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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]衬底的加工方法-CN201911193755.7在审
发明人：潘强;胡天保 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请提供一种衬底的加工方法，该方法包括：在衬底的第一表面设置介电薄膜，介电薄膜的相对介电常数大于所述衬底的相对介电常数；将所述衬底设置于静电吸盘上，所述衬底的所述第一表面朝向所述静电吸盘；对所述静电吸盘施加预定的电势根据该方法，在衬底背面贴附一层相对介电常数较大的介电薄膜，从而能增强静电吸盘对低介电常数的衬底的吸附力，为低介电常数的衬底加工提供便利，提高加工的可靠性。
衬底加工方法

[发明专利]图像传感器及形成方法-CN202211333938.6在审
发明人：陈林;付文;许乐;孙玉鑫 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及形成方法，于衬底上形成至少两高介电常数层，并于所述衬底内的沟槽的表面上形成至少一高介电常数层，所述沟槽的表面上的高介电常数层的层数少于所述衬底上的高介电常数层，以解决暗电流及白像素的同时本发明在不增加光罩数量的情况下，于所述衬底及所述衬底内的凹槽形成膜厚不一的高介电常数层，得到工艺流程简单且性能提升的图像传感器。
图像传感器形成方法

[发明专利]一种大型变压器绝缘聚合度评估的方法-CN202211486876.2在审
发明人：张俊;王东阳;臧家磊 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：通过频域介电谱实验测试得到复介电常数实部和虚部数据；对获取的复介电常数数据进行介电响应模型参数拟合；然后进行复介电常数虚部的极化损耗和电导损耗分离；之后对变压器绝缘初始复介电常数数据进行相同的处理；基于处理过的当前阶段和初始阶段的复介电常数数据计算聚合度评估的变换因子
一种大型变压器绝缘聚合评估方法

[发明专利]电介质线路以及电子部件-CN201410379939.3有效
发明人：户莳重光;河田智明;畑中洁;樱井俊雄;匈坂康则 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01P3/16 文献下载
摘要：本发明所涉及的电介质线路具备由具有第1相对介电常数的第1电介质构成的线路部、由具有第2相对介电常数的第2电介质构成的周围电介质部。线路部使1GHz～10GHz范围内的1个以上的频率的电磁波传播。第1相对介电常数为1000以上。第2相对介电常数小于第1相对介电常数。
电介质线路以及电子部件

[发明专利]半导体元件及其制法-CN201010002508.7有效
发明人：陈明发 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：半导体基材的背侧被薄化以露出第一衬层，其随后被移除并被具有低介电常数或超低介电常数材料的第二介电层取代。本发明使用一低介电常数衬层或超低介电常数衬层，而不需担心其他工艺中对低介电常数材料造成的伤害。
半导体元件及其制法

[发明专利]一种利用折射率来监测薄膜介电常数稳定性的方法-CN201110163842.5有效
发明人：许隽;王科;侯多源;顾梅梅 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种利用折射率来监测薄膜介电常数稳定性的方法。本发明提出一种利用折射率来监测薄膜介电常数稳定性的方法，通过实验得出折射率与介电常数的函数关系，在监测其他同类介电质薄膜时只要测量出折射率，根据上述函数关系即可得出要检测的介电质薄膜的介电常数，而折射率作为介电质薄膜的必要检测项目，从而可以省去测量介电常数的步骤，从而缩短了日常测机的周期和机台的运行时间。
一种利用折射率监测薄膜介电常数稳定性方法

[发明专利]双闸极介电层及其制造方法-CN02152774.1有效
发明人：侯拓宏;王铭芳;陈启群;杨智伟;姚亮吉;陈世昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2002-11-27 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明提供一种双闸极介电层，其制造方法为，首先，提供一半导体基底，半导体基底具有一第一区块及一第二区块，在半导体基底上形成一第一高介电常数材料介电层并进行一回火步骤以在表面上形成一致密层；接着，在第一高介电常数材料层上形成一第二高介电常数材料层并使密层为蚀刻停止层，蚀刻形成于第一区块上方的第二高介电常数材料层至露出第一高介电常数材料层为止。
双闸极介电层及其制造方法

[发明专利]一种沥青混合料介电常数的测量方法及系统-CN201710084348.7有效
发明人：周绪利;薛忠军;乐兴堃;赵长青;张涛;叶盛波;王友成 -专利权人：北京市道路工程质量监督站
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： G01N27/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种沥青混合料介电常数的测量方法及系统，该方法通过分别获取电磁波在相同距离内经过沥青混合料试件与空气的时间，以及根据所述电磁波经过沥青混合料试件及空气的时间，获取所述沥青混合料试件中的沥青混合料的介电常数该系统包括时间获取单元和介电常数计算单元。本发明的技术方案能够快速、简单且准确的获知待测量的沥青混合料的介电常数，进而能够通过介电常数确定沥青路面的施工质量，为沥青路面施工的管理控制提供了准确且可靠的数据基础。
一种沥青混合介电常数测量方法系统

