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[发明专利]一种晶圆固定装置及其形成方法、等离子体处理设备-CN201911283373.3有效
发明人：涂乐义;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆固定装置及其形成方法、等离子体处理设备，其中晶圆固定装置可以包括承载晶圆的静电吸盘，以及承载静电吸盘的基座，以及承载基座和静电吸盘的设备板，基座和设备板均为金属材质，设备板和基座可以直接接触，设备板和基座之间也可以填充有柔性导电层，柔性导电层可以提高基座和设备板之间的电接触，增大设备板和基座之间的电容，这样设备板和基座之间可以较大且更稳定的电容，利于设备板和基座之间的射频信号的通过，相应减少其他路径中的射频信号的通过，减少射频信号的功率损失。
一种固定装置及其形成方法等离子体处理设备

[发明专利]一种等离子体处理装置-CN201911200020.2有效
发明人：涂乐义;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置，在聚焦环与基座之间相对面积、相对距离及本身材质固定的情况下，通过在聚焦环与基座之间设置导电材料插入环，来提高聚焦环与基座之间的电容而达到提高聚焦环上电压的目的；通过第一电容调节层实现聚焦环与导电材料插入环之间电容调节，或通过第一电容调节层实现导电材料插入环与基座之间电容调节，最终来调节聚焦环与基座之间电容而达到调节聚焦环上电压的目的。进而，通过提高聚集环上电压，同时通过优化第一电容调节层对电容的调节幅度实现对聚焦环上电压调节的能力，调控半导体基片与聚焦环之间的电场分布达到提高电场分布均一性的效果，保证半导体基片的边缘刻蚀准直性较高。
一种等离子体处理装置

[发明专利]一种具有柔性电介质薄片的等离子体处理装置-CN201910837528.7有效
发明人：王伟娜;涂乐义;梁洁;雷仲礼;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有柔性电介质薄片的等离子体处理装置。柔性电介质薄片的上部与接地环结构导电连接，下部与围成反应腔的腔体外壁导电连接；接地环结构环绕在等离子体处理装置的基座外围，并可随基座一起在反应腔的腔体内上下移动或定位在设定的高度；柔性电介质薄片的最短长度，与接地环结构到腔体之间的最远距离相匹配。本发明的柔性电介质薄片通过优化，有良好的射频电流通过能力，安装方便，使用寿命长，且不产生金属污染。
一种具有柔性电介质薄片等离子体处理装置

[发明专利]用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备-CN201911191612.2有效
发明人：吴磊;魏强;叶如彬;洪韬;张一川;廉晓芳;黄允文 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备，在下电极组件的射频高压导体部件和地之间串联一个射频电阻结构，其一端与射频高压导体部件连接，另一端接地，射频电阻结构的直流电阻小于等于100MΩ，射频阻抗大于等于100KΩ。本发明通过在射频高压部件和接地之间增加射频电阻结构，尽管所述绝缘液体在流动过程中产生静电，但是所述射频电阻结构的射频阻抗较大，使得射频难以通过射频电阻结构接地，同时，所述射频电阻结构的直流电阻较小，使得所产生的静电能够通过射频电阻导入地，因此，有利于防止所述静电累积造成的高压击穿损伤。
用于等离子体处理设备电极组件

[发明专利]一种等离子体处理装置及其约束环组件与方法-CN202010554322.6有效
发明人：王伟娜;吴磊;叶如彬;范光伟 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开一种等离子体处理装置及其约束环组件与方法，反应腔内设置用于支撑基片的下电极组件，射频功率源将射频功率施加至下电极组件，反应腔还包括：等离子体约束环组件，环绕设置于下电极组件外围，包括等离子体约束环和接地环；接地环在等离子体约束环下方，接地环包含内环和外环，内环电接地，内环通过中间件与外环连接，内环与等离子体约束环内侧之间存在第一电容，外环与等离子体约束环外侧之间存在第二电容，第一电容大于第二电容，使得射频电流经由第一电容进入接地环的内环。本发明改变射频回路局部路径，解决等离子体约束环与接地环内环间出现的放电问题，可使用的射频功率的范围变宽；射频回路稳定，机械加工简单、方便。
一种等离子体处理装置及其约束组件方法

