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[发明专利]一种人工突触晶体管阵列及其调控方法和应用-CN202110461811.1有效
发明人：李彩虹;杜文;巫江;王志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种人工突触晶体管阵列，由下到上依次设置有衬底层、沟道层和电极层。本发明的人工突触晶体管阵列通过在所述衬底层上依次设置所述沟道层和所述电极层，并利用所述衬底层的硅作为背栅结构，利用将所述沟道层的材料为大面积均匀的多层二硫化钼，使晶体管可以实现阵列化且可以工作在可见光和近红外光波段，且二硫化钼富含缺陷态，可以增强载流子的束缚，实现强突触可塑性、高敏感性和低功耗。因此使得人工突触晶体管集传感‑存储‑预处理功能为一体，从而可以实现对人眼感知和人脑存储的模拟。
一种人工突触晶体管阵列及其调控方法应用

[发明专利]紫外光电探测器及其制备方法-CN202310356611.9在审
发明人：李京波;汪禹;王小周;韩理想;刘传凯;钱昊;刘航瓒 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本申请公开了紫外光电探测器及其制备方法，其中，紫外光电探测器包括：衬底；缓冲层，位于衬底表面；高阻GaN层，位于缓冲层表面；p‑GaN埋层，位于高阻GaN层表面；n‑‑GaN沟道层，位于p‑GaN埋层表面；AlN插入层，位于n‑‑GaN沟道层表面；Al0.25Ga0.75N隔离层，位于AlN插入层表面；n‑Al0.25Ga0.75N层，位于Al0.25Ga0.75N隔离层表面；p‑GaN帽层，位于n‑Al0.25Ga0.75N层表面，p‑GaN帽层、n‑Al0.25Ga0.75N层和Al0.25Ga0.75N隔离层形成有第一凹口；栅介质层，位于n‑‑GaN沟道层的上表面、p‑GaN帽层的上表面以及第一凹口的表面，栅介质层、p‑GaN帽层以及n‑Al0.25Ga0.75N层形成有两个第二凹口；栅电极，位于第一凹口上；漏电极，位于其中一个第二凹口上；源电极，位于另一个第二凹口上。本申请能够降低暗态电流，增加器件的光开关比，且具有优秀的快速光响应性能。
紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种光电器件光控二极管及其制作方法-CN202210028677.0在审
发明人：刘驰;冯顺;韩如月;孙东明;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明涉及纳米半导体材料光电探测器和光电存储器的研发与应用领域，具体为一种光电器件光控二极管及其制作方法。光控二极管是由六方氮化硼(h‑BN)保护层、石墨烯电极、二硫化钼(MoS2)n‑n‑结、h‑BN光栅层和栅极介质层组成。基于以MoS2n‑n‑结和h‑BN为光栅层异质结构的光控二极管，能够实现光照下电流状态由关态到整流态转换，因而在集成时不需要外部的选通器件。随着h‑BN光栅层厚度增加，光控二极管由单一功能的光电探测器变为多功能的光电存储器。基于光控二极管的光电存储器具备弱光探测、非易失性高响应度、长时间存储等功能；并且，制作了没有任何外部选择器的光电存储阵列，演示了图像存储和信息处理功能。
一种光电器件光控二极管及其制作方法

[发明专利]一种感光神经元晶体管及其制备方法、使用方法-CN202211080438.6有效
发明人：张亦舒;凡雪蒙;汪华;许凯 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开一种感光神经元晶体管及其制备方法、使用方法，涉及微电子技术领域，包括漏电极、源电极、栅电极和感光二维材料层，具有感光二维材料的晶体管可作为一感光晶体管，在其中感光晶体管的漏电极端制备一个阈值开关器件，阈值开关器件与漏电极层连接，阈值开关器件无电压或电压不足不导通，达到阈值电压后导通。基于此，可以看做一种感光晶体管和一阈值开关器件的串联电路，串联节点为漏电极层。在同一个器件单元中实现高速并且复杂的视觉信号处理功能，不仅成功模拟了人类视觉神经元系统，同时解决了传统视觉系统的功耗和延迟问题，实现感存算一体化，降低设计与制造成本，有效地提高集成度和性能。
一种感光神经元晶体管及其制备方法使用方法

[发明专利]一种低暗电流高响应度的二维材料探测器及其制备方法-CN202310280706.7在审
发明人：邢艳辉;王冰辉;韩军;关宝璐 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种低暗电流高响应度的二维材料探测器及其制备方法，属于新型材料光探测器领域，二维材料探测器结构基于范德瓦尔斯异质结，包含三层二维材料，一同构建两个正垂直PN结构，并且使下方PN结为Ⅲ型能带对准结构，同时使上方PN结为Ⅱ型能带对准结构。该结构可以有效的降低探测器暗电流，提高器件响应度。本发明为基于范德瓦尔斯异质结二维材料探测器，为降低器件暗电流，提高响应度和探测率提供了一种新的解决方案，具有深刻而广泛的研究意义和应用前景。
一种电流响应二维材料探测器及其制备方法

