[发明专利]多孔半导体层形成材料有效

专利信息
申请号: 200680018659.3 申请日: 2006-04-14
公开(公告)号: CN101189744A 公开(公告)日: 2008-05-28
发明(设计)人: 筱原祐治 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L51/30 分类号: H01L51/30
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王玮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的是提供半导体层形成材料,从所述半导体层形成材料可以制造具有高载流子运输能力的半导体层,提供形成半导体元件的方法,所述半导体元件具有高载流子运输能力的半导体层,提供由半导体元件制造方法形成的半导体元件,提供装备有所述半导体元件的电子装置,并提供具有高可靠性的电子设备。所述半导体层形成材料包括半导体材料、各自具有许多孔隙的多孔颗粒、和分散介质,其中所述半导体材料以至少一部分半导体材料填充在多孔颗粒孔隙中的状态存在于半导体层形成材料中。根据所述半导体层形成材料,可以形成和制造具有高载流子运输能力的半导体层。
搜索关键词: 多孔 半导体 形成 材料
【主权项】:
1.一种半导体层形成材料,所述半导体层形成材料包含半导体材料、各自具有许多孔隙的多孔颗粒、和分散介质,其中所述半导体材料以至少一部分半导体材料填充在多孔颗粒孔隙中的这样一种状态存在于所述半导体层形成材料中。
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