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[发明专利]光刻胶图案增厚材料、包含它的光刻胶图案及其应用-CN03149913.9有效
发明人：小泽美和;野崎耕司;並木崇久;今纯一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-07-29 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶图案增厚材料，此光刻胶图案增厚材料可以增厚待增厚光刻胶图案以形成精细的中空图案，超过了现有光源的曝光极限，而不管待增厚光刻胶图案的材料或其尺寸如何。所述的光刻胶图案增厚材料包含：树脂；交联剂；以及含氮化合物。在本发明的用于形成光刻胶图案的工艺中，光刻胶图案增厚材料被施加到待增厚光刻胶图案的表面，由此形成光刻胶图案。本发明的用于制造半导体器件的工艺包括：将增厚材料施加到已形成于下层之上的待增厚光刻胶图案的表面，以增厚待增厚光刻胶图案并形成光刻胶图案；以及通过利用光刻胶图案刻蚀而对下层进行制图。
光刻图案材料包含及其应用

[发明专利]半导体器件和栅极的形成方法-CN201310616514.5在审
发明人：隋运奇;孟晓莹 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：在半导体器件形成方法中，在光刻胶层经图案化形成光刻胶图案后，对光刻胶图案进行软化处理工艺，降低光刻胶图案表面粗糙度；之后，采用Ar等离子气体处理光刻胶图案，去除在软化处理工艺中，由光刻胶图案侧壁滑落的部分光刻胶而形成于光刻胶侧壁底部的堆叠；之后再对光刻胶图案进行固化处理，强化光刻胶图案结构，并在光刻胶图案的表面形成修饰层，以进一步提高光刻胶图案的表面平整度，优化光刻胶图案结构，确保光刻胶图案的精确度，和后续以该光刻胶图案为掩膜刻蚀硬掩膜层后获得的硬掩膜图案的精确度，以及之后以硬掩膜图案为掩膜刻蚀待刻蚀材料层后，形成的半导体器件的结构精确度。
半导体器件栅极形成方法

[发明专利]光刻胶图案增厚材料，光刻胶图案形成工艺和半导体器件制造工艺-CN03134679.0无效
发明人：小泽美和;野崎耕司 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-09-25 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶图案增厚材料等，此光刻胶图案增厚材料能将待增厚的光刻胶图案增厚，形成精细的中空图案，超过在图案化期间使用的曝光设备光源的曝光极限。该光刻胶图案增厚材料包括：树脂和表面活性剂。在本发明的光刻胶图案的形成工艺中，在形成了待增厚的光刻胶图案以后，刻胶图案增厚材料被涂覆到待增厚的光刻胶图案的表面上，由此形成光刻胶图案。本发明的半导体器件的制造工艺包括：在下层上形成待增厚的光刻胶图案以后，涂覆增厚材料到待增厚光刻胶图案的表面上，来将待增厚的光刻胶图案增厚并形成光刻胶图案的步骤，以及通过使用光刻胶图案蚀刻对下层图案化的步骤
光刻图案材料形成工艺半导体器件制造

[发明专利]光刻胶图案修剪方法-CN201310757477.X有效
发明人： G·珀勒斯;C-B·徐;K·劳维尔 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2013-12-31 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：光刻胶图案修剪方法。提供修剪光刻胶图案的方法。该方法包括：(a)提供半导体衬底；(b)在衬底上形成光刻胶图案，其中由化学放大光刻胶组合物来形成光刻胶图案，该化学放大光刻胶组合物包括含有酸不稳定性基团的母体聚合物；光生酸剂和溶剂；(c)将光刻胶修剪组合物涂覆到衬底上的光刻胶图案之上，其中，该修剪组合物包括：母体聚合物，不含氟的芳香酸；以及溶剂；(d)加热涂覆后的衬底，从而改变光刻胶图案表面区域中的光刻胶母体聚合物的极性；以及(e)使光刻胶图案接触清洗剂，除去光刻胶图案的表面区域，从而形成经修剪的光刻胶图案。
光刻图案修剪方法

[发明专利]半导体器件微图案的形成方法-CN200810085517.X无效
发明人：安相俊 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-03-10 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及形成半导体器件微图案的方法。根据本发明的一个方面，在其上形成有蚀刻目标层的半导体衬底上形成具有不同曝光类型的第一光刻胶层和第二光刻胶层，在第二光刻胶层和第一光刻胶层上实施曝光工艺。通过显影第二光刻胶层形成第二光刻胶图案。通过实施采用第二光刻胶图案作为蚀刻掩模的蚀刻工艺来蚀刻第一光刻胶层，以形成第一光刻胶图案。通过显影第一光刻胶图案形成辅助图案。
半导体器件图案形成方法