[发明专利]基于异质结的铁电电容型光电探测器件及其制备和应用-CN202310400635.X在审
发明人：周久人;许克志;刘宁;韩根全 -专利权人：西安电子科技大学杭州研究院
申请日： 2023-04-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：一种基于异质结的铁电电容型光电探测器件，包括依次设置的底电极、GeSn层、SiGeSn层、铁电介质层和顶电极；GeSn层与SiGeSn层形成SiGeSn/GeSn异质结，即半导体层；光电探测信息通过耗尽层电容状态表征：其中，无光信号情况下，无极化翻转电流，耗尽层电容为低电容状态；有光信号情况下，产生极化翻转电流，耗尽层电容呈高电容状态；耗尽层电容为SiGeSn/GeSn异质结构成的半导体层与铁电介质层的接触界面处的耗尽层产生的电容，本发明实现了中红外宽光谱检测功能，同时利用半导体构成的异质结构大大提高光电探测器件的探测灵敏度，且具备低功耗和高集成度特性。
基于异质结电容光电探测器件及其制备应用

[发明专利]一种异质结晶体管型光模拟突触器件及其制备方法-CN202111532296.8在审
发明人：李佳;曹勇 -专利权人：深圳先进技术研究院;中国科学院深圳理工大学（筹）
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结晶体管型光模拟突触器件及其制备方法，异质结晶体管型光模拟突触器件，包括沟道半导体层和光吸收层，所述沟道半导体层与光吸收层形成异质结；或包括沟道半导体层、电荷传输层和光吸收层，所述沟道半导体层、电荷传输层和光吸收层形成异质结。本发明采用恰当的异质结结构，有效促进光生载流子分离，可在低电压条件下工作。通过恰当的异质结界面将光吸收层的非平衡载流子转移到光电晶体管沟道中，利用内部放大作用实现高的光增益，因此，内部放大作用可以导致在极低的光照(能耗)下实现光模拟突触。能在较低电压和低光照强度下工作，节省能量。使用过程中，耗费单个光脉冲的能量极低。
一种结晶体管型光模拟突触器件及其制备方法

[发明专利]一种异质结薄膜晶体管及日盲紫外光电探测器-CN202310015208.X在审
发明人：兰林锋;李亚平 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：一种异质结薄膜晶体管及日盲紫外光电探测器,其中采用异质结薄膜感光层作为沟道层，所述异质结薄膜感光层由两层不同带隙及费米能级的薄膜叠层构成，在两层薄膜的结界面处呈现能带弯曲。将两层薄膜命名为第一薄膜和第二薄膜，所述第一薄膜为带隙大于4.0eV的半导体薄膜，所述第二薄膜为带隙小于4.0eV的半导体薄膜。本发明具有较高的迁移率和电导率，从而实现迁移率和电导率控制，同时该异质结薄膜晶体管还能增强光电流，而且光响应度、光暗电流比和检测率均高。
一种异质结薄膜晶体管紫外光电探测器

[发明专利]硅光原位探测与调制一体化器件及其制备方法和应用-CN202210682163.7有效
发明人：王钰言;孙嘉成;林珠;吴嘉敏;戴琼海 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了硅光原位探测与调制一体化器件及其制备方法和应用。所述器件包括：衬底；硅波导，硅波导置于衬底的部分表面上；填充层，填充层置于衬底未被硅波导覆盖的部分表面；纳米氧化钨材料层，纳米氧化钨材料层置于硅波导远离衬底的一侧；二维半导体材料层，二维半导体材料层置于纳米氧化钨材料层远离衬底的一侧；第一侧电极和第二侧电极，第一侧电极和第二侧电极分别置于纳米氧化钨材料层的两侧；绝缘层，绝缘层置于二维半导体材料层远离衬底的一侧；顶电极，顶电极置于绝缘层远离衬底的一侧。将纳米氧化钨材料与二维半导体材料结合，再与硅波导异质集成，可实现在原位光电探测的同时对波导中传输的光的幅值进行非线性调制。
原位探测调制一体化器件及其制备方法应用

[发明专利]一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法-CN202011381986.3有效
发明人：匡文剑;刘向;咸冯林;裴世鑫;赖敏;刘博 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法，该芯片自下至上依次为基底、底栅电极、栅绝缘层、p型半导体层、本征层和n型半导体层，p型半导体层上设置有源电极，n型半导体层上设置有漏电极，p型半导体层、本征层和n型半导体层构成p‑i‑n异质结场效应沟道，该芯片的制备方法包括以下步骤：(1)在基底制备底栅电极；(2)制备栅绝缘层；(3)制备p型半导体层；(4)制备源电极；(5)制备宽禁带半导体量子点本征层；(6)制备n型半导体层；(7)制备漏电极。该芯片能够在提高内量子效率同时降低暗电流，加速分离光生电子和空穴，使光生电子和空穴分别快速转移到n区和p区，继而分别到达源电极和漏电极，提高其响应度。
一种量子点异质结日盲紫外探测芯片及其制备方法

