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[发明专利]直接型电子探测器-CN202210412752.3在审
发明人：胡立磊;张力;罗浒;任嘉莹;张旭;陈昌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种直接型电子探测器，包括：半导体叠层结构及外围信号测量电路；半导体叠层结构由下向上依次包括：第一半导体层、第二半导体层、本征层及第三半导体层；第一半导体层为第一掺杂类型，第二半导体层及第三半导体层为第二掺杂类型；第三半导体层及本征层形成电子吸收区，第一半导体层及第二半导体层形成雪崩区；外围信号测量电路包括电阻及计数器；半导体叠层结构倒装并与外围信号测量电路焊接在一起，其中电阻与第一半导体层电连接，以实现外围信号测量电路对电信号的计数测量。通过设置雪崩区可有效实现对入射电子的雪崩倍增，提高探测灵敏度；通过减小本征层的厚度，提高探测器信号读取速度。
直接电子探测器

[发明专利]浅结深低能量电子探测器-CN202210412765.0在审
发明人：胡立磊;张力;陈昌;孟祥卫;罗浒;任嘉莹;张旭 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种浅结深低能量电子探测器，包括：硅衬底；第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层，分别形成于硅衬底的第一面和第二面，以钝化硅衬底的第一面和第二面；P型非晶硅层和N型非晶硅层，分别形成于第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层上；保护环结构，自P型非晶硅层朝硅衬底延伸；阻挡层，形成于P型非晶硅层上，阻挡层中形成有窗口，通过窗口定义电子探测器的探测区域；网格状电极，形成于探测区域中的P型非晶硅层上。本发明通过非晶硅层并经热退火处理来实现对硅衬底表面缺陷的修复，钝化不饱和化学键，从而提高表面载流子寿命，可有效解决电子探测器对低能量电子的探测问题，提高对低能量电子的探测效率。
浅结深低能量电子探测器

[发明专利]超浅结深低能量电子探测器-CN202210411524.4在审
发明人：胡立磊;张力;陈昌;豆传国;任嘉莹;罗浒;张旭 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种超浅结深低能量电子探测器，电子探测器包括：硅衬底，其包含相对的第一面和第二面；超浅结深的P型掺杂层，通过在硅衬底表面形成硼单质层后进行热扩散的方式形成于硅衬底的第一面，P型掺杂层的厚度介于3～10nm之间；N型掺杂层，形成于硅衬底的第二面；保护环结构，自P型掺杂层朝硅衬底延伸；阻挡层，形成于P型掺杂层上，阻挡层中形成有窗口，通过窗口定义电子探测器的探测区域；网格状电极，形成于探测区域中的P型掺杂层上。本发明可以有效解决电子探测器对低能量电子的探测问题，有效提高对低能量电子的探测效率。
超浅结深低能量电子探测器

[发明专利]平面型原位放大电子探测器及电子探测装置-CN202210411539.0在审
发明人：胡立磊;张力;陈昌;任嘉莹;罗浒;张旭;曹明霞 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种平面型原位放大电子探测器及电子探测装置，电子探测器包括：第一半导体层；源区和漏区，间隔设置于第一半导体层的第一面的表层；底部掺杂区，形成于第一半导体层的第二面的表层；介质层，设置于第一半导体层的第一面上；第二半导体层，设置于介质层上，第二半导体层的第二面与介质层相接；第一掺杂区和第二掺杂区，间隔设置于第二半导体层的第一面的表层，第二掺杂区和第一掺杂区具有相反的导电类型。本发明将平面P‑i‑N型吸收区和电子信号放大的晶体管结构进行集成，实现了一种具有原位放大功能的新型电子探测器，可以大大提高电子探测器的响应速度和灵敏度。
平面原位放大电子探测器探测装置

[发明专利]直接型电子探测器-CN202210411536.7在审
发明人：胡立磊;张力;陈昌;任嘉莹;罗浒;张旭 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种直接型电子探测器，包括：半导体叠层结构及外围信号测量电路；半导体叠层结构由下向上包括：半导体基底、U型截面的半导体电阻层、第一半导体层、第二半导体层、绝缘层、金属层、本征层及第三半导体层；第一半导体层形成于电阻层的凹槽中，第二半导体层形成于第一半导体层上，绝缘层形成于第二半导体层外侧，金属层形成于绝缘层外侧；电阻层及第一半导体层为第一掺杂类型，第二半导体层及第三半导体层为第二掺杂类型，第三半导体层及本征层形成电子吸收区，第一半导体层及第二半导体层形成雪崩区；外围信号测量电路包括计数器；半导体叠层结构与外围信号测量电路电连接。该结构可有效提高探测器的灵敏度及响应速度。
直接电子探测器

