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[发明专利]超低介电常数薄膜铜互连的制作方法-CN201110274210.6无效
发明人：陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种超低介电常数薄膜铜互连的制作方法，该种制作方法在超低介电常数薄膜上将要形成通孔和沟槽的区域覆盖遮蔽图形，使得超低介电常数薄膜经紫外线照射后仅在上述区域外得到多孔结构的超低介电常数薄膜，将要形成通孔和沟槽区域的超低介电常数薄膜结构致密本发明所述的制作方法具有超低介电常数薄膜的介电常数不变、稳定的优点，同时此制作方法也使得制作流程中刻蚀、灰化、清洗工艺容易完成、效果好。
介电常数薄膜互连制作方法

[实用新型]具有控制波束宽度的小型化天线单元和大规模天线阵列-CN201420450943.X有效
发明人：庄昆杰 -专利权人：庄昆杰
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有控制波束宽度的小型化天线单元和大规模天线阵列，其中，该小型化天线单元包括：辐射片、介质层、微带缝隙天线基板和反射腔；介质层设置于辐射片与微带缝隙天线基板的正面之间，且介质层的介电常数大于空气的介电常数；微带缝隙天线基板采用高介电常数基片，且高介电常数基片的介电常数大于3.5；反射腔设置于微带缝隙天线基板的反面。该小型化天线单元和大规模天线阵列具有更小的体积，且通过改变天线单元中介质层和高介电常数基片的介电常数，可以实现控制波束宽度。
具有控制波束宽度小型化天线单元大规模阵列

[发明专利]补偿介电常数的电容式气固两相流固相体积浓度测量法-CN201511020859.X有效
发明人：王玉涛;邵富群;杨钢;陆增喜 -专利权人：东北大学
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：一种补偿介电常数的电容式气固两相流固相体积浓度测量法，属于多相流检测领域。采用两个电容传感器对固相体积浓度进行测量，由第一电容传感器提供固相介电常数补偿数据，第二电容传感器利用第一电容传感器提供的固相介电常数补偿数据校正因介电常数变化引起的固相体积浓度测量误差，进而由第二电容传感器输出经补偿后的固相体积浓度第一电容传感器和第二电容传感器内均设置有具有相同介电常数的固相介质。本发明在固相介电常数变化情况下，对固相介电常数变化进行补偿，减少或消除固相介电常数变化对固相体积浓度的测量引起的误差，进而在固相介电常数变化时提高固相体积浓度的测量精度。
补偿介电常数电容式气固两相流固相体积浓度测量

[发明专利]在去光阻制程中避免低介电常数介电层劣化的方法-CN02140252.3有效
发明人：张鼎张;刘柏村;莫亦先 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-02 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种在去光阻制程中避免低介电常数介电层劣化的方法，是先于半导体晶片的基底表面形成低介电常数介电层，接着对该低介电常数介电层进行一表面处理，于该低介电常数介电层表面形成钝化层；随后于半导体晶片表面上形成图案化的光阻层，并利用该光阻层作为硬屏蔽来对低介电常数介电层进行一蚀刻制程；最后再去除图案化的光阻层。其中钝化层是用来避免低该介电常数介电层于该去光阻制程中发生介电特性劣化的现象。利用含氮等离子的前处理，于低介电常数介电层表面形成钝化层，进而抑制该低介电常数介电层于去光阻制程中受损而形成Si－OH键，有效避免因Si－OH键吸附水气导致低介电常数介电层发生介电特性劣化的现象。
去光阻制程中避免介电常数介电层劣化方法

[发明专利]介电结构与其制作方法和存储器结构-CN201611198365.5在审
发明人：林哲平;詹电鍼;詹书俨 -专利权人：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2016-12-22 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：介电层包括第一高介电常数介电材料。各结晶粒包括第二高介电常数介电材料，其中各第一结晶粒具有结晶结构，使得各结晶粒的介电常数大于第一高介电常数介电材料的介电常数与20。通过退火工艺于介电层中形成结晶粒可提升介电结构的整体介电常数，并提升存储器结构存储电荷的容量。
结晶粒介电结构介电层高介电常数介电材料存储器结构介电常数整体介电常数存储电荷结晶结构退火工艺制作

