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[实用新型]一种基于紫外LED光源的光刻机-CN201120292158.2有效
发明人：王向贤;明海;张斗国;胡继刚;陈鲁;汪波;陈漪恺 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种基于紫外LED光源的光刻机，其结构包括实现光束均匀辐照曝光的紫外LED光源光学系统，控制曝光时间和相对辐照强度的发光控制器，光栏，光刻掩模板和光刻基片，该光刻机可采用接触式或接近式曝光本实用新型结构简单，与传统的基于汞灯光源的光刻机系统比较，本实用新型使用紫外LED光源，曝光时间和曝光辐照强度通过对光源系统本身的控制完成，不需要额外加入滤光片和光电快门。该光刻机是一种结构简单、运行稳定、寿命长、散热小、高效、节能、环保的光刻系统。本实用新型可用于微电子、微纳光子器件制备等微纳加工领域。
一种基于紫外 led 光源光刻

[发明专利]一种用于某光刻机探针悬浮的结构-CN201711131467.X在审
发明人：王皓;吕亦乐;褚佳伟;徐芮 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于某光刻机探针悬浮的结构，用于使某光刻机探针悬浮并使探针始终与光刻机底部硅片平行。将该结构运用于某种光刻机上，在进行调平后，便能通过悬浮控制系统使光刻机在光刻的过程中探针始终与硅片平行。
一种用于光刻探针悬浮结构

[发明专利]光刻机原位多通道成像质量检测装置及方法-CN201510325941.7有效
发明人：唐锋;李杰;王向朝;冯鹏;徐世福;卢云君 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻机原位多通道成像质量检测装置及方法，该装置包括光刻机的光源、照明系统、掩模台、投影物镜、工件台和计算机，还包括物面光栅板、波像差传感器。利用该装置原位检测光刻机的成像质量波像差、畸变与场曲，提高了成像质量检测的并行通道数和检测速度。
光刻原位通道成像质量检测装置方法

[发明专利]电极制作方法、电极和半导体器件-CN202310320076.1有效
发明人：陈晓阳;倪烨;姚光强;孟腾飞;于海洋;王永安;孙志国 -专利权人：北京航天微电科技有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种电极制作方法、电极和半导体器件，属于半导体器件领域，方法包括在硅衬底表面溅射预设厚度的电极层；调整光刻机的曝光参数，通过调整后的光刻机在电极层的表面制备侧壁呈斜坡结构的光刻胶图形，其中，调整后的光刻机发出的光线在光刻胶的制备过程中发生衍射效应；根据光刻胶图形和预设的刻蚀工艺参数调整方案，通过刻蚀机对电极层进行刻蚀，得到侧壁呈斜坡结构的电极图形。本发明利用光线的衍射效应，通过调整光刻机的曝光参数，制备出侧壁呈斜坡结构的光刻胶图形，通过调整干法刻蚀工艺参数，制备出侧壁呈斜坡结构的电极图形，减少电极图形与薄膜之间因高度差而造成的影响，避免在后续工艺过程中造成薄膜的破裂
电极制作方法半导体器件

[发明专利]一种减小光刻沟槽线宽极限的方法-CN202210140852.5在审
发明人：刘骏秋;叶志超;贾海燕 -专利权人：杭州芯傲光电有限公司
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本发明为一种减小光刻沟槽线宽极限的方法，属于半导体制备领域，克服了现有的光刻机线宽的限制，可替代采用更高精度的光刻机获得沟槽的方法，采用技术方案如下：步骤1，在半导体衬底表面形成下包层；步骤2，在所述下包层表面涂覆光刻胶，采用光刻工艺在光刻胶表面形成光刻胶图形；步骤3，利用湿法刻蚀或干法刻蚀，刻蚀不包覆光刻胶的下包层得到沟槽；步骤4，在步骤1得到的下包层表面和所述沟槽表面沉积隔离层，获得更小线宽沟槽。本发明通过在沟槽中沉积隔离层，通过隔离层减小沟槽宽度，从而得到更小线宽的沟槽结构，克服了光刻线宽的限制，即在使用更低分辨率的光刻机的情况下，就可以实现更高分辨率的光刻机才能达到的光刻线宽。
一种减小光刻沟槽极限方法

