不同的色度坐标
发光设备

[发明专利]包含整合于波导上的光侦测器的半导体设备及其制造方法-CN201410331190.5有效
发明人： P·R·维尔马;洪家伟 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明涉及包含整合于波导上的光侦测器的半导体设备及其制造方法，也就是提供一种半导体设备及用于制造半导体设备的方法。在一个实施例中，用于制造半导体设备的方法包括在半导体基底的侦测器区域中蚀刻波导层以形成凹陷式波导层区段。脊部结构锗(Ge)光侦测器覆于凹陷式波导层区段的一部分上而形成。
包含整合波导侦测半导体设备及其制造方法

[实用新型]一种具有转接板的半导体测试板及半导体测试设备-CN202022003569.7有效
发明人：曹锐;杜建;裴敬;邓标华 -专利权人：武汉精鸿电子技术有限公司;武汉精测电子集团股份有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有转接板的半导体测试板及半导体测试设备，属于半导体测试技术领域，半导体测试板包括：半导体测试基板，其设有测试接口；转接板，转接板包括转接基板，所述转接基板上设有相互信号连接的第一连接器和第二连接器；所述第一连接器与所述测试接口可拆卸连接，所述第二连接器用于与外部测试设备可拆卸连接。本申请的半导体测试板设置了转接板，半导体测试基板的测试接口与转接板的第一连接器可拆卸连接，转接板通过第二连接器与外部测试设备进行插接。在第二连接器的插拔次数达到使用寿命时，只需半导体测试板更换新的转接板即可，提高了半导体测试板的使用寿命。本申请还公开了一种半导体测试设备。
一种具有转接半导体测试设备

[发明专利]一种半导体击穿测试装置及方法-CN202111178760.8在审
发明人：张文臣 -专利权人：深圳市赛元微电子有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明适用于半导体生产相关领域，提供了一种半导体击穿测试装置及方法，包括传送带、扫描识别设备、测试机构和变流机构。传送带将半导体持续输送到扫描识别设备以及测试机构所在的位置，扫描识别设备对半导体的型号和引脚数量进行识别，控制测试机构对不同型号的半导体进行测试，兼容性较好，并且连续自动测试提高工作效率；变流机构使得通入测试机构和半导体中的电流逐渐增大，能够精准捕捉到击穿半导体的极限最大电流值，使得测试准确性更高。
一种半导体击穿测试装置方法

[发明专利]半导体处理设备-CN202111625775.4在审
发明人：温子瑛;王博洋;孙富成;王吉;温欣;樊裕斌;沈爱华;丁维维 -专利权人：无锡华瑛微电子技术有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体处理设备，其包括：相邻放置的至少两个半导体处理模块；紧邻所述半导体处理模块的第一侧设置的设备前端组件；位于所述半导体处理模块下方的流体承载模块，用于承载各种未使用过的流体和/或已使用过的流体；和紧邻所述半导体处理模块的与第一侧相对的第二侧设置的至少两个阀门模块，每个半导体处理模块对应一个阀门模块。本发明中的半导体处理设备由几个模块组成，具有结构简单，组装方便灵活、结构紧凑等特点，还能够提高晶圆的处理效率。
半导体处理设备

[实用新型]开门机构及半导体处理设备-CN202121036535.6有效
发明人：王建 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： E05F15/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种开门机构及半导体处理设备，其中，半导体处理设备包括机台和开门机构，机台具有一侧开设开口的腔体和门体，开门机构用于驱动半导体处理设备的门体，开门机构包括气缸和壳体。气缸配置为驱动门体移动，以使门体处于闭合的第一状态或处于打开的第二状态，壳体容纳气缸的缸筒与活塞杆的连接处，以阻挡气缸产生的颗粒对半导体污染。通过壳体阻挡气缸产生的颗粒，减少颗粒对半导体污染，提高半导体的洁净度，提高半导体的良品率。
开门机构半导体处理设备

[发明专利]半导体元件分离设备和使用该设备制造发光装置的方法-CN202180059765.0在审
发明人：金仁赫;金东均;郑载勳;郭珍午;柳熙娟;赵诚赞;崔贞仁;洪惠贞;姜锺赫;李东彦;赵显敏 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：提供了一种半导体元件分离设备和使用该半导体元件分离设备制造发光装置的方法。一种用于将多个半导体元件与其上形成有半导体元件的基底分离的半导体元件分离设备包括：基体单元，包括容纳部，基底布置在容纳部中；以及至少一个超声波产生单元，用于将在一个方向上移动的超声波施加到布置在基体单元中的基底
半导体元件分离设备使用制造发光装置方法