专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种直写式光刻控制面板的锁紧机构及直写式光刻-CN201620920059.7有效
  • 王昱山;刘涛;马强 - 天津芯硕精密机械有限公司
  • 2016-08-22 - 2017-03-29 - G03F7/20
  • 本实用新型涉及直写式光刻领域,尤其涉及一种直写式光刻控制面板的锁紧机构及直写式光刻。直写式光刻控制面板的锁紧机构包括骨架和支撑装置;骨架固定连接在直写式光刻的底座上;直写式光刻上的控制面板与骨架可拆卸连接;直写式光刻上的气动门保护板的一端与骨架固定连接,另一端与控制面板可拆卸连接直写式光刻包括上述直写式光刻控制面板的锁紧机构,气动门保护板和控制面板。本实用新型提供的直写式光刻控制面板的锁紧机构及直写式光刻,具有结构简单新颖,稳定性强,便于拆装,且方便实用等诸多技术优势。
  • 一种直写式光刻控制面板机构
  • [发明专利]一种光刻匹配方法-CN202210267076.5在审
  • 王成瑾;张生睿 - 东方晶源微电子科技(北京)有限公司
  • 2022-03-17 - 2022-06-24 - G03F7/20
  • 本发明涉及光刻技术领域,特别涉及光刻匹配方法,包括步骤:获取预设光刻图案,每个预设光刻图案中分别预设有X个关键位置,X为正整数;在目标光刻上根据光刻OPC模型分别获取每个预设光刻图案的X个关键位置对应的目标关键尺寸;以目标光刻为标准对待调光刻进行OPC模型拟合,获取待调光刻上每个预设光刻图案中X个关键位置对应的待调关键尺寸,计算待调关键尺寸与目标关键尺寸的差值;基于每个待调关键尺寸对每种光刻可调参数的灵敏度建立灵敏度矩阵;根据灵敏度矩阵,建立总评价函数;根据总评价函数,调整待调光刻的参数以调整待测关键尺寸与目标关键尺寸匹配。
  • 一种光刻匹配方法
  • [发明专利]光刻同步故障检测方法和系统-CN202011628812.2在审
  • 于婷;陈丹;朱晶 - 上海微电子装备(集团)股份有限公司
  • 2020-12-31 - 2022-07-01 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种光刻同步故障检测方法和系统,一种光刻同步故障检测方法应用于扫描光刻,扫描光刻包括多个分系统,多个分系统包括干涉仪分系统、伺服运动控制分系统、曝光分系统、对准分系统和像质分系统,该方法包括:检测上位从各分系统中采集同步诊断参数,同步诊断参数包括至少一种用于表征同步状态的参数;检测上位根据同步诊断参数确定扫描光刻中各分系统的同步状态;检测上位通过人机交互界面显示扫描光刻中各分系统的同步状态本发明实施例公开的光刻同步故障检测方法和系统,能够提高对扫描光刻进行同步故障检测的效率。
  • 光刻同步故障检测方法系统
  • [发明专利]提高晶片产品套准精度的方法-CN201510729330.9在审
  • 冯耀斌 - 武汉新芯集成电路制造有限公司
  • 2015-10-30 - 2016-01-06 - G03F7/20
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种提高晶片产品套准精度的方法,通过对光刻的套准精度的检测,获取光刻的曝光参数漂移量,并利用APC系统根据光刻在对当前批次芯片进行光刻工艺时的曝光补偿参数和光刻的曝光参数漂移量设定光刻对下一批次芯片进行光刻工艺的预设曝光参数同时该方法可以实现光刻间系统面上的匹配,方便产品在不同光刻间的拓展,进而达到产品良率提升、降低返工和缩短生产周期的效果。
  • 提高晶片产品精度方法