[发明专利]探测器像素结构及电子探测器-CN202210405269.2在审
发明人：胡立磊;张力;陈昌;韩天雁;罗浒;任嘉莹;张旭 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种探测器像素结构及电子探测器。探测器像素结构包括半导体衬底、第一和第二导电类型重掺杂层、绝缘层、上电极、下电极、电子通道孔电极、金属保护环及掺杂环；掺杂环位于半导体衬底内，且位于第一导电类型重掺杂层的外侧，并显露于半导体衬底的第一表面；绝缘层自非探测区域表面延伸到半导体衬底的表面，上电极自非探测区域表面延伸到绝缘层的表面；电子通道孔电极位于半导体衬底的侧壁，且一端与下电极电连接，另一端延伸到绝缘层的侧面，金属保护环位于半导体衬底的表面，且位于上电极的外侧。本发明可以有效避免因电子束传播方向发生偏移而导致的图像发生畸变的情况，可降低探测器的漏电流，提高击穿电压，由此提高探测性能。
探测器像素结构电子

[发明专利]垂直型原位放大电子探测器及电子探测装置-CN202210412750.4在审
发明人：胡立磊;张力;罗浒;任嘉莹;张旭;陈昌;黄斌冰 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直型原位放大电子探测器及电子探测装置，电子探测器包括：第一半导体层；源区和漏区，间隔设置于第一半导体层的第一面的表层；底部掺杂区，形成于第一半导体层的第二面的表层；介质层，设置于第一半导体层的第一面上；第二半导体层，设置于介质层上，第二半导体层的第二面与介质层相接；第一掺杂区，间隔设置于第二半导体层的第二面的表层；第二掺杂区，设置于第二半导体层的第一面的表层，第二掺杂区和第一掺杂区具有相反的导电类型。本发明将P‑i‑N型吸收区和电子信号放大的晶体管结构进行集成，实现了一种具有原位放大功能的新型电子探测器，可以大大提高电子探测器的响应速度和灵敏度。
垂直原位放大电子探测器探测装置

[发明专利]图形化原位放大电子探测器及电子探测装置-CN202210463876.4在审
发明人：胡立磊;张力;罗浒;任嘉莹;张旭;陈昌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图形化原位放大电子探测器，包括：第一半导体层；源区和漏区，间隔设置于第一半导体层的第一面的表层；图形沟槽，形成于第一半导体层的第一面的沟道区中；底部掺杂区，形成于第一半导体层第二面表层；介质层，设置于第一半导体层的第一面及图形沟槽表面；第二半导体层，设置于介质层上，第二半导体层的第二面与介质层相接；第一掺杂区，间隔设置于第二半导体层的第二面的表层；第二掺杂区，设置于第二半导体层的第一面的表层，第二掺杂区和第一掺杂区具有相反的导电类型。本发明将P‑i‑N型吸收区和电子信号放大的晶体管结构进行集成，实现了一种具有原位放大功能的新型电子探测器，可以大大提高电子探测器的响应速度和灵敏度。
图形原位放大电子探测器探测装置

[发明专利]一种带电粒子束扫描成像设备实际像素尺寸的获取方法-CN202111413852.X有效
发明人：刘骊松 -专利权人： 上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开了一种带电粒子束扫描成像设备实际像素尺寸的获取方法，包括:规划晶圆上实际像素尺寸测量的工作区域；将全部待测像素对应的放大倍率区分为第一放大倍率和更高的第二放大倍率；当获取第一放大倍率的实际像素尺寸时，提取满足预设条件的模板，模板包括一或多个子模板，子模板包括子图像和/或独立特征点；当获取第二放大倍率的实际像素尺寸时，提取基于曲线的图像类模板或曲线类模板；依次获得各放大倍率对应的实际像素尺寸，其步骤均包括：移动晶圆采集目标图像，用模板在目标图像中进行匹配，获取模板的位置和匹配位置之间的目标位移，根据晶圆实际位移和目标位移获得实际像素尺寸。本发明可改进成功率、测量精度及时间成本。
一种带电粒子束扫描成像设备实际像素尺寸获取方法

[发明专利]一种有图形晶圆对准方法-CN202310512866.X在审
发明人：刘骊松 -专利权人： 上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种有图形晶圆对准方法，包括：在创建第一级的晶圆对准工作菜单时，采集主模板图像及若干相邻模板图像拼接成拼接模板全图，从拼接模板全图中提取图像类的主模板和次级模板，次级模板包括图像类子模板和特征类子模板；创建其余级的晶圆对准工作菜单；在设备执行第一级的晶圆对准工作菜单时，采集目标图像，先使用主模板到目标图像中进行模板匹配，若成功则确定第一匹配位置，若失败则使用次级模板到目标图像中进行模板匹配，并在成功时确定第一匹配位置，在确定第一匹配位置后进行其余匹配位置的模板匹配并完成第一级的晶圆对准，然后完成后续各级晶圆对准。本发明提高了所述设备晶圆对准的成功率。
一种图形对准方法

