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[发明专利]半导体设备报警管理系统-CN201910900136.0有效
发明人：周法福;黄扬君;肖托 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G08B25/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备报警管理系统，包括：多个报警客户端、报警服务器端，其中所述多个报警客户端分别配置于半导体设备的多个功能控制模块中，用于在所述半导体设备出现异常时产生报警信息，并通过统一的报警接口将所述报警信息发送至所述报警服务器端；所述报警服务器端配置于半导体设备的中心控制模块中，用于在用户界面中显示接收到的所述报警信息。实现对半导体设备各种报警资源的综合管理与调度、有效利用系统资源与软件开发成本以及提高半导体设备安全性和稳定性。
半导体设备报警管理系统

[发明专利]半导体工艺设备的副产物处理装置及半导体工艺设备-CN202011267623.7有效
发明人：姚晶;谢远祥;韩子迦 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： B01D45/08 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺设备的副产物处理装置及半导体工艺设备，半导体工艺设备的副产物处理装置包括冷却组件和分离组件，其中，冷却组件与半导体工艺设备的工艺腔室的排出口连通，用于对自排出口排出至其中的副产物进行冷却本发明提供的半导体工艺设备的副产物处理装置及半导体工艺设备，能够对副产物中的气液进行分离，以满足环保要求。
半导体工艺设备副产物处理装置

[发明专利]用薄膜保护镍和含镍部件的设备与方法-CN202180027884.8在审
发明人：雷平艳;吴典晔;何晓明;詹妮弗·Y·孙;周磊;仓富敬;阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯;张镁;史蒂芬·D·马库斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本文提供了用于在半导体制造设备部件上沉积涂层的方法和设备。在一些实施方式中，一种在半导体制造设备部件上沉积涂层的方法包括：将包括镍或镍合金的半导体制造设备部件按顺序暴露于铝前驱物和反应物，以通过沉积工艺在半导体制造设备部件的表面上形成含铝层。
薄膜保护部件设备方法

[发明专利]一种半导体设备密封组件及其制作方法-CN202111613819.1在审
发明人：谢昌杰;别大奎 -专利权人：上海芯密科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： B32B27/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备密封组件及其制作方法，所述半导体设备密封组件的制作方法包括：提供一基材；在所述基材的表面上形成多个凹部，且所述多个凹部相互嵌合；在所述凹部内设置弹性体，且所述弹性体填充并覆盖所述凹部；以及将所述弹性体进行硫化，以形成半导体设备密封组件。通过本发明提供的一种半导体设备密封组件及其制作方法，提高半导体设备密封组件的性能，降低制作成本。
一种半导体设备密封组件及其制作方法

[发明专利]AC供电电路-CN201110175593.1有效
发明人： J·戴维斯 -专利权人：韦特柯格雷控制系统有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H04B3/54 文献下载
摘要：公开了AC供电电路，其包括：AC电源(1)；在电源与输出之间的电力线路(8)中的半导体开关设备(2)；用于在第一状态(其中，半导体设备从源传输电力到输出)与第二状态(其中，半导体设备不传输电力到输出)之间切换半导体设备的装置(4)；以及用于将通信数据耦合在电力线路上的装置(11、12)，该电路进一步包括用于仅如果所述半导体设备处于所述第一状态中则促使通信数据耦合在电力线路上的装置(10)。
ac 供电电路

[实用新型]一种半导体材料加热控制设备-CN202223154721.7有效
发明人：袁大飞;魏守冲 -专利权人：磐石创新（江苏）电子装备有限公司
申请日： 2022-11-27 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种半导体材料加热控制设备，包括设备壳体，所述设备壳体的一侧安装有电控柜，所述电控柜内部设置有控制单元；所述设备壳体的顶部设有与所述控制单元连接的加热组件；所述设备壳体内设有可上下移动的料斗，所述料斗用于放置半导体材料；所述控制单元连接有检测装置，用于检测所述料斗上是否放置有半导体材料。通过可以上下移动的料斗，可以控制半导体材料进行加热，保证了半导体材料的受热均匀。
一种半导体材料加热控制设备

[发明专利]电子装置及其控制方法-CN202010081040.9有效
发明人：吉原稔雄;新妻央章 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2020-02-05 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H04N1/00 文献下载
摘要：电子装置包括：半导体集成电路、经由外围组件互连(PCI)总线连接到半导体集成电路的另一半导体集成电路、以及连接到所述另一半导体集成电路的设备(硬盘驱动器(HDD)和动态随机存取存储器(DRAM))。所述半导体集成电路向所述另一半导体集成电路发送预定指令，所述另一半导体集成电路将PCI总线转移到非可通信状态或低速可通信状态。此后，所述另一半导体集成电路将所述设备(HDD和DRAM)转移到省电状态。
电子装置及其控制方法

[发明专利]显示设备-CN201910309686.5有效
发明人：金阳完;郭源奎;盧载斗;李在容 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G09G3/3225 文献下载
摘要：本申请涉及一种显示设备。该显示设备包括：第一薄膜晶体管，包括第一半导体；第一电极层，位于第一半导体上方并且与第一半导体的沟道区重叠；数据线，位于第一电极层上方；第四薄膜晶体管，包括第四半导体，第四半导体的一端连接至第一电极层，且第四半导体的另一端连接至初始化电压线；以及屏蔽层，位于数据线和第四半导体之间的层中并且与第四半导体的第一沟道区和第四沟道区之间的部分重叠。
显示设备