[发明专利]基于半浮栅结构的低功耗宽光谱光电探测器及其制备方法-CN202310182509.1在审
发明人：韩楠楠;刘凡;罗小光;程迎春;闫雨婷 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于半浮栅结构的低功耗宽光谱光电探测器及其制备方法，属于二维半导体光电探测器件技术领域。本发明公开的一种基于半浮栅结构的低功耗宽光谱光电探测器，采用二维半导体层的一半覆盖在透明二维半金属层上，透明二维半导体层作为器件工作的载流子沟道，其两端分别连接一个金属电极层作为源极和漏极，当底栅电极施加正电压时，在静电场的作用下，透明二维半导体层中会感应出电子，并通过隧穿进入透明二维半金属层中；当撤去栅压后，俘获在透明二维半金属层中的电子由于透明二维介电层的势垒阻挡，滞留在透明二维半金属层中，对覆盖在其上面的透明二维半导体层产生静电掺杂作用，具有低暗电流、高响应度和宽光谱光响应的特点。
基于半浮栅结构功耗光谱光电探测器及其制备方法

[发明专利]光电探测器及利用其探测目标光源的探测方法-CN202211559483.X在审
发明人：赵晓龙;邹燕妮;曾妍;徐光伟;侯小虎;龙世兵 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器，包括：绝缘衬底；沟道层，适用于接收目标光源；源极和漏极；栅极材料层，适用于接收目标光源和波长大于目标光源的辅助光源；栅极；其中，沟道层由对目标光源敏感的第一材料制成，使目标光源激发沟道层产生光生载流子并引发光电探测器产生负光栅效应，进而使沟道电流Ids上升；栅极材料层由对目标光源和辅助光源均敏感的第二材料制成，使得辅助光源增大栅极材料层的电导率并引发光电探测器产生正光栅效应，以加快在目标光源消失后沟道层的关断，提升光电探测器的响应速度。本发明还提供一种探测目标光源的探测方法。本发明提供的光电探测器通过选择不同禁带宽度的沟道层材料，实现对不同波段的目标光源探测性能的提升。
光电探测器利用探测目标光源方法

[发明专利]一种多栅的复合介质栅光敏探测器及工作方法-CN202211645057.8在审
发明人：闫锋;刘泉;朱千琳;蒋俊杰;宋年华;程方龙;高党辉;段爽;马浩文;卜晓峰 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明公开了一种多栅的复合介质栅光敏探测器及工作方法。其光敏探测器包括形成在同一衬底上的感光晶体管和读取晶体管，感光晶体管和读取晶体管共用一个复合介质栅，复合介质栅包括第一底层介质层、电荷耦合层、顶层介质层和控制栅，读取晶体管设有源端和漏端，读取晶体管的衬底上还依次设有第二底层介质层和选择栅，第二底层介质层和选择栅与复合介质栅为独立的两部分。本发明光敏探测器的读出方式包括通过在线性区读电流的方式或者通过源跟随读电压的方式。本发明基于多栅结构的复合介质栅光敏探测器为传统的复合介质栅光敏探测器提供了降低噪声和多种读出方式和工作模式的选择，为复合介质栅光敏探测器在成像应用上提供了更多的选择和功能。
一种复合介质光敏探测器工作方法

[发明专利]外延结构、增强型HEMT结构的紫外光电探测器及其制备方法-CN202211654194.8在审
发明人：李京波;韩理想;吴望龙;王小周;刘传凯;刘杭瓒;刘志远 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本申请公开了外延结构、增强型HEMT结构的紫外光电探测器及其制备方法，其中，外延结构，包括：衬底，具有第一表面和第二表面；U‑GaN缓冲层，位于衬底的第一表面；P‑GaN层，位于U‑GaN缓冲层的表面；N‑GaN沟道层，位于P‑GaN层的表面；AlGaN势垒层，位于N‑GaN沟道层的表面。本申请外延结构，P‑GaN层在N‑GaN沟道层下方，AlGaN势垒层在最上端，避免了由于P‑GaN层刻蚀深度把控不准确而对AlGaN势垒层产生破坏，进而影响了2DEG的问题，本申请的外延结构提升了器件的可靠性与稳定性。
外延结构增强 hemt 紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]光电传感器件和显示面板-CN202211475041.7在审
发明人：张劲潮;黄睿;童彬彬;王利忠;徐传祥 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本申请提供了一种光电传感器件和显示面板，涉及显示技术领域。光电传感器件包括层叠设置在衬底上的栅极、有源层和光生载流子层；所述光生载流子层被配置为在光照下产生光生载流子；所述有源层包括源区、漏区以及设置在所述源区和漏区之间的沟道区，所述沟道区与所述光生载流子层贴合；所述栅极与所述沟道区绝缘设置，且所述栅极上的电压小于所述沟道区的阈值电压。在产生较强电信号的同时结构简单。
光电传感器件显示面板

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