[发明专利]一种服务器水冷液选取方法及装置-CN202010953335.0有效
发明人：蔡怡君 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开一种服务器水冷液选取方法及装置，测量多种不同介电常数的水冷液中，传输线的散射参数；根据散射参数计算传输线所在PCB板的有效介电常数；建立串扰模型，基于PCB板的有效介电常数计算传输线远端串扰电压；比较各个远端串扰电压，将最小的远端串扰电压所对应的水冷液介电常数记录并保存。本发明最终选择出最小的远端串扰电压对应的的水冷液，记录保存该种水冷液的介电常数，为后续实际使用提供参数，最大程度降低水冷液对PCB传输线的信号传输影响。
一种服务器水冷选取方法装置

[发明专利]一种低介电常数阻燃增强生物基高温聚酰胺材料及其制备方法-CN202111145061.3有效
发明人：倪金平;叶耀挺;梁军杰;陈林飞;陈小鹏;刘文 -专利权人：浙江新力新材料股份有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C08L77/06 文献下载
摘要：本发明提出了低介电常数生物基高温聚酰胺材料及其制备方法，低介电常数生物基高温聚酰胺材料，由以下重量份的30‑60份生物基高温聚酰胺；15‑30份聚三氟氯乙烯；15‑45份玻璃纤维；5‑10份含氟介孔二氧化硅；0.1‑1份抗氧剂；0.1‑1份润滑剂经过双螺杆挤出造粒即得低介电常数生物基高温聚酰胺材料。本发明制备的低介电常数生物基高温聚酰胺材料具有阻燃效率高、力学性能高、低介电常数及加工简便等优点，广泛应用5G通讯行业领域。
一种介电常数阻燃增强生物高温聚酰胺材料及其制备方法

[实用新型]一种高介电常数双面挠性覆铜板-CN201821005718.X有效
发明人：余鹏飞 -专利权人：湖北恒驰电子科技有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： B32B15/01 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种高介电常数双面挠性覆铜板，包括：单面覆铜板、涂布于所述单面覆铜板的高介电常数胶粘剂层、以及压覆于所述高介电常数胶粘剂层的另一单面覆铜板，所述单面覆铜板包括铜箔层以及涂布于所述铜箔层表面的热固性聚酰亚胺层，所述热固性述聚酰亚胺层与所述高介电常数胶粘剂层相邻设置；本实用新型提供的高介电常数双面挠性覆铜板，其具有优异的耐热性、柔韧性及加工性，且可在低温下压合，无需高温压机，降低制造成本。
高介电常数单面覆铜板双面挠性覆铜板胶粘剂层本实用新型热固性聚酰亚胺层耐热性聚酰亚胺层铜箔层表面柔韧性相邻设置制造成本加工性热固性铜箔层下压压覆压机

[实用新型]一种液体介电常数检测器-CN201920573734.7有效
发明人：王兆松;万静;呙明贤;孙枫;苗江云 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种液体介电常数检测器，包括液体输送装置、介电常数检测装置；液体输送装置包括压电陶瓷、储液罐，介电常数检测装置包括设置有衍射腔的测试层、分设于测试层上下两侧的光源、光功率计，通过压电陶瓷的逆压电效应，将储液罐中的液体送入衍射腔中，光功率计测试经过衍射腔衍射的光信号，获取液体的介电常数；本实用新型提供的液体介电常数检测器的结构简单，具有易操作、测试灵敏度高的优点，在折射率传感领域具有重要的实用价值与应用前景
一种液体介电常数检测器

[实用新型]基于低介电常数介质的介质谐振器天线及电子设备-CN202121072803.X有效
发明人：赵伟;唐小兰;戴令亮;谢昱乾 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于低介电常数介质的介质谐振器天线及电子设备，包括层叠的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层包括天线区域，所述天线区域中设有多个过孔；所述第一介质层和第二介质层的介电常数为2.2‑本实用新型可用低介电常数的介质等效出高介电常数的介质谐振器天线，从而避免对高介电常数物体的单独加工及其安装方式所带来的缺点。
基于介电常数介质谐振器天线电子设备

[发明专利]利用等离子体增强化学气相沉积来制造高机械性能的极低K膜的新型硅前驱物-CN200880024356.1有效
发明人：任康树;亚历山德罗斯·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2008-06-19 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： C07F7/00 文献下载
摘要：提供一种在基板上沉积低介电常数膜的方法。此低介电常数膜是利用包含使一种或多种有机硅化合物与成孔剂反应后，再对所沉积膜进行后处理而于膜中产生孔的方法来沉积的。在此所提供的低介电常数膜包括在后处理之前和之后均含有Si-Cx-Si键的膜。此低介电常数膜具有良好的机械力和黏性，以及期望的介电常数。
利用等离子体增强化学沉积制造机械性能新型前驱

[发明专利]通过等离子体增强化学气相沉积制造具有高机械特性的特别低K膜层的新式硅前驱物-CN200980130954.1无效
发明人：任康树;亚历山德罗斯·T·迪莫斯 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供在一基板上沉积低介电常数膜层的方法。用以沉积此低介电常数膜层的程序包含：使一或多个有机硅化合物与成孔剂进行反应，之后将该膜层进行后处理而在膜层中造成孔隙。在此所提供的低介电常数膜层包含在后处理之前和之后均含有Si-Cx-Si键结的膜层。该低介电常数膜层具有良好的机械力和粘性，以及所期望的介电常数值。
通过等离子体增强化学沉积制造具有机械特性特别新式前驱

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