[发明专利]一种基于无掩模光刻机的三维轮廓显微测量方法-CN201811043168.5有效
发明人：万新军;解树平;宋可;宾博逸;吕宋;陶雪辰;苏程程;陈红豆 -专利权人：苏州瑞霏光电科技有限公司
申请日： 2018-09-07 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： G01B11/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于无掩模光刻机的三维轮廓显微测量方法，所述的测量方法在光刻机上进行，所述光刻机包括光源、空间光调制器、第一透镜、分光镜、相机、第二透镜、第三透镜和载物台；所述的测量方法包括：S1.调节样品与第三透镜之间的位置本发明提供一种基于无掩模光刻机的三维轮廓显微测量方法，利用无掩模光刻机的现有硬件，实现光刻样品的三维形貌测量，使光刻机能够同时实现光刻和三维检测的复合功能。
一种基于无掩模光刻三维轮廓显微测量方法

[发明专利]光刻机光源输出能量的建模方法及模型-CN202310682658.4在审
发明人：刘锴锋;梁赛;冯泽斌;徐向宇;江锐 -专利权人：北京科益虹源光电技术有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及光刻机光源技术领域，具体涉及光刻机光源输出能量的建模方法及模型，所述方法包括：在同一输入电压下各burst的同一位置脉冲对应的各输出能量值中，随机选取一个作为该输入电压下、该burst内的当前位置脉冲的输出能量值，构建原始输出能量模型；针对光刻机光源输出能量进行频域分析，确定风机振动为所述输出能量的最大干扰后，构建干扰信号模型；在原始输出能量模型中加入干扰信号模型，得到光刻机光源输出能量模型。
光刻光源输出能量建模方法模型

[发明专利]一种光刻机台的控制装置及方法-CN201010614732.1无效
发明人：詹祥宇;李劲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G05B19/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻机台的控制装置及方法，其中装置包括：光刻机台控制模块，用于根据需要进行光刻操作的产品的描述信息，查找与该产品的描述信息对应的光刻机台控制信息；根据查找到的光刻机台控制信息，确定各光刻工步应使用的光刻机台；制造执行模块，用于根据光刻机台控制模块确定的光刻机台对该产品进行光刻工艺操作。本发明实施例提供的光刻机台的控制装置及方法，在对产品进行光刻操作之前，用户可针对不同光刻工艺要求的产品，预先设置与其对应的光刻机台控制信息，进而能够实现对不同的光刻机台，选择使用适宜其光刻工艺要求的光刻机台进行光刻，提高了对产品进行光刻的光刻机台选择的灵活性并相应地提高了光刻的准确度。
一种光刻机台控制装置方法

[发明专利]一种非接触自动中心对准套刻投影光刻机-CN201911338127.3在审
发明人：刘俊伯;冯金花;赵立新;杜婧;胡淘 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种非接触自动中心对准套刻的投影光刻机。该投影光刻机主要基于多个民生领域对温度、压力、电容、应变等传感芯片的巨大需求，填补国内传感芯片专用投影光刻机的空白。该非接触自动中心对准套刻的投影光刻机有效光刻分辨可达2μm；外形套刻精度：优于±3μm；图形套刻精度：优于±500nm；并行对准基片数量：＞100片；生产效率：＞1000片/小时。
一种接触自动中心对准投影光刻

[发明专利]一种EUV光掩模缺陷定位方法-CN202111671010.4在审
发明人：郑怀志 -专利权人：广州新锐光掩模科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：本申请提供了一种EUV光掩模缺陷定位方法，属于EUV光刻技术领域，所述方法包括以下步骤：在EUV光掩模基板上制备光刻机需要的对准图形；检测缺陷位置,得到坐标(x,y)；光刻机根据所述对准图形进行对准；光刻机以所述缺陷位置为固定点写入规则图形并显影；获得缺陷在所述规则图形中距离所述固定点的横向距离Δx和纵向距离Δy；计算得到缺陷在光刻机坐标系下的精确坐标(x+Δx，y+Δy)。
一种 euv 光掩模缺陷定位方法

