专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种多工位陶瓷滤波器激光刻印机-CN202310865210.6在审
  • 严菲菲;程亮 - 苏州砺宏电子设备有限公司
  • 2023-07-14 - 2023-10-17 - G03F7/20
  • 本发明公开了一种多工位陶瓷滤波器激光刻印机,包括光刻机箱、输送机构、定位机构、限位机构,输送机构设置在光刻机箱的顶端,输送机构包括振动盘、输送板,光刻机箱的顶端固定安装有振动机,振动盘固定安装在振动机的顶端,定位机构设置在光刻机箱的顶端,输送板固定安装在光刻机箱靠近振动盘的顶端,输送板位于振动盘和定位机构之间,所述光刻机箱靠近定位机构的顶端固定安装有光刻设备主体,本发明一种多工位陶瓷滤波器激光刻印机,通过顶杆和压杆能够对光刻时的硅片进行限位,从而使得硅片光刻更加稳定,同时通过弹簧可以对夹持的硅片进行缓冲,避免加持力过大对硅片造成损伤,并且可以实现对不同型号的硅片进行光刻
  • 一种多工位陶瓷滤波器激光刻印
  • [发明专利]一种全自动双面数字光刻方法-CN202210115530.5有效
  • 陈志特;王华;黄海浩;甘泉;何增灿;龚海峰 - 广东科视光学技术股份有限公司
  • 2022-02-07 - 2022-11-15 - G03F7/20
  • 本发明公开一种全自动双面数字光刻方法,包括:将线路板从上料工位转移至第一输送线上,并通过第一输送线将其输送至第一拍板工位;待线路板完成拍中定位后,将线路板转移至第一光刻平台,并控制第一光刻平台转移至光刻的下方;控制光刻启动,光刻完成后,控制光刻停止;将第一光刻平台上的线路板转移至第二输送线上,并通过第二输送线将其输送至翻面工位;线路板完成翻转后,将其输送至分流工位;线路板通过第三输送线输送至第二拍板工位;待线路板完成拍中定位后,将该线路板转移至第二光刻平台,并控制第二光刻平台转移至光刻的下方;控制光刻启动,光刻完成后,控制光刻停止;将第二光刻平台上的线路板转移至第二输送线上。
  • 一种全自动双面数字光刻方法
  • [实用新型]一种具有真空检测装置的光刻-CN202021870538.5有效
  • 周铁平 - 周铁平
  • 2020-08-31 - 2021-04-23 - G03F7/20
  • 本实用新型公开了一种具有真空检测装置的光刻,包括光刻本体,所述光刻本体内壁底部的右侧活动安装有传动带,所述传动带的左侧设置有真空检测机构,所述真空检测机构包括密封检测罩、伸缩管、连接管和真空泵,所述密封检测罩设置在光刻本体内壁底部的左侧本实用新型通过设置真空检测机构,对密封罩进行抽真空,再通过检测板对原料进行检测,从而达到了可以进行真空检测的效果,解决了现有的光刻不能进行真空检测的问题,该具有真空检测装置的光刻,具备可以进行真空检测的优点,原料在光刻加工后不需要使用者将原料拿到真空检测装置内部进行检测。
  • 一种具有真空检测装置光刻
  • [发明专利]一种非机械光扫描光纤光刻-CN202210805811.3在审
  • 李西军 - 西湖大学
  • 2022-07-08 - 2022-09-30 - G03F7/20
  • 本公开实施例提出一种非机械光扫描光纤光刻,包括控制装置、激光光源、光扫描系统以及电驱动工件台。本公开实施例通过采用光纤将激光光源和光扫描系统简化光路调整,避免自由空间发射激光的光刻在设计和生产上采用复数个光学透镜或透镜组的困难,使得光纤光刻光路设计、安装简单,制造和维护成本都大大降低;采用光纤连接激光光源和光扫描系统,有效减小光刻的几何尺寸;采用电光或声光调制实现对光刻的激光光能的开关,结合非机械光扫描和电驱动位移台的移动,实现光刻的图案化功能;采用复数根光纤组成阵列,单个或复数个非机械光扫描器组成阵列,形成为多束光纤光刻,提高光刻的加工速率。
  • 一种机械扫描光纤光刻
  • [发明专利]光刻参数的修正方法及系统-CN201110348440.2有效
  • 许宗能;蔡建祥;周玮;杨兆宇 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2011-11-07 - 2013-05-08 - G03F7/20
  • 本发明涉及一种光刻参数修正方法及系统,该方法包括多个机台将产品输送至光刻进行处理;于光刻已处理批次产品中,分别收集各个机台所输送产品的数据;根据收集的各个机台所输送产品的数据,分别获取各个机台对应的修正值,每个机台对应的修正值仅根据该机台所输送产品的数据获取;根据光刻当前批次产品对应的机台,将机台对应的修正值交予光刻,修正光刻参数,修正后光刻对当前批次产品进行处理。本发明获取准确的修正值,准确的对当前及以后批次产品进行修正,减少光阻返工问题,使得光阻返工率大大降低,保证产品批与批之间的稳定性,节约大量的人力和材料的浪费,保证产品出货时间,也提高了光刻的利用率。