[发明专利]通过使用正型光刻胶进行二次图案化而制造高密度柱结构的方法-CN200980125068.X有效
发明人： R·E·舒尔雷恩;S·雷迪根 -专利权人：桑迪士克3D公司
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种制作半导体器件的方法，其包括在下层之上形成第一光刻胶层，将第一光刻胶层图案化为第一光刻胶图案，其中第一光刻胶图案包括位于下层之上的多个间隔开的第一光刻胶特征，以及使用第一光刻胶图案作为掩模蚀刻下层以形成多个第一间隔开的特征该方法还包括移除第一光刻胶图案，在多个第一间隔开的特征之上形成第二光刻胶层，并且将第二光刻胶层图案化为第二光刻胶图案，其中第二光刻胶图案包括覆盖多个第一间隔开的特征的边缘部分的多个第二光刻胶特征。该方法还包括使用第二光刻胶图案作为掩模蚀刻多个第一间隔开的特征的暴露部分，从而多个第一间隔开的特征的多个间隔开的边缘部分保持不变，并且该方法还包括移除第二光刻胶图案。
通过使用光刻进行二次图案制造高密度结构方法

[发明专利]半导体器件和栅极的形成方法-CN201310617880.2在审
发明人：隋运奇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件和栅极的形成方法，所述半导体器件的形成方法中，在硬掩膜层上方的光刻胶层经图案化，形成光刻胶图案后，对光刻胶图案进行软化处理工艺，从而有效降低光刻胶图案表面粗糙度，之后，先以光刻胶图案为掩膜刻蚀部分所述硬掩膜层，去除光刻胶图案侧壁底部的光刻胶残留，之后对所述光刻胶图案进行紧致化处理工艺，固化光刻胶图案同时，在光刻胶图案表面形成修饰层，提高所述光刻胶图案侧壁表面的平整度，以提高后续以所述光刻胶图案为掩膜刻蚀所述硬掩膜层后，获得的硬掩膜图案的质量，进而提高后续以硬掩膜图案为掩膜刻蚀所述待刻蚀材料层后，获得的半导体器件的结构精度，从而优化半导体器件的性能。
半导体器件栅极形成方法

[发明专利]一种光刻胶图案的制作方法、彩色滤光片及显示装置-CN201510617500.4有效
发明人：隆清德;康玉龙;梁元;张智勇;樊利伟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种光刻胶图案的制作方法、彩色滤光片及显示装置，涉及显示技术领域，可形成窄线宽的黑矩阵，提高显示装置的透过率和开口率。该方法包括：在衬底基板上涂覆负性光刻胶形成第一光刻胶层，并在第一光刻胶层上涂覆正性光刻胶，形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层的第一区域进行第一次曝光，经第一次显影后，去除第二光刻胶层中第一区域的正性光刻胶，以及第一光刻胶层中第二区域的负性光刻胶，得到第二光刻胶层中保留的第一光刻胶图案和第一光刻胶层中保留的第二光刻胶图案；对第一光刻胶图案和第二光刻胶图案进行第二次曝光，经第二次显影后，去除第一光刻胶图案，保留第二光刻胶图案。
一种光刻图案制作方法彩色滤光显示装置

[发明专利]阵列基板及其制作方法-CN201610284394.7有效
发明人：刘玉东;刘荣铖;万云海 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：该阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上形成钝化层；在钝化层上形成光刻胶，并通过曝光和显影工艺形成包括光刻胶完全保留区域、光刻胶部分保留区域以及光刻胶完全去除区域的第一光刻胶图案；以第一光刻胶图案作为掩膜对钝化层进行刻蚀以在钝化层中形成第一过孔；灰化第一光刻胶图案以去除光刻胶部分保留区域的光刻胶并减薄光刻胶完全保留区域的光刻胶以形成第二光刻胶图案；以及以第二光刻胶图案为掩膜对钝化层进行刻蚀以减薄光刻胶部分保留区域的钝化层。
阵列及其制作方法

[发明专利]光刻胶图案的形成方法和光刻胶结构-CN202111515560.7在审
发明人：曹堪宇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种光刻胶图案的形成方法和光刻胶结构，光刻胶图案的形成方法包括，在目标层上形成光刻胶结构，光刻胶结构包括设置在目标层上的光刻胶层、以及设置在光刻胶层上的光波传输层；在第一介质中对光刻胶结构进行曝光处理，在光刻胶层形成曝光图像，光波传输层用于提升光刻胶层的光刻分辨率。在本公开中的光刻胶图案的形成方法，通过光波传输层提高曝光图像的分辨率，提高光刻胶图案的精度。
光刻图案形成方法胶结

