“光刻机”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3768584个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种加工透明衬底的光刻工艺-CN202211119620.8在审
发明人：朱健;朱瑞;郝成龙;谭凤泽 -专利权人：深圳迈塔兰斯科技有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种加工透明衬底的光刻工艺，包括：在透明衬底的正面镀设环状结构的增反膜，所述增反膜的宽度大于或等于光刻机探测器的探测精度；所述增反膜被配置为能够反射所述工作波段的光线；基于光刻机对所述透明衬底的正面有效区域进行光刻加工通过本发明实施例提供的加工透明衬底的光刻工艺，在透明衬底的正面镀设环状结构的增反膜，该增反膜能够反射光刻机工作波段的光线，使得设有增反膜的透明衬底被放入光刻机后，能够被光刻机探测器识别到，进而能够实现对透明衬底进行光刻加工；工艺简单，且透明衬底背面没有其它金属膜，不会污染光刻机。
一种加工透明衬底光刻工艺

[发明专利]控制直写式光刻机的方法和直写式光刻机-CN202111235304.2有效
发明人：赵美云 -专利权人：合肥芯碁微电子装备股份有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了控制直写式光刻机的方法和直写式光刻机，直写式光刻机包括空间光调制器件，方法包括：获取原始光刻图形；获得用于本次曝光的形变后光刻图形，并提取其中的第二特征图形数据单元；查询预存的数据仓库；确定数据仓库中存在同类型的目标形变后光刻图形将第二特征图形数据单元与数据序列中的第三特征图形数据单元进行比对；确定存在与第二特征图形数据单元可相互替换的目标第三特征图形数据单元，将对应的空间光调制器件所需数据转换为第二特征图形数据单元对应的空间光调制器件目标数据；控制直写式光刻机的空间光调制器件本发明的控制直写式光刻机的方法处理时间短，可通过软件实现对数据的处理，提升了直写式光刻机的产能。
控制直写式光刻方法

[实用新型]一种便于维护的光刻机-CN202021107984.0有效
发明人：王作义;马洪文;魏关成;高万智;杨虎;陈小铎 -专利权人：上海广奕电子科技股份有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种便于维护的光刻机，包括光刻机本体，所述光刻机本体正表面的两侧均通过铰链转动连接有柜门，所述光刻机本体正表面的两侧均固定连接有固定结构。本实用新型通过固定结构起到了对柜门的固定和释放，进行使用六角扳手操作固定结构，将柜门进行释放，即可将柜门开启，该便于维护的光刻机具备方便启闭的优点，在使用过程中能够使用结构小巧，精密的部件进行传动，进而对柜门进行限位，能够有效的取代螺栓的作用，同时不与发生锈蚀，使用寿命长，提高了光刻机的实用性，解决了现有的光刻机在使用过程中，大多没有设置专门的维护窗口，不利于工作人员进行维护的问题。
一种便于维护光刻

[发明专利]一种投影式光刻机中硅片平台高度控制系统及方法-CN200510029043.3有效
发明人：伍强;朱骏 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2005-08-24 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种投影式光刻机中硅片平台高度控制系统及方法。一种投影式光刻机中硅片平台高度控制系统，包括埋在投影式光刻机硅片平台中和中央控制器相连接的高度控制驱动器阵列，中央控制器通过信号传输系统和光刻机主控制系统相连接。投影式光刻机中硅片平台高度控制方法，包括以下步骤：第一步，测量光刻机系统误差；第二步，将系统误差数据传输到光刻机主控制系统；第三步，算出高度控制驱动器阵列的补偿信号；第四步，光刻机主控制系统将驱动器阵列补偿信号的调节指令发给中央控制器本发明可以降低或者消除在整个曝光区域上的对焦偏差，满足更小的对焦深度的光刻工艺。
一种投影光刻硅片平台高度控制系统方法

[发明专利]同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法-CN201110386793.1有效
发明人：王剑;毛智彪;戴韫青 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-29 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供的一种同一光刻工艺中不同光刻机的匹配方法，包括设计基准晶圆和基准图形；以一系列的曝光参数下的第一光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第一图形，并量测第一图形的尺寸结构；以一系列的曝光参数下的第二光刻机曝光基准晶圆，得到一系列的第二图形，并量测第二图形的尺寸结构；步骤4，选取相同尺寸结构的第一图形和第二图形所对应的曝光参数作为第一光刻机和第二光刻机的相应的基准曝光参数。本发明简单易行，大大减少了生产费用和工作时间，使不同光刻机产生的图形尺寸都能达到一致，保证了批量生产中晶圆产品的质量。
同一光刻工艺不同匹配方法