[发明专利]一种半导体芯片缺陷检测设备及方法-CN201811477411.4在审
发明人：章晓文;恩云飞;雷志峰 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片缺陷检测设备及方法，所述设备包括：检测平台，待检测的半导体芯片固定安装于所述检测平台；激光发生器，所述激光发生器设置于所述检测平台上方，用于产生照射于所述半导体芯片表面的激光，所述激光发生器与所述检测平台之间能够发生相对位移，以使所述激光能够以扫描的方式照射于所述半导体芯片表面；电源，所述电源与所述半导体芯片连接，为所述半导体芯片供电；示波器，所述示波器与所述半导体芯片连接，用于检测并显示所述半导体芯片中所产生的输出电压和/或输出电流。本发明能够方便快捷地确定出待检测的半导体芯片内是否存在有潜在缺陷。
半导体芯片检测激光发生器半导体芯片表面缺陷检测设备示波器照射电源激光潜在缺陷输出电流输出电压相对位移扫描供电

[发明专利]半导体设备和包括该半导体设备的半导体存储器设备-CN202211045407.7在审
发明人：林汉镇;朴正敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：公开了一种半导体设备和包括该半导体设备的半导体存储器设备。一种半导体设备可以包括第一电极、在第一电极上的第二电极、在第一电极与第二电极之间的铁电层、与铁电层接触的反铁电层、以及与铁电层间隔开并与反铁电层接触的插入层。
半导体设备包括半导体存储器设备

[发明专利]半导体存储装置、电子设备及设置半导体存储装置的方法-CN202010759067.9在审
发明人：吴起硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：提供一种半导体存储装置、电子设备及设置半导体存储装置的方法。所述电子设备包括：半导体存储装置，被配置为存储工艺信息并将所述工艺信息输出到外部；以及主机，被配置为：从所述半导体存储装置读取所述工艺信息，并根据所述工艺信息选择多种操作模式中的一种操作模式以将其设置为所述半导体存储装置的操作模式所述多种操作模式可以限定所述半导体存储装置的功耗或所述半导体存储装置的响应特性中的一者或更多者。
半导体存储装置电子设备设置方法

[发明专利]半导体清洗方法及清洗设备-CN202111079097.6在审
发明人：宋冬门 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体清洗方法及清洗设备，用于清洗半导体器件，所述方法包括：将待清洗的半导体器件置于清洗设备的腔室内进行清洗处理，所述清洗处理包括清洗液清洗步骤及干燥步骤，至少在干燥步骤中，向所述腔室内通入加热的保护气体本发明实施例的优点在于，加热的保护气体能够降低腔室的湿度，并提高半导体器件表面的温度，以避免腔室内的悬浮物重新凝结在半导体器件表面，进而不会在半导体器件表面附着颗粒物，避免对半导体器件产生影响。
半导体清洗方法设备

[发明专利]半导体面电阻均匀性的改善方法-CN201310011518.0有效
发明人：陆健;张贵军;沈健;尤丽丽 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体面电阻均匀性的改善方法，提供一MOCVD设备，该MOCVD设备包括一加热器，所述加热器的边缘形成有一圈气孔，清洗气体通过所述气孔沿竖直衬底的方向流向半导体的边缘，通过控制所述清洗气体的流量以改变半导体边缘成膜的厚度，减小半导体中心电阻与边缘电阻之间的电阻差。本发明通过直接改变半导体边缘成膜的厚度，可以有效控制半导体边缘电阻的大小，大大减小半导体边缘与中心部位的电阻差，实现电阻均匀性的最优化。
半导体电阻均匀改善方法

[发明专利]具有含宽带隙半导体材料的发射极区域的太阳能电池-CN201280071731.4有效
发明人：理查德·M·斯万森;马里乌斯·M·布内亚;大卫·D·史密斯;沈于甄;彼得·J·卡曾斯;蒂姆·丹尼斯 -专利权人：太阳能公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明描述了具有由宽带隙半导体材料构成的发射极区域的太阳能电池。在一个实例中，一种方法包括在具有受控气氛的处理设备中，在所述太阳能电池的半导体基板的表面上形成薄电介质层。所述半导体基板具有带隙。在不将所述半导体基板从所述处理设备的受控气氛中移除的情况下，在所述薄电介质层上形成半导体层。所述半导体层具有比所述半导体基板的带隙高至少约0.2电子伏特(eV)的带隙。
具有宽带半导体材料发射极区域太阳能电池

[发明专利]半导体制造设备的状态控制系统及方法-CN201310724141.3有效
发明人：刘振华 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体制造设备的状态控制系统及方法。其中方法包括对半导体制造设备中的塔灯进行实时设置的步骤；所述对半导体制造设备中的塔灯进行实时设置的步骤具体包括对半导体制造设备的各种状态进行分类，划分出一级状态类型；对所划分出的一级状态类型的优先权级别进行设置；对所划分出的一级状态类型下的半导体制造设备状态再次进行分类，每个一级状态类型划分为多个二级状态类型；设置不同等级下的半导体制造设备状态对应的塔灯状态。所设置的塔灯状态通过半导体制造设备中的控制系统发送到塔灯，控制塔灯按当前的设备状态进行显示。增加了塔灯状态设定的灵活性，提高了工作效率。
半导体制造设备塔灯状态类型导体制造状态控制系统优先权级别工作效率控制系统设备状态状态设定分类