[发明专利]等离子体处理装置及基片处理方法-CN202010586822.8有效
发明人：涂乐义;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体处理装置及基片处理方法，所述装置包括：反应腔，上电极，设置在反应腔的顶壁；下电极，位于反应腔内，射频功率源，用于在下电极和上电极间形成射频电流；等离子体约束环，环绕下电极设置；中位接地环，设置在等离子体约束环下方，中位接地环靠近反应腔的侧壁一端与反应腔的侧壁之间具有一定间隙；阻抗调节装置，阻抗调节装置的一端连接反应腔的侧壁，另一端接地，通过阻抗调节装置使第一射频电流路径的阻抗可调节，以对流经第一射频电流路径和第二射频电流路径的射频电流进行分配。本发明能够调节刻蚀速率和准直性的均匀性。
等离子体处理装置方法

[发明专利]处理装置-CN202210121952.3在审
发明人：吴昊;叶如彬;周艳 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理装置，包含：反应腔、用于测量所述反应腔内气压的气压装置，位于所述反应腔与所述气压装置之间的输入管道、第一吸振组件和输出管道相互连通，以及用于支撑所述气压装置的支撑组件，所述支撑组件中还设置有第二吸振组件。本发明设置第一吸振组件和第二吸振组件，能够有效吸收由所述反应腔传导至所述气压装置上的振动，避免反应腔上的振动引起所述气压装置测量数值的异常变化并导致所述反应腔内压力的异常波动，消除反应腔的振动对所述气压装置测量数值的影响，从而保障处理装置半导体工艺制程的稳定性。
处理装置

[发明专利]一种气体喷淋头装置、制备方法及等离子体处理设备-CN202210100347.8在审
发明人：伊凡·比久科夫;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种气体喷淋头装置、制备方法及等离子体处理设备，所述气体喷淋头装置，其用于等离子体刻蚀腔中，所述气体喷淋头装置包含第一面和第二面，所述第二面与等离子体环境接触，所述气体喷淋头装置包括：喷淋头本体，设置于所述等离子体刻蚀腔的顶部；所述喷淋头本体上设置有若干个气体喷淋孔，所述气体喷淋孔由所述第一面贯穿至所述第二面；所述若干个气体喷淋孔内设置有填充物，所述填充物为多孔材料；气体经所述多孔材料通入至所述等离子体刻蚀腔内，以使所述填充物对所述气体通入方向进行控制。本发明通过在气体喷淋孔内填塞填充物，可以对气体流量、流速、通入方向进行控制，以避免引起关键尺寸的偏移。
一种气体喷淋装置制备方法等离子体处理设备

[发明专利]一种控温装置及相应的等离子体处理器-CN202111647241.1在审
发明人：吴昊;叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种控温装置，包括：加热器，为与控温目标体热接触的加热装置，用于使所述控温目标体接触受热升温；冷却器，为与所述加热器热接触的冷却装置，用于使所述加热器以及与加热器热接触的所述控温目标体冷却降温；所述冷却器与加热器之间的热接触面积可以动态调整，用于通过调整热接触面积改变热传导效率，从而控制所述控温目标体的降温或升温的速度和范围。本发明还公开了一种等离子体处理器，包括上述的控温装置。本发明通过动态改变加热器与冷却器之间的热接触面积，能够有效提高热效率和控温动态范围，减小安装基板的径向温度梯度，改善气体喷淋头板的温度可控性、降低加热器功率输出及延长加热器的使用寿命。
一种装置相应等离子体处理器

[发明专利]一种半导体设备喷淋头及等离子体装置-CN202111587451.6在审
发明人： 叶如彬;吴昊;张馨月 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体设备喷淋头，该喷淋头包括：内侧具有阶梯式界面的外环；外侧具有阶梯式界面的中心部；其中，所述外环的阶梯式界面与所述中心部的阶梯式界面匹配搭接，配合形成一个中部可向下凹陷形变的多片式喷淋头，该多片式喷淋头通过连接部与安装基座的下表面连接。本申请中的喷淋头可以向下凹陷形变，并与中心位置发生了形变的安装基座相配合，大大地降低该喷淋头被形变的安装基座应力顶碎的几率。
一种半导体设备喷淋等离子体装置