[发明专利]光刻机及光刻机的控制方法和控制系统、生产设备-CN202110785922.8在审
发明人：林启群 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种光刻机及光刻机的控制方法和控制系统、生产设备，涉及半导体技术领域，光刻机的控制系统包括检测单元、加热单元以及控制单元。本申请实施例通过在光刻机内设置检测单元、加热单元以及控制单元，当控制单元判断出晶圆在光刻机内完成曝光工艺后的停留时间大于预设时长时，会控制加热单元对晶圆进行加热，及时地处理晶圆上光刻胶表面残留水滴，防止残留水滴在光刻胶上造成缺陷
光刻控制方法控制系统生产设备

[发明专利]降低光刻机镜头畸变引起的光刻对准偏差的方法-CN200710094237.0有效
发明人：王雷;黄玮 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2007-11-15 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低光刻机镜头畸变引起的光刻对准偏差的方法，通过在同一曝光单元四周产生对称的光刻套刻图形，可测量出曝光单元上下左右各位置由于镜头畸变而产生的位置变化；然后，根据光刻机镜头畸变调整精度要求，选择合适的光刻套刻模型计算出镜头畸变量，并在每次曝光时通过光刻对准参数的补正来修正畸变量；从而实现了降低光刻机镜头畸变所引起的光刻对准偏差，提高光刻对准精度的目的；同时，该方法使得不同产品在不同光刻机上找到了一个简单的匹配标准，从而使得不同镜头表现的光刻机最终产出的产品能够保持统一性，从而大大提高了生产力；并且，这种方法易于实现，成本较低。
降低光刻镜头畸变引起对准偏差方法

[发明专利]掩模基版、光掩模版及其制备方法-CN202210807167.3在审
发明人：季明华;任新平;黄早红 -专利权人：上海传芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G03F1/58 文献下载
摘要：本申请提供一种掩模基版、光掩模版及其制备方法，应用于光刻机技术领域，其中掩模基版包括透明基底和附着于所述透明基底一表面上的上转换层。通过将所述掩模基版应用于光刻机后，光刻机的主光源可以照射于上转换层，并经上转换层进行上转换后，从透明基底相对于上转换层所在表面的另一表面出射混合光，从而可将该混合光作为混合光源用于光刻机的光线曝光中，使得光刻机获得更高的分辨率和对比度
掩模基版模版及其制备方法

[实用新型]一种具有双工位旋转载片的光刻机-CN202121016583.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：常熟埃眸科技有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有双工位旋转载片的光刻机，包括光刻机本体、半圆形盒盖和放置槽，所述光刻机本体一侧通过螺栓固定有半圆形盒体，所述半圆形盒体内部顶部通过安装架安装有照明灯，所述光刻机本体内部通过螺栓固定有伺服电机本实用新型采用双工位设计，可以提高光刻机的工作效率，同时方便人员观察压印后的晶圆。
一种具有双工旋转光刻

[发明专利]光刻机的内部环境采样装置-CN202310345147.3在审
发明人：王炯;沈璐;郑嘉祺;汤金辉;刘毅 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01N1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻机的内部环境采样装置，属于环境监测技术领域，该光刻机的内部环境采样装置，用于对光刻机内部的TVOC含量进行采样，包括采样泵、第一硅胶软管和Tenax‑TA采样管，第一硅胶软管的一端与采样泵连接，另一端与Tenax‑TA采样管连接，Tenax‑TA采样管远离第一硅胶软管的一端通过第二硅胶软管连接光刻机的采样口。通过特定尺寸和特定材质的采样管和连接头对光刻机进行采样，尽量避免了传统采样手法中硅胶采样管和封瓶膜等采样辅材的使用，保证了光刻机内部环境TVOC采样的有效性和准确性。
光刻内部环境采样装置