  • [发明专利]一种光刻方法、光刻装置及计算机可读存储介质-CN201910931297.6有效
  • 王津洲 - 芯恩(青岛)集成电路有限公司
  • 2019-09-29 - 2022-07-01 - G03F7/20
  • 本发明提供一种光刻方法、光刻装置及计算机可读存储介质,该方法根据所述光刻的设计基板的尺寸与所述待处理基板的尺寸之间的比值,调整所述光刻,以通过所述设计掩膜原版在所述待处理基板上形成目标图形。由此,可以在同一光刻中利用光刻的设计掩膜原版对不同尺寸的晶圆进行光刻,例如在8寸光刻上实现对8寸和6寸晶圆的光刻。另外,本发明的方法无需对光刻本身的硬件进行改造或者替换,而是通过对光刻的设计掩膜原版、基板承载装置和光刻的投影物镜之间的垂直距离进行调整,实现同一光刻对不同尺寸晶圆的光刻,在晶圆上形成目标图形,
  • 一种光刻方法装置计算机可读存储介质
  • [实用新型]光刻防微振基座-CN202222419771.7有效
  • 赵江民 - 合肥玖福半导体技术有限公司
  • 2022-09-13 - 2023-02-03 - F16M11/04
  • 本实用新型涉及光刻防微振基座,包括缓振底座,所述缓振底座的顶部固定安装有固定座,所述固定座的顶部开设有安装槽,所述安装槽的内部设置有用于存放光刻的支撑板,所述安装槽的内部对称设置有两个用于固定光刻的夹持机构;由于光刻本身的重力影响,使得支撑板向下滑动,此时,L形杆在第二拨杆的作用下发生转动,使得推板朝向光刻方向移动,配合两个导轨对滑块限位,防止推板发生偏移,通过两个推板对光刻的外壁夹持,保证光刻的稳定性,同时由于两个推板可通过光刻重力来调节相对距离,便于该防微振基座适应不同尺寸的光刻
  • 光刻机防微振基座
  • [发明专利]光刻硅片台移动装置及采用该移动装置的光刻-CN200910055189.3有效
  • 秦磊;刘育;王天明;袁志扬 - 上海微电子装备有限公司
  • 2009-07-22 - 2009-12-23 - G03F7/20
  • 本发明涉及一种光刻硅片台的移动装置及采用该移动装置的光刻。该光刻硅片台的移动装置包括:支撑该光刻硅片台的支撑板;设置于该支撑板的与该硅片台相对一侧的气囊;设置于该支撑板的与该气囊同侧的气垫装置;设置于该支撑板的与该气囊同侧的滚轮;向该气囊内充气,该气囊支撑该支撑板及该光刻的硅片台,当移动该光刻硅片台时,该气囊释放气体的同时打开该气垫装置,该气垫装置形成的气垫支撑该支撑板及该硅片台,该光刻硅片台的移动装置利用该滚轮将该硅片台移出或移入该光刻。采用本发明的硅片台移动装置的光刻的硅片台的移入移出过程更加简单,能够确保硅片台与光刻支撑框架的准确定位,并减少地面振动对硅片台的干扰。
  • 光刻硅片移动装置采用
  • [发明专利]一种光刻之间的工艺匹配方法-CN201110384018.2有效
  • 王剑;毛智彪;戴韫青 - 上海华力微电子有限公司
  • 2011-11-28 - 2012-05-09 - G03F7/20
  • 本发明提供一种光刻之间的工艺匹配方法,其步骤包括:1)在同一片掩模板上设计各种1D,2D图形;2)第一光刻利用所述掩模板曝光一片基准晶圆;3)量测所设计的图形尺寸作为基准数据;4)第二光刻使用同一片掩模板曝光相同参数晶圆;5)将第二光刻量测数据与第一光刻量测数据比较,得到数据吻合的参数;6)两台光刻得到的尺寸一致,建立了两台光刻的匹配基准。本发明减少了生产费用和工作时间,使不同光光刻曝光的图形尺寸都能达到一样,保证质量,非常适于实用。
  • 一种光刻之间工艺匹配方法

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