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[发明专利]一种光刻机滤光片的中心波长优化方法-CN201810045626.2在审
发明人：方凤云;黄凯;胡坤 -专利权人：上海矽越光电科技有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻机滤光片的中心波长优化方法，步骤如下：a、将所述滤光片安装在角度调节装置上；b、启动所述角度调节装置，使滤光片旋转一个角度。本发明通过改变窄带滤光片在光刻机中摆放的角度，可以改变中心波长达到6nm，只要出厂的时候，提供窄带滤光片安装在光刻机中需要偏转的角度，就可以使得中心波长大于365nm的窄带滤光片在光刻机中达到中心波长在365nm附近的效果，同时也可以使得光刻机在使用滤光片的时候获得最大的效能比。
光刻机中心波长滤光片窄带滤光片角度调节装置偏转优化出厂摆放

[发明专利]用于光刻机设备测量组件的测量方法、装置及光刻机-CN202010762680.6有效
发明人：冯建斌;陈南曙 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于光刻机设备测量组件的测量方法、装置和光刻机，所述测量方法包括，利用面形标定方法，离线标定工件台上基准板的参考面形以及在线标定所述基准板的测量面形；根据所述参考面形和所述测量面形，获得基准板漂移量本发明公开的一种用于光刻机设备测量组件的测量方法、装置和光刻机，能够实时探测并校准基准板的形变漂移量，减小光刻机系统误差，缩短后续掩模对准时间，提升产率。
用于光刻设备测量组件测量方法装置

[发明专利]一种光刻机工件台的内外扰动在线观测方法及相关装置-CN202310788257.7在审
发明人：章军辉;郭晓满;王静贤;陈明亮;董接莲;庄宝森;陈大鹏 -专利权人：无锡物联网创新中心有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种光刻机工件台的内外扰动在线观测方法，涉及光刻机技术领域，包括：根据光刻机工件台的二阶抽象模型，确定非线性扰动观测器的数学模型；获取所述光刻机工件台的实际位移与前馈‑反馈控制器的输出信号；根据所述数学模型、所述实际位移与所述输出信号，计算得到光刻机工件台的总扰动估计值。该方法能够在线精确估计光刻机工件台的内外扰动。本申请还公开了一种光刻机工件台的内外扰动在线观测装置、设备以及计算机可读存储介质，均具有上述技术效果。
一种光刻机工内外扰动在线观测方法相关装置

[发明专利]一种检测光刻机焦距偏移量的方法-CN201510719205.X在审
发明人：李文亮;吴鹏;陈力钧;朱骏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造工艺领域，尤其涉及一种检测光刻机焦距偏移量的方法。一种检测光刻机焦距偏移量的方法，一种检测光刻机焦距偏移量的方法，所述方法包括：步骤S1，建立焦距偏移量与相对于套刻精度的线性模型；步骤S2，检测光刻机焦距偏移量时，量测套刻精度，并将所述套刻精度代入所述线性模型
一种检测光刻焦距偏移方法

[发明专利]旋转光刻机-CN201110036695.5有效
发明人：袁志扬;吴小传 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2011-02-12 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种旋转光刻机，所述旋转光刻机包括：主框架；用以承载硅片的硅片台，所述硅片台设置于所述主框架内；用以将曝光图形成像于硅片上的曝光装置，所述曝光装置与所述主框架连接；所述硅片台绕其中轴作水平旋转本发明提供的旋转光刻机减小了光刻机机台尺寸，进一步的，减少了生产空间的占用，降低了生产成本。
旋转光刻

[发明专利]用于光刻系统的图案数据转换器-CN201080032976.7有效
发明人： T.范德皮尤特;M.J-J.维兰德 -专利权人：迈普尔平版印刷IP有限公司
申请日： 2010-05-17 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：一种用于在无掩膜光刻机中根据图案数据曝光目标的方法和系统，该无掩膜光刻机产生用于曝光该目标的多个曝光小束。将该输出图案数据供应给该光刻机，并且基于该输出图案数据来调制由该光刻机产生的这些小束。
用于光刻系统图案数据转换器

[发明专利]用于MEMS的双面微加工方法和MEMS器件-CN201310382203.7有效
发明人：荆二荣;夏长奉 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：该方法包括：步骤1：在衬底的第一表面上制作用于双面光刻机的第一对位标记，并制作第一图形；步骤2：利用用于双面光刻机的所述第一对位标记在所述衬底的与所述第一表面相对的第二表面制作用于双面光刻机的第二对位标记；以及步骤3：在所述第二表面上制作第二图形，其中，在步骤1和/或步骤2中还包括相应地在所述第一表面和/或第二表面上还形成用于步进光刻机的第三对位标记和/或第四对位标记，以采用步进式光刻机制作相应的所述第一图形和根据本发明的用于MEMS的双面微加工方法采用双面光刻机和步进光刻机相结合，提高了双面微加工的特征线宽和套准精度。
用于 mems 双面加工方法器件

[实用新型]一种TVS芯片光刻设备-CN202321007398.2有效
发明人：陈俊;张道良 -专利权人：江苏吉芯微电子科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TVS芯片光刻设备，包括收纳箱和液压缸，收纳箱内壁的底部左侧固定连接有液压缸，收纳箱的顶部左侧开设有通口，液压缸的伸缩端贯穿通口且延伸至通口的外部并固定连接有支撑座，支撑座的顶部固定连接有连接块本实用新型通过收纳箱、液压缸、通口、支撑座、连接块、光刻机本体、加工台、防护机构、固定块、活动口、电动推杆、移动块、安装块、遮挡板和控制器相互配合，起到了防护效果好的作用，当不使用光刻机本体时能够对光刻机本体进行有效防护，不仅能够有效避免光刻机本体受外界污染，同时也有效避免光刻机本体遭受外物碰撞而损坏的情况发生，极大提高了光刻设备的使用效果。
一种 tvs 芯片光刻设备