[发明专利]减震光刻机及其减震方法-CN202011404941.3有效
发明人：王智洋;张庆源;李群;王春霞 -专利权人：微控物理储能研究开发（深圳）有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： F16F15/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种减震光刻机及其减震方法，所述减震光刻机包括被动隔振装置、设于所述被动隔振装置上的飞轮减震装置、设于所述飞轮减震装置上的光刻机以及与所述被动隔振装置和所述飞轮减震装置电连接的控制系统，所述飞轮减震装置包括支撑所述光刻机且与所述被动隔振装置连接的第一平台、与所述第一平台远离所述光刻机一侧相连的至少三个第一飞轮以及与所述第一飞轮输出端电连接的双向逆变器，三个第一飞轮的中心轴均不平行，双向逆变器与所述光刻机的输入端电连接，所述控制系统包括若干传感器以及与所述传感器和第一飞轮电连接的控制器通过以上方式，可以完全消减被动隔振装置的带宽限制，消除光刻机的摆动，同时大大削弱了线性震动。
减震光刻及其方法

[实用新型]一种浸没式光刻机-CN202320395648.8有效
发明人：胡德立 -专利权人：杭州芯微影半导体有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种浸没式光刻机，属于光刻机领域，所要解决的问题是现有光刻机中载物板清理操作繁琐的问题，采用的方案为：该装置包括为其本体的光刻机，且光刻机的上方还固定安装有位于探测头正下方的载物板；所述载物板的顶侧开设有硅片槽，所述载物板的顶侧开设有位于硅片槽的外侧的液槽，且载物板中开设有与硅片槽内腔和液槽相连通的通槽；该浸没式光刻机，通过载物板上硅片槽的设置，便于根据需求对不同半径的硅片进行卡装，同时在工作完毕后，自动向液槽中灌装清洗液即可使其沿着硅片槽的内壁自动流至排槽中，解决了现有装置需要在工作后手动对载物板进行清洗操作繁琐且易对其造成损伤的问题，本实用新型适用于光刻机领域。
一种浸没光刻

[发明专利]一种检测光刻机焦距偏移的方法-CN201210014990.5有效
发明人：夏婷婷;毛智彪;马兰涛 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种检测光刻机焦距偏移的方法。本发明一种检测光刻机焦距偏移的方法，通过依靠监测实际量测图形与参考图形相似程度从而监测光刻机焦距的偏移，不仅能够及时有效地通过量测量产的晶圆来判断光刻机台焦距的变化情况，还能不受量测干扰从而避免其带来的判断误差
一种检测光刻焦距偏移方法

[发明专利]基于Vxworks操作系统的双工件台光刻机控制系统通信装置-CN201410400092.2有效
发明人：陈兴林;徐加彦;宋法质;刘杨;耿光晓 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H04L29/08 文献下载
摘要：基于Vxworks操作系统的双工件台光刻机控制系统通信装置，属于嵌入式光刻机控制系统通信技术领域。本发明为了解决现有双工件台扫描光刻机与上位机的通信技术由于不能保障数据通信的及时性，影响扫描光刻机的操作精度的问题。它包括上位机、工控机功能模块、运动控制卡、同步控制卡和信号采集板卡，上位机基于MFC构架编写的程序模块实现，工控机功能模块作为下位机，其内部搭载了Vxworks嵌入式实时操作系统，作为整个双工件台扫描光刻机通信系统的中枢，向上通过TCP网络通信协议和上位机进行数据交换，向下通过VME总线和运动控制板卡、同步控制卡、信号采集板卡进行数据的传输。本发明用于双工件台光刻机控制系统的通信。
基于 vxworks 操作系统双工光刻控制系统通信装置

[发明专利]一种非接触式光刻机调平调焦系统、方法和光刻机-CN201310716930.2有效
发明人：杨若夫;敖明武 -专利权人：成都虹博宇光电科技有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G03F7/207 文献下载
摘要：发明公开了一种非接触式光刻机调平调焦系统，包括至少三个光谱共焦位移传感器，用于采集光刻机的掩膜版下表面与位于光刻机上的样片表面的光刻胶层的上表面之间的间隙距离数据；信号处理电路，用于根据所述光谱共焦位移传感器采集的所述间隙距离数据计算处理，输出控制信号到光刻机的承片机构和升降机构，实现对样片的调平与调焦控制，使样片表面的光刻胶层的上表面与所述掩膜版的下表面之间的间隙距离保持在预定工作距离内。本发明同时公开了非接触式光刻机调平调焦方法以及具有所述调平调焦系统的光刻机。本发明取代了现有非接触式调焦调平装置中复杂的光学结构部件，降低了复杂性，容易实现。
一种接触光刻平调系统方法