[发明专利]光刻胶图案的修正方法及刻蚀方法-CN200910201464.8有效
发明人：宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-14 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种光刻胶图案的修正方法和刻蚀方法。其中光刻胶图案的修正方法，包括：在中间膜层上形成光刻胶图案层；根据所述光刻胶图案层中光刻胶图案的实际尺寸和欲获得的目标尺寸，获得对所述光刻胶图案的修正值；根据所述修正值设定离子注入的参数；对所述光刻胶图案层中的光刻胶侧壁进行倾斜离子注入，使所述光刻胶的侧壁内缩，以将所述光刻胶图案的实际尺寸修正为所述欲获得的目标尺寸。
光刻图案修正方法刻蚀

[发明专利]图案化的金属膜层、薄膜晶体管、显示基板的制备方法-CN201811230086.1有效
发明人：方金钢;丁录科;刘军;李伟;张扬;程磊磊;王东方 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种图案化的金属膜层、薄膜晶体管、显示基板的制备方法，属于显示技术领域。本发明的图案化的金属膜层的制备方法，包括：在基底上依次沉积金属材料和光刻胶材料，并对光刻胶材料进行曝光，形成光刻胶保留区和光刻胶未保留区，去除光刻胶未保留区的光刻胶材料，形成位于光刻胶保留区的图案化的光刻胶；对完成上述步骤的基底上的金属材料进行刻蚀，去除位于光刻胶保留区的边缘区域和位于光刻胶未保留区的第一厚度的金属材料；对图案化的光刻胶进行处理，以使位于光刻胶保留区的中间区域的金属材料的边缘与剩余的图案化的光刻胶分离；刻蚀去除基底上剩余的、且与剩余的图案化的光刻胶未接触的金属材料，以形成图案化的金属膜层。
图案金属膜薄膜晶体管显示制备方法

[发明专利]纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法-CN201910032180.4在审
发明人：贺芳;尹东升;顾仁权;何伟;徐胜;吴慧利;李士佩;黎午升;姚琪 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米图案的拼接方法、纳米压印板、光栅及制作方法，属于显示技术领域，纳米图案的拼接方法包括：在形成有第一膜层的衬底基板上形成第一光刻胶层，对第一光刻胶层进行构图，形成对应衬底基板上的待图案化区域的光刻胶去除区和对应衬底基板上的其他区域的光刻胶保留区；减薄第一光刻胶层上的光刻胶保留区中的光刻胶；在衬底基板上形成具有压印图案的压印胶层，压印胶层覆盖光刻胶去除区和与光刻胶去除区邻接的部分光刻胶保留区；以压印图案为掩膜，对光刻胶去除区的第一膜层进行刻蚀，形成第一纳米图案；重复执行上述步骤，形成拼接的第一纳米图案。本发明通过减薄第一光刻胶层上的光刻胶，降低了待图案化区域边界处的段差。
纳米图案光刻胶衬底基板光刻胶层拼接光刻胶去除保留区图案化区域光栅第一膜层压印图案压印板压印胶减薄重复执行边界处胶去除邻接段差刻蚀掩膜制作覆盖

[发明专利]一种阵列基板的制作方法-CN201810293048.4有效
发明人：朱茂霞;徐洪远 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供的阵列基板制作方法，通过对第一光刻胶图案进行灰化处理，以去除光刻胶部分保留区域的光刻胶并减薄光刻胶完全保留区域的光刻胶以形成第二光刻胶图案，其中，光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域的表面均为绒面；随后以第二光刻胶图案作为掩膜对钝化层进行刻蚀，以减薄光刻胶部分保留区域的钝化层，并消除光刻胶部分保留区域上形成的绒面，从而可以提高制程的稳定性。
一种阵列制作方法

[发明专利]刻蚀方法-CN202010998512.7有效
发明人：程挚;朱红波;郭宜婷;李昌达;方晓宇 -专利权人：南京晶驱集成电路有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供了一种刻蚀方法，包括：首先，提供一待刻蚀层；然后，在所述待刻蚀层上形成图案化的光刻胶层；其次，对所述图案化的光刻胶层中的顶部和侧壁的光刻胶进行离子注入工艺，以形成光刻胶外壳，且利用阴影效应计算所述离子注入工艺中的离子注入的倾斜角θ；最后，以形成有所述光刻胶外壳的所述图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层。本发明通过对图案化的光刻胶层中的顶部和侧壁的光刻胶进行离子注入工艺，形成光刻胶外壳，能够减少图案化的光刻胶层在刻蚀过程中的衰减，以及增加光刻胶的厚度选择性。
刻蚀方法

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