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[发明专利]发光器件-CN201310163563.8有效
发明人： 金维植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光器件，其包括支撑衬底；形成在所述支撑衬底上的至少一个发光叠层，其具有在其中层叠了半导体层的结构；形成在所述衬底上并围绕所述至少一个发光叠层的壁单元；以及布置在所述至少一个发光叠层上方的波长变换层。
发光器件

[发明专利]发光器件-CN201310142009.1有效
发明人： 金维植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-08-05 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光器件，包括：第一发光结构，包括第二导电类型的第二半导体图案、第一有源图案和第一导电类型的第一半导体图案，并且根据施加到第二半导体图案和第一半导体图案的偏压而开启或关闭；第二发光结构，包括第二导电类型的第四半导体图案、第二有源图案和第一导电类型的第三半导体图案，并且根据施加到第四半导体图案和第三半导体图案的偏压而开启或关闭；倾斜侧壁表面；绝缘图案；中间材料层；以及阻挡层，其中第一至第四半导体图案及第一和第二有源图案中的至少一个包括InxAlyGa(1-x-y)N，0≤x≤1,0≤y≤1，连接到第一导电类型的第一半导体图案的第一电极由含有高反射率的Al和Ag中至少一个的材料形成，并且具有碗形和倾斜侧壁。
发光器件

[发明专利]发光元件-CN201310135179.7有效
发明人： 金维植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-06-15 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光元件、包括该发光元件的发光器件及其制造方法。发光器件包括：在底板上的第一电极；在底板上的第二电极；在底板上的第三电极；发射结构，在第一电极上和/或与第一电极处于相同的高度；第一图案，在底板上且电连接到第一电极；以及在底板上的多个第二图案，其中至少一个第二图案布置在第一图案的第一侧且电连接到第二电极，至少另一个第二图案布置在第一图案的第二侧且电连接到第三电极，第一侧与第二侧相反。
发光元件

[发明专利]晶片切割方法及采用该方法制造发光器件芯片的方法-CN201310006855.0无效
发明人：金南胜;金维植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明涉及晶片切割方法及采用该方法制造发光器件芯片的方法。一种晶片切割方法包括：在晶片的第一表面上形成半导体器件；对所述晶片的一部分和所述半导体器件进行第一切割；及通过对已进行第一切割的所述晶片进行第二切割，将所述晶片和所述半导体器件分成多个半导体器件芯片。
晶片切割方法采用制造发光器件芯片

[发明专利]发光器件-CN201210396187.2有效
发明人： 金维植;韩宇声 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种发光器件，包括：副底座，其包括基础基板、安装部和第一电极及第二电极，所述基础基板包括金属物质，所述金属物质可装满通路或涂上通路的内壁层，所述安装部形成在所述基础基板的一面，且可安装发光元件，所述第一电极及第二电极形成在所述基础基板的另一面，且和所述安装部电连接；磷光体层，为了所述发光元件及所述安装部上产生白色而至少包含黄磷光体或/及红磷光体中之一形成；及透明树脂层，形成在所述磷光体层上。
发光器件

[发明专利]半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法-CN200910162143.1无效
发明人： 金维植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-08-05 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件、具有该半导体器件的半导体封装及其制造方法，该半导体器件包括：第一发光芯片，该第一发光芯片具有第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层；设置在第一发光芯片上的第二发光芯片，该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层；和设置在第一半导体层和第四半导体层之间的导电层，第一半导体层和第四半导体层具有不同的导电类型。
半导体器件半导体封装及其制造方法

[发明专利]副底座、包括副底座的发光器件以及制造方法-CN200910149964.1有效
发明人： 金维植;韩宇声 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： F21V23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种副底座、包括副底座的发光器件以及制造方法。该副底座适于安装在其上的器件的AC和DC运行，其包括：基础基板，包括第一表面和第二表面，第一表面与第二表面不同；在第一表面上的导电图案；在第二表面上的第一对第一和第二电极和第二对第一和第二电极；以及延伸穿过第一表面与第二表面之间的基础基板的多个通路，其中导电图案包括沿第一对第一和第二电极的第一电极和第二电极之间的第一电路路径的第一组安装部和两个通路部，以及沿第二对第一和第二电极的第一电极和第二电极之间的第二电路路径的第二组安装部和两个通路部，并且通路部通过通路将导电图案的相应部分连接到第一对第一和第二电极及第二对第一和第二电极中的相应电极。
底座包括发光器件以及制造方法