[发明专利]一种应用于投影光刻机的大视场投影曝光物镜-CN201410477962.6有效
发明人：朱咸昌;胡松;赵立新 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： G02B13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用于投影光刻机的大视场投影曝光物镜，其作用是把投影光刻机掩模版上的图形经过成像复制后转移到硅片上。投影曝光物镜是光刻机的核心部件，决定了光刻机的主要性能。本投影曝光物镜采用4面非球面校正系统场曲、畸变和波像差；同时，选用对i线(365nm)透过率较高的玻璃材料，提高系统光学透过率，满足大视场投影光刻机的高精度及高产率需求。
一种应用于投影光刻视场曝光物镜

[发明专利]掩模基版、光掩模版及其制备方法-CN202210807523.1有效
发明人：季明华;林岳明;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本申请提供一种掩模基版、光掩模版及其制备方法，应用于光刻机技术领域，其中掩模基版包括透明基底和附着于所述透明基底一表面上的上转换功能层。通过将所述掩模基版应用于光刻机后，光刻机的主光源可以照射于上转换功能层，并经上转换功能层进行荧光光子散射后，从透明基底相对于上转换功能层所在表面的另一表面出射有较短波长的混合光，从而可将该混合光作为混合光源用于光刻机的光线曝光中，使得光刻机获得更高的分辨率和对比度。
掩模基版模版及其制备方法

[实用新型]改善光照均匀性的光刻机-CN201120258010.7有效
发明人：王诚;刘庆锋 -专利权人：上海先进半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种改善光照均匀性的光刻机，位于洁净室中，光刻机包括：光刻机本体；风管，与光刻机本体相连接，用于抽取空气并将其吹送到光刻机的镜头组表面；其中，风管的进风口靠近于洁净室顶部的碳吸附过滤器的下方
改善光照均匀光刻

[发明专利]一种半导体芯片生产用接近式光刻机-CN201810568507.5在审
发明人：梁亚 -专利权人：梁亚
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片生产用接近式光刻机，包括底座、避震器和固定板，所述底座的下端安装有动轮外壳，且动轮外壳的内部设置有动轮，同时动轮外壳的外侧固定有卡销，所述避震器安装在底座的上方，且避震器的下端通过固定块与底座的上端面相互连接，所述避震器的上端设置有连接板，且连接板的上端固定有光刻机整体，所述固定板设置在底座的侧面，且固定板的上端固定有固定杆，所述伸缩杆的侧面固定有限位杆，且限位杆的外侧固定有限位块，同时限位块与光刻机整体的侧端面相互连接该半导体芯片生产用接近式光刻机，解决了现有的光刻机，不便于移动，并且在工作的过程中稳定性较差，从而增加了光刻机的使用难度的问题。
底座避震器光刻机动轮接近式光刻机半导体芯片固定板上端固定连接板下端便于移动侧面固定内部设置上端侧端面固定杆固定块上端面伸缩杆限位杆限位块卡销位杆位块生产侧面

[发明专利]一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法-CN202210709200.9在审
发明人：郑怀志;施维 -专利权人：广州新锐光掩模科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种EUV光刻机和DUV光刻机间图形位置对准方法，属于光刻机技术领域，具体包括：制作具有第一量测图形的EUV光掩模和具有第二量测图形的DUV光掩模；量测第一量测图形和第二量测图形的位置，计算两者的位置偏差值A；利用EUV光刻机通过制作的EUV光掩模对晶圆进行第一层曝光；利用DUV光刻机通过制作的DUV光掩模对晶圆进行第二层曝光；量测第一层的图形与第二层的图形的位置偏差值B；根据位置偏差值A和位置偏差值B计算光掩模的位置修正值C；将位置修正值C利用光掩模光刻机的GMC功能补偿到EUV光掩模或DUV光掩模。
一种 euv 光刻 duv 图形位置对准方法

[发明专利]浸没光刻机的浸液供给装置-CN200910045590.9有效
发明人：孙文凤;陈文煜 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2009-01-20 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种浸没光刻机，尤其是涉及一种浸没光刻机的浸液供给装置。公开了一种浸没光刻机的浸液供给装置，包括浸液单元和浸液废弃单元，所述浸液废弃单元通过负压回收管路与所述浸液单元连接，所述负压回收管路设有缓冲泄压结构。由于浸液供给装置与光刻机本身解耦减振，故有利于干法光刻机到浸没光刻机的系统改造、集成和技术继承。
浸没光刻浸液供给装置

[发明专利]一种避免光刻机被硅片背面金属沾污的方法-CN201110110191.3有效
发明人：周军 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种避免光刻机被硅片背面金属沾污的方法，该方法包括：对要进入光刻机的硅片进行背面清洗处理；然后将清洗处理完的硅片置于一个临时性托盘上，该托盘所使用的底层材料为硅，正面材料不含金属，有与硅片切口对应的凸起，且具有如下特性：与硅片背面的硅在平行于硅片表面的方向的静态摩擦阻力非常高，在垂直于硅片表面的方向没有显著的粘附力；将硅片和该临时性托盘一起送入光刻机，进行光阻的旋转涂覆，曝光及显影；最后将硅片和该临时性托盘分离本发明避免了光刻机被硅片背面金属沾污，可将前后道硅片用同一台光刻机进行工艺，提高了产能，同时节省了采购新光刻机的巨额成本。
一种避免光刻硅片背面金属沾污方法