[发明专利]半导体结构形成方法-CN201811183706.0在审
发明人：卢仁祥;蔡宗翰;张世勳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体结构形成方法包含：提供一半导体层；于半导体层上方形成介面层；于介面层上方沉积高介电常数介电层；于高介电常数介电层上方形成虚设栅电极；图案化虚设栅电极、高介电常数介电层以及介面层，使得虚设栅电极的宽度小于高介电常数介电层的宽度；沿着虚设栅电极、高介电常数介电层以及介面层的侧壁形成间隔物；形成多个源极/漏极特征；以及以金属栅电极取代虚设栅电极以形成高介电常数金属栅极结构。
高介电常数介电层虚设栅电极介面层半导体层金属栅极结构半导体结构高介电常数金属栅电极源极/漏极间隔物图案化侧壁沉积

[发明专利]静电夹盘外围的插入环的介电常数的调整方法-CN201410612314.7有效
发明人：叶如彬;浦远;倪图强 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2014-11-03 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供了一种静电夹盘外围的插入环的介电常数的调整方法，所述插入环为能够通入和排出流体的中空腔体结构，所述调整方法包括：步骤A、获取插入环的预定介电常数；所述预定介电常数由反应腔体内待加工晶圆上方的等离子体密度及其分布确定；步骤B、根据所述插入环的预定介电常数，选取与所述预定介电常数相对应的流体介电质；步骤C、向所述中空腔体内通入选取的流体介电质。通过本发明提供的调整方法，可以实现插入环介电常数的大幅度且精确调整。
静电外围插入介电常数调整方法

[发明专利]一种近场微波显微镜介电常数测量标定的软接触实现方法-CN202010095658.0有效
发明人：彭斌;黄和;曾慧中;张万里;鞠量 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：一种近场微波显微镜介电常数测量标定的软接触实现方法，属于近场微波显微镜的测试领域。采用至少3个已知介电常数的样品进行软接触测试，得到各样品在软接触时的谐振频率，然后通过拟合的方式得到常数A与f0，完成近场微波显微镜介电常数测量时的标定。本发明方法操作简单，误差较小，有效减小了针尖样品距离对介电常数测量的影响，很好地实现了利用近场微波显微镜测量介电常数时的标定。
一种近场微波显微镜介电常数测量标定接触实现方法

[发明专利]电介质波导管-CN98104084.5无效
发明人：石川容平;谷崎透;西田浩;齐藤笃 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 1998-02-06 - 公布日： 1998-10-14 - 主分类号： H01P3/16 文献下载
摘要：使具有高介电常数部分和低介电常数部分的介电陶瓷片与另一介电陶瓷片层叠起来并烘烤。在其外层表面上形成电极薄膜。那么获得一电介质波导管,其高介电常数部分用作传播区,低介电常数部分用作非传播区。
电介质波导管

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200610135633.9无效
发明人：平濑顺司;粉谷直树;竹冈慎治;冈崎玄;濑部绍夫;相田和彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2006-10-18 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：一种半导体装置，在使用高介电常数栅极绝缘膜的MISFET中，不会恶化高介电常数栅极绝缘膜，提高MISFET的特性。在基板(1)的活性区域上通过高介电常数栅极绝缘膜(4A)形成栅电极(5)。在栅电极(5)的侧面上形成具有高介电常数的绝缘性侧壁(7)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]用电子束硬化低介电常数膜的方法-CN03814617.7无效
发明人：费尔哈德·D·穆加达姆;赵军;蒂莫西·韦德曼;里克·J·罗伯茨;夏立群;亚历山德罗斯·T·迪莫斯;文·H·朱;黄楚范;李丽华;埃利·Y·易;郑毅;斯里尼瓦斯·D·内曼尼;埃里克·霍拉;亦康苏;源松文;莱斯特·A·德克鲁埃;特洛伊·金;戴安·苏吉阿托;彼得·韦曼·李;希沙姆·穆萨德;梅利沙·M·塔姆 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2003-05-08 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：一种在衬底上沉积低介电常数膜的方法。该方法包括在化学气相沉积室中沉积包含硅、碳、氧和氢的低介电常数膜。该方法还包括在足以增加所述低介电常数膜的硬度的条件下将所述低介电常数膜暴露于电子束中。
用电硬化介电常数方法

