专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体设备-CN200780001781.4有效
  • 吉田英博;永井久雄;北村嘉朗 - 松下电器产业株式会社
  • 2007-12-14 - 2009-02-04 - H01L29/786
  • 本发明提供一种半导体设备,具有:配置在基板表面的源极电极和漏极电极;隔开所述源极电极和所述漏极电极的沟道间隙;配置在所述源极电极、所述漏极电极、以及所述沟道间隙上的有机半导体层;配置在所述有机半导体层上的绝缘膜;配置在所述绝缘膜上的栅极电极;以及规定所述有机半导体层的隔堤,该半导体设备包括有机半导体元件(A)和有机半导体元件(B),所述有机半导体元件(A)中,所述隔堤的自所述基板表面的高度高于所述沟道间隙的自基板表面的高度,并且在所述隔堤上形成有沟槽,所述有机半导体元件(B)具有源极电极或漏极电极,所述源极电极或漏极电极通过形成在所述有机半导体元件(A)的隔堤上的沟槽与所述有机半导体元件(A)的栅极电极连接。
  • 半导体设备
  • [实用新型]半导体设备-CN202122119810.7有效
  • S·拉斯库纳;M·G·萨吉奥 - 意法半导体股份有限公司
  • 2021-09-03 - 2022-04-29 - H01L23/31
  • 本公开的实施例涉及半导体设备。一种半导体设备,包括:半导体本体;钝化层的第一锚固元件,突出到半导体本体的第一表面中,钝化层在半导体本体的第一表面上延伸并且突出到半导体本体和第一表面中的第一腔体中,并且第一锚固元件包括:第一部分,以及第二部分,与第一部分重叠,第二部分比第一部分更接近第一表面,其中第一锚固元件将钝化层固定到半导体本体。利用本公开的实施例有利地增加了电子设备的可靠性,特别是当该电子设备经受高温变化且在反向偏置情况下操作时。
  • 半导体设备
  • [发明专利]半导体设备-CN201610629149.5在审
  • 陈俊良 - 联发科技股份有限公司
  • 2016-08-03 - 2017-02-22 - H01L23/48
  • 本发明公开了一种半导体设备,具有小的尺寸并且能够增强电磁场。其中,该半导体设备包括:金属垫、第一金属层布线及至少一个通孔插塞。其中,该金属垫位于该半导体设备的第一金属层。其中,该第一金属层布线位于该半导体设备中的第二金属层,并且位于该金属垫的正下方。其中,该至少一个通孔插塞用于将该第一金属层布线连接至该金属垫,并且该至少一个通孔插塞位于该金属垫的正下方。
  • 半导体设备
  • [实用新型]半导体设备-CN202123203857.8有效
  • F·V·丰塔纳;M·德赖 - 意法半导体股份有限公司
  • 2021-12-20 - 2022-09-30 - H01L23/495
  • 本公开的实施例涉及半导体设备。一种半导体设备,其特征在于,包括:至少一个半导体芯片或管芯,被布置在引线框架的第一表面处,其中引线框架具有与第一表面相对的第二表面;半导体芯片或管芯,被布置在引线框架的第一表面处;绝缘包封,被形成在引线框架上;电触点,用于在引线框架的第二表面处的至少一个半导体芯片或管芯,其中电触点具有由绝缘包封留下未覆盖的远端表面以及侧面;以及镀层,被电镀在远端表面以及侧面上。
  • 半导体设备
  • [实用新型]半导体设备-CN202021138926.4有效
  • P·克雷马 - 意法半导体股份有限公司
  • 2020-06-18 - 2021-01-26 - H01L21/50
  • 本公开的实施例涉及半导体设备。该半导体设备包括:引线框架,具有裸片焊盘区域;增强层,被设置在引线框架上,增强层被配置成抵消设备封装分层,其中引线框架的裸片焊盘区域的一部分不具有增强层;半导体裸片,经由软焊料裸片附接材料附接到裸片焊盘区域上,软焊料裸片附接材料在裸片焊盘区域的、不具有增强层的一部分处;以及封装材料的设备封装,模制到附接到引线框架的裸片焊盘区域上的半导体裸片上。
  • 半导体设备
  • [实用新型]半导体设备-CN202023051748.4有效
  • M·德赖;D·维特洛 - 意法半导体股份有限公司
  • 2020-12-17 - 2021-12-17 - H01L23/495
  • 本公开涉及半导体设备。一种系统级封装(SiP)半导体设备,包括激光直接结构化(LDS)材料的衬底。第一和第二半导体裸片被布置在LDS材料的衬底的相对表面处的第一和第二引线框架结构处。第一半导体裸片和封装LDS材料位于LDS材料的衬底的相对侧上。一组电接触构造在封装模制材料的与LDS材料的衬底相对的表面处。引线框架结构包括经激光束处理的LDS材料。LDS材料的衬底和封装LDS材料包括形成至少一个导电过孔的经激光束处理的LDS材料,至少一个导电过孔提供导电线路的至少一部分,导电线路在第一半导体裸片与在封装模制材料的与衬底相对的表面处的电接触构造之间根据本公开的半导体设备可以实现高设计灵活性。
  • 半导体设备

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