[发明专利]安装底座、喷淋头组件、控温方法及等离子体处理装置-CN202111341250.8在审
发明人： 叶如彬;吴昊 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种安装底座、喷淋头组件、控温方法及等离子体处理装置。所述安装底座应用于一喷淋头组件，所述喷淋头组件还包括加热器和喷淋头，所述加热器用于对所述喷淋头进行加热，所述安装底座设有流通冷却液的冷却通道，用于对所述喷淋头进行降温，其特征在于，所述安装底座还包括：控温通道，设置于所述冷却通道与所述喷淋头之间的冷却路径上，用于调节所述喷淋头的降温效率。本发明能够实现在高偏置功率时提高冷却效率、低偏置功率时降低冷却效率，改善喷淋头温度可控性、降低加热器功率输出及延长加热器的使用寿命。
安装底座喷淋组件方法等离子体处理装置

[发明专利]多区控温的静电吸盘及等离子体处理装置-CN202111292870.7在审
发明人： 叶如彬;吴昊 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种多区控温的静电吸盘及等离子体处理装置。所述多区控温的静电吸盘包括：陶瓷体，用于承载待处理晶圆；位于所述陶瓷体下方的基座；加热组件，位于所述基座与所述陶瓷体之间，所述加热组件用于对所述陶瓷体进行控温；导热层，设置于所述加热组件与所述陶瓷体之间和/或所述加热组件与所述基座之间，所述导热层分为多个分区，任一所述分区的热导率独立可调。本发明可根据制程需求动态调节控温分区，且解决反应腔的接线数过多和射频过滤器的结构复杂的问题。
多区控温静电吸盘等离子体处理装置

[发明专利]可变热导率的控温组件、方法、系统及等离子体处理装置-CN202111241180.9在审
发明人： 叶如彬;吴昊 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种可变热导率的控温组件，用于等离子体处理装置，其设置于第一组件和第二组件之间，所述第一组件和第二组件在等离子处理装置工作时具有温度差，所述控温组件用于调节所述第一组件和所述第二组件之间的热传导，包括：气密腔体，其包括第一侧和与第一侧正对的第二侧，所述第一侧与所述第一组件相对，所述第二侧与所述第二组件相对；支撑骨架，设置于所述气密腔体内，支撑在所述第一侧和所述第二侧之间；所述气密腔体内用于通入或抽出导热流体，以调节所述控温组件的热导率。相应的，还提供一种控温方法、系统及等离子体处理装置。本发明通过改变控温组件的热导率，调节具有温度差的两个组件之间的热传导。
变热组件方法系统等离子体处理装置

[发明专利]多频率多阶段的等离子体射频输出的方法及其装置-CN201910389487.X有效
发明人： 叶如彬 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用于等离子体刻蚀的射频功率输出的方法，包括：提供多个射频发生器，每个射频发生器输出各自不同频率的射频功率，每个射频发生器输出的功率可变，提供控制器，所述控制器控制所述多个射频发生器在连续脉冲期间输出射频功率，所述连续脉冲的一个脉冲周期包括三个连续阶段，在每个阶段，至少一个射频发生器输出射频功率，所述三个连续阶段分别为产生等离子体阶段、刻蚀阶段、维持等离子阶段，所述脉冲周期的周期长度为50us‑0.1s。该方法可以实现更快的切换速度，在脉冲模式下进行带功率的射频频率切换。
频率阶段等离子体射频输出方法及其装置

[发明专利]一种电容耦合等离子体处理装置及其方法-CN201910574626.6有效
发明人： 叶如彬;涂乐义 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容耦合等离子体处理装置及其方法，该电容耦合等离子体处理装置包括相对设置的上电极和下电极；射频功率源，施加于所述下电极或上电极；偏置功率源，施加于所述下电极；边缘电极，呈环形，设置于所述下电极外围，并与下电极同心，所述边缘电极沿圆周方向分割为至少两个部分；所述边缘电极的各部分通过一阻抗调节单元接地连接，以形成一个边缘射频电流接地通路。本发明通过将边缘电极设为从两段到多段的分段式，每段都连接到各自的阻抗调节单元，接地阻抗可独立调节，可以实现在圆周方向更精确的腔体局部阻抗调节，从而更有针对性的改善刻蚀速率的角向非均匀性。
一种电容耦合等离子体处理装置及其方法

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