[发明专利]发光元件、发光器件及制造发光元件和发光器件的方法-CN200910149965.6无效
发明人： 金维植;李承宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-06-24 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及发光器件、发光装置及其制造方法，该发光器件包括：第一电极；与第一电极间隔开的第二电极；发射图案，其包括在第一电极与第二电极之间的部分；以及阻挡图案，其包括在发射图案与第一电极之间的部分和/或与第一电极处于相同高度。
发光元件器件制造方法

[发明专利]发光元件、包括该发光元件的发光器件及其制造方法-CN200910149627.2有效
发明人： 金维植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-06-15 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光元件、包括该发光元件的发光器件及其制造方法。发光器件包括：在底板上的第一电极；在底板上的第二电极；在底板上的第三电极；发射结构，在第一电极上和/或与第一电极处于相同的高度；第一图案，在底板上且电连接到第一电极；以及在底板上的多个第二图案，其中至少一个第二图案布置在第一图案的第一侧且电连接到第二电极，至少另一个第二图案布置在第一图案的第二侧且电连接到第三电极，第一侧与第二侧相反。
发光元件包括器件及其制造方法

[发明专利]发光器件、包括发光系统的封装和系统以及其构造方法-CN200910137017.0有效
发明人： 金维植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-04-27 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种发光器件、包括发光系统的封装和系统以及其构造方法。本发明涉及一种垂直型发光器件和制造该发光器件的高产量方法。可以在可以在发光系统中放置的各种发光封装中利用这些发光器件。发光器件被设计成将发光效率和/或散热最大化。其他的改进包括嵌入的齐纳二极管，以避免有害的反向偏置电压。
发光器件包括系统封装及其构造方法

[发明专利]发光二极管封装、发光二极管系统及其制造方法-CN200910137124.3无效
发明人： 金维植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-05-07 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管封装、发光二极管系统及其制造方法。在形成LED半导体器件的方法中和在LED半导体器件中，在衬底上设置LED。在LED上设置第一密封剂材料层，该第一密封剂材料层被首先进行退火。在被首先进行退火的第一密封剂材料层上设置发光转换材料层，第一密封剂材料层和发光转换材料层被进行第二退火。
发光二极管封装系统及其制造方法

[发明专利]发光二极管模块-CN200610121884.1有效
发明人： 金维植;金亨根;孙哲守;郑在旭 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2006-08-29 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有改进的发光效率的发光二极管模块。所述发光二极管模块包括：发光芯片；由荧光材料形成的荧光层，该荧光材料利用从所述发光芯片发射的光作为激励源发射具有长于从所述发光芯片发射的光的波长的光；和反射板，设置在所述发光芯片和所述荧光层之间，并反射由所述荧光层发射的光。
发光二极管模块

[发明专利]晶体管外形罐型光模块-CN200410044585.3无效
发明人：桂溶灿;朴文圭;辛斗植;金维植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-05-13 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：一种晶体管外形罐(TO－can)型光模块，其包括芯柱、被布置在芯柱中的副管座，以及被安装在副管座中的激光二极管(LD)。具有倾斜的光入射面的光电二极管(PD)将LD发出的光转换成电流。多个引线延伸穿过芯柱，同时电连接到副管座。PD的倾斜的光入射面使得可以获得足够的监测光电流，并且允许p型电极的p侧朝上粘结。由此，块上激光二极管的最小边模抑制比增大了。偏置T形接头被内置于晶体管外形罐中，以减少由直流电流造成的热，以及提高光电效率，同时抑制LD芯片的温度上升。
晶体管外形罐型光模块

[发明专利]具有顶开容器结构的光接收器模块-CN200410001242.9无效
发明人：白宰明;徐昊成;金维植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-01-05 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H04B10/148 文献下载
摘要：一种具有顶开容器(TO－Can)结构的光接收器模块，包括其上具有孔的晶体管座。所述孔通过所述晶体管座的两侧。光电二极管安装在所述晶体管座上侧上。光接收器模块包括：安装在所述晶体管座上的跨阻抗放大器；通过形成在所述晶体管座上的孔的信号引线；从所述晶体管座延伸的接地引线，用于将所述晶体管座接地至所述光接收器模块外部；和安装在所述晶体管座上预定位置上的波导，用来使跨阻抗放大器与引线之间的阻抗匹配，所述波导通过相应的电路将跨阻抗放大器的输出端子输出的所述无线电频率信号传导至各个引线。
具有容器结构接收器模块

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