[发明专利]一种光刻物镜的畸变补偿方法-CN201210174316.3无效
发明人：吴俊;李文静;张昌清;刘文海 -专利权人：合肥芯硕半导体有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明属于半导体光刻技术领域，具体涉及一种光刻物镜的畸变补偿方法。本方法首先根据两相异大小的图形标定光刻物镜的畸变，以拟合出光刻物镜的畸变曲线；再根据拟合出的光刻物镜的畸变曲线，对曝光图形进行补偿修正，从而补偿光刻机系统中的畸变，提高曝光图形的质量。本发明可以降低光刻机对光刻物镜的高要求，减小光刻物镜在设计、加工和装调中的难度，既降低了成本，又节省了周期。同时本发明适用于无掩膜直写光刻机装置中任何光刻物镜，适用范围广且适用性强。
一种光刻物镜畸变补偿方法

[发明专利]一种光刻机-CN200610027271.1无效
发明人：翟晶;刘晖 -专利权人：上海微电子装备有限公司
申请日： 2006-06-02 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明设计一种光刻机，将传统光刻机的工件台、掩膜台与投影系统均旋转90度，这样做使得工件台和掩膜台在垂直平面内运动，从而消除了掩膜台和工件台的运动对整机稳定性的影响，降低了控制补偿的难度，提高了光刻机工作稳定性
一种光刻

[发明专利]一种用于直写式光刻机拼板曝光的方法-CN201910534114.7在审
发明人：赵美云 -专利权人：合肥芯碁微电子装备有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种用于直写式光刻机拼板曝光的方法，可解决现有的曝光方法产能较低的技术问题。包括以下步骤：S100、设定光刻机拼板模式；S200、将光刻机拼板按照M行N列模式放在曝光精密平台上；S300、读取单片光刻机板卡图形信息；S400、使用对位相机以最短路径采集每片光刻机板卡上的对位点信息；S500、把采集到的对位点信息，按照对位模型计算指定对位模型参数；S600、将单片光刻机板卡图形组合成M行N列的图形，应用对应的板卡对位参数；S700、对应用对位参数的图形，处理矢量数据，输出指定格式数据
板卡对位光刻机拼板曝光直写式光刻机对位点产能单片应用采集读取变形参数格式数据精密平台模型参数模型计算矢量数据输出指定图形拼接图形信息图形资料图形组合最短路径单板拼接相机保证

[实用新型]一种排湿装置、空调设备及光刻机-CN201921423086.3有效
发明人：吴天祺;陆捷 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： F24F1/0083 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种排湿装置、空调设备及光刻机，所述排湿装置可拆卸设置于所述空调设备的进风口，所述排湿装置控制进入所述空调设备的空气的第一湿度，所述空调设备控制进入所述光刻机的空气的第二湿度。本实用新型提供的所述排湿装置可拆卸设置于所述空调设备的进风口，无需改变现有空调设备的结构，结构简单，成本低廉；而且易于操作实施，本实用新型提供的空调设备，能够控制进入光刻机的空气的湿度，开关空调设备能够保证光刻机内部的湿度维持恒定，使得空气湿度维持恒定，不存在跳变的情况，对所述光刻机内部部件起到保护作用。
一种装置空调设备光刻

[发明专利]改善光刻机硅片背面静电分布的方法-CN202111344726.3在审
发明人：吴海华;高中原 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H05F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善光刻机硅片背面静电分布的方法，其包括以下步骤：步骤一，将静电消除器安装在光刻机预对准单元侧面；步骤二，通过压缩空气将等离子风吹到硅片表面；步骤三，预对准时，硅片旋转，等离子风中的正负粒子均匀的中和硅片表面电荷本发明可减缓光刻机曝光载片台的磨损。
改善光刻硅片背面静电分布方法

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