  • 光刻参数修正方法系统
  • [发明专利]光刻对接接口模块的可抽拉式水平调节装置-CN201310528876.9有效
  • 张浩渊 - 沈阳芯源微电子设备有限公司
  • 2013-10-30 - 2015-05-06 - G03F7/20
  • 本发明属于半导体生产领域,具体地说是一种光刻对接接口模块的可抽拉式水平调节装置,光刻对接接口模块安装在地基平台上,并位于涂胶显影光刻之间;可抽拉式水平调节装置包括滚动脚轮、连接板、调平顶丝及模块焊接板,模块焊接板安装在所述光刻对接接口模块的底面,连接板通过调平顶丝与模块焊接板连接,在连接板上设有可滚动的滚动脚轮,滚动脚轮落在地基平台上;光刻对接接口模块通过调平顶丝调整至与地基平台平行,连接板在光刻对接接口模块调整后与模块焊接板之间的位置固定本发明可以对光刻对接接口模块任意抽拉归位,不需要重新调整模块的水平,便于维护,节约了维护时间,省时省力。
  • 光刻对接接口模块可抽拉式水平调节装置
  • [发明专利]光刻的监控方法及监控系统-CN202310634091.3在审
  • 吴杰;卢荣金;娄迪 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2023-05-31 - 2023-08-25 - G03F7/20
  • 本发明提供的光刻的监控方法及监控系统中,光刻的监控方法包括:提供一晶圆,晶圆上形成有掩膜层;执行曝光工艺,以将掩膜版上的图形转移到掩膜层上;采用外观检测设备对晶圆进行宏观目检,以通过不同散焦类型监控光刻是否异常无需采用超平的晶圆,也无需使用像面倾斜的专用掩膜版,更不需要光刻停止作业,且通过一片晶圆和一次正常的曝光工艺,能够同时至少监控两种异常类型,简化了光刻的日常监控方法,通过外观检测设备目检的方式直接表征光刻焦点状态,降低异常影响率,提高光刻利用率。
  • 光刻监控方法系统
  • [实用新型]一种半导体生产制造用光刻-CN202122070924.7有效
  • 杨洁 - 杨洁
  • 2021-08-31 - 2022-04-01 - G03F7/20
  • 本实用新型属于光刻技术领域,尤其为一种半导体生产制造用光刻,针对现有的光刻大多不便于对其进行安装与拆卸的工作,从而导致光刻的更换或维修工作耗时较久的问题,现提出如下方案,其包括光刻本体、支撑柱与底座,所述支撑柱的底部固定安装在底座的顶部,光刻本体的底部固定安装有矩形柱,所述矩形柱的外侧内壁上活动抵接有插板,插板的外侧与支撑柱的内壁滑动连接,插板的一侧延伸至支撑柱的外侧并固定安装有连接板,连接板的底部内壁上固定安装有第一弹簧本实用新型结构设计合理,通过插板与矩形柱的卡接配合以及插杆与支撑柱的卡接,方便对光刻本体进行快速的安装与拆卸工作,可靠性高。
  • 一种半导体生产制造用光
  • [发明专利]光刻曝光剂量控制方法-CN200910199446.0有效
  • 张俊;张志钢;罗闻 - 上海微电子装备有限公司
  • 2009-11-26 - 2011-06-01 - G03F7/20
  • 本发明的光刻曝光剂量控制方法包括以下步骤:步骤1,向光刻的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件;所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req;步骤2,光刻的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析,选择偏好数学模型进行运算,得到剂量控制参数;步骤3,光刻的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数,控制光刻进行曝光。本发明的光刻曝光剂量控制方法灵活性强,测试过程中,操作简单、直观。
  • 光刻曝光剂量控制方法
  • [发明专利]光刻的套刻误差校正方法及系统、光刻-CN201910818849.2有效
  • 不公告发明人 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2019-08-30 - 2022-12-16 - G03F7/20
  • 本发明涉及一种光刻的套刻误差校正方法及系统、光刻。该方法包括:获取闲置时间,所述闲置时间指当前批次曝光工艺开始前光刻的非曝光时间;光刻进行当前批次第一片晶圆曝光前通过闲置时间与套刻补偿值的关系模型及闲置时间获取第一片晶圆对应的套刻补偿值,所述光刻根据所述对应的套刻补偿值对第一片晶圆进行曝光,消除了当前批次曝光工艺开始前光刻的闲置时间对当前批次第一片晶圆的套刻精度的影响,消除了同批次产品进行曝光工艺时的第一片效应。
  • 光刻误差校正方法系统

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