[发明专利]一种基于正弦波光场的周期结构缺陷检测方法及系统-CN202310803155.8在审
发明人：刘世元;张劲松;朱金龙;马骏 -专利权人：华中科技大学;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明属于缺陷检测技术领域，并具体公开了一种基于正弦波光场的周期结构缺陷检测方法及系统，其包括如下步骤：根据待测周期结构设计对应的光场图案；将光场图案投影至待测周期结构处，生成正弦波光场，并探测得到远场显微图像；根据待测周期结构的远场显微图像和理想远场显微图像，得到其差分图像，从而判断是否存在缺陷；对正弦波光场的照明位置进行空间扫描，并获取数个扫描位置处的远场显微图像；分别获取各扫描位置处远场显微图像与理想远场显微图像的差分图像，根据各差分图像中缺陷信号的变化，实现待测周期结构中缺陷的精确定位与分类。本发明可可实现集成电路制造过程中大批量、无标记、超分辨、无损伤的缺陷探测。
一种基于正弦波光周期结构缺陷检测方法系统

[发明专利]带电粒子束装置及调整方法-CN202111632281.9有效
发明人：罗浒;李琰琪 -专利权人： 上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01J37/065 文献下载
摘要：本发明提供了一种带电粒子束装置及调整方法，所述装置包括：第一聚焦透镜和第二聚焦透镜对带电粒子束进行聚焦；第一偏转电极用于使所述带电粒子束偏转并能到达所述第二聚焦透镜的出口孔的所有区域，以获取所述第二聚焦透镜的出口孔的图像；计算单元根据所述第二聚焦透镜的出口孔的图像，确定所述第二聚焦透镜的中心位置；调节系统基于所述第二聚焦透镜的中心位置，将所述带电粒子束的中心位置、所述第一聚焦透镜的中心位置调节至所述第二聚焦透镜的中心位置所在的竖直线上。本发明通过确定所述第二聚焦透镜的中心位置来调节所述带电粒子束和第一聚焦透镜的位置，减少待测样品的成像球差，并提高了所述带电粒子束装置的分辨率。
带电粒子束装置调整方法

[发明专利]柔性铰链组件及基板抬升机构-CN202111599482.3有效
发明人：缪晖华 -专利权人： 上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B65G47/90 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性铰链组件及基板抬升机构，该柔性铰链组件包括：第一柔性铰链，第二柔性铰链，以及柔性连接第一柔性铰链与第二柔性铰链的柔性连杆机构，第一柔性铰链的自由端与第二柔性铰链的自由端均用于被固定；柔性连杆机构包括至少三个首尾柔性连接的连杆，位于内侧的一所述连杆包括用于承载基板的第一承载面，当第一柔性铰链连接柔性连杆机构的第一端部受到水平推力使第一端部产生水平位移时，位于内侧的一连杆转动，并至少沿竖直方向产生位移以抬升所述基板。通过本发明，可提高对基板执行抬升过程中所施加力的准确性，以将基板抬升至准确的角度，避免了手动抬升基板过程中对基板的表面造成划伤，并有效地抑制了颗粒的产生。
柔性铰链组件抬升机构

[发明专利]厚度测量装置及厚度测量方法-CN202310218114.2在审
发明人：陈雅馨;董诗浩;李仲禹 -专利权人： 上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明提供一种厚度测量装置及厚度测量方法，厚度测量装置包括：光源，形成入射至样品的第一表面的入射光束，所述入射光束在所述第一表面反射形成反射光束，所述入射光束透射所述样品并在所述样品的第二表面散射形成散射光束，其中所述第一表面和所述第二表面相背；合束模块，将所述反射光束以及所述散射光束合束为相干光束；反射光路，将所述反射光束导入所述合束模块；散射光路，将所述散射光束导入所述合束模块；探测模块，用以获取所述相干光束，以得到所述样品的厚度。本申请实现了对一个表面为光面、另一个相对表面为粗糙面的样品厚度的高精度测量。
厚度测量装置测量方法

[发明专利]皮秒超声测量信号特征的识别模型建立方法及识别方法-CN202310364275.2在审
发明人：刘世元;闵菁;马骏;汤自荣;王中昱;陈修国;李仲禹 -专利权人：华中科技大学;上海精测半导体技术有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01N29/44 文献下载
摘要：本发明公开了皮秒超声测量信号特征的识别模型建立方法及识别方法，属于皮秒超声测量领域，包括：获取测量自不同种类的微纳米薄膜的多组一维时序皮秒超声测量信号，并标注出各特征信号所在的时域区间和类型，得到多个样本；搭建包含至少一个1D卷积神经网络层和至少一个循环神经网络层的混合神经网络模型，用于预测目标一维时序皮秒超声测量信号中各类特征信号及非特征信号的时域分布概率曲线；将所有的样本划分为训练集、验证集和测试集，对混合神经网络模型进行训练、验证和测试后，得到皮秒超声测量信号特征的识别模型。本发明能同时抓取皮秒超声测量信号的空间特点和时间特点，从而提高皮秒超声测量信号特征识别的准确性。
超声测量信号特征识别模型建立方法

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