[发明专利]用于车辆的乘客识别装置-CN201911023018.2在审
发明人：申平植;朴春硕 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2019-10-25 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： B60W40/08 文献下载
摘要：提供一种用于车辆的乘客识别装置，以通过感测介电常数的变化的传感器和感测压力的变化的传感器的集成来识别乘客。该装置包括介电常数变化感测单元和压力变化感测单元，该介电常数变化感测单元安装在座椅中，并且感测由就座在座椅上的乘客的介电常数产生的电容的变化，该压力变化感测单元安装在座椅中，并且感测由就座在座椅上的乘客的载荷产生的压力的变化控制器调节供应给介电常数变化感测单元和压力变化感测单元的电力，并且使用由介电常数变化感测单元和压力变化感测单元感测到的介电常数和压力变化值来确定乘客是否就座在座椅上和乘客的类型。
用于车辆乘客识别装置

[发明专利]一种精确获得PCB走线上下层介电常数差异的仿真方法-CN202110228658.8在审
发明人：黄刚;吴均 -专利权人：深圳市一博科技股份有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： G06F30/394 文献下载
摘要：本发明公开了一种精确获得PCB走线上下层介电常数差异的仿真方法，第一步获得电路板内半固化片压合后的远端信号串扰特性，第二步获得电路板内半固化片压合前的远端信号串扰特性，第三步将半固化片压合前的介电常数在仿真软件中进行仿真，并获得半固化片压合后的介电常数，最终获得真实的PCB走线上下层的介电常数差异值。通过本发明的仿真方法，精确得到半固化片压合后的介电常数，PCB走线设计时，能够选择与芯板介电常数更接近的半固化片，减小半固化片和芯板之间的介电常数差异，从而优化PCB走线设计。
一种精确获得 pcb 线上下层介电常数差异仿真方法

[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202110151249.2在审
发明人：许智育;陈建豪;陈嘉伟;廖善美;陈蕙祺;梁育嘉;林士豪;林揆伦;游国丰;杨丰诚;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：第一栅极介电层包含具有第一介电常数的第一类型的介电材料。第二栅极介电层设置在第一栅极介电层上方。第二栅极介电层包含具有第二介电常数的第二类型的介电材料。第二介电常数大于第一介电常数。第一介电常数和第二介电常数各自大于氧化硅的介电常数。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]基于LGD理论的电场调控电介质的介电常数物理模型-CN202011292563.4在审
发明人：杜小平;赵继广;张建伟;宋一铄;吕潇磊;王阳;陈攀;郜魏柯;杨步一 -专利权人：中国人民解放军战略支援部队航天工程大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于LGD理论的电场调控电介质的介电常数的物理模型。在该模型中，电介质的介电常数分别由固有极化和重定向极化两部分组成，从LGD理论出发，将自由能展开为固有极化项和重定向极化项，从固有极化项出发，将自由能对固有极化求二阶导数，得出介电常数的固有部分与电场之间的数学模型，从重定向极化项出发，考虑受局域随机场的影响，基于双势阱模型，得出介电常数的重定向极化部分与电场之间的数学模型，将固有极化项贡献的介电常数部分和重定向极化项贡献的介电常数部分加和得到晶体总的介电常数与电场的物理模型
基于 lgd 理论电场调控电介质介电常数物理模型