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[发明专利]降低集成电路RC延迟的方法-CN201410403716.6在审
发明人：雷通;桑宁波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低集成电路RC延迟的方法，包括：在多孔低介电常数材料中形成铜互连结构，并且在对铜互连结构进行化学机械研磨平坦化处理；在形成铜互连结构的多孔低介电常数材料表面生长铜扩散介质阻挡层；通过光刻和刻蚀工艺将铜互连结构之外的区域的铜扩散介质阻挡层去除，保留铜互连结构上的铜扩散介质阻挡层；再次进行低介电常数材料的生长，从而在保留的铜扩散介质阻挡层和多孔低介电常数材料上形成上部多孔低介电常数材料层；对上部多孔低介电常数材料层进行表面平坦化处理。
降低集成电路 rc 延迟方法

[发明专利]一种高Q值小型化介质波导滤波器-CN202010174421.1在审
发明人：黄振新;叶辰健;薛文斌;唐春宝 -专利权人：苏州威洁通讯科技有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种高Q值小型化介质波导滤波器，包括：由具有第一介电常数的材料制成的屏蔽盒，所述屏蔽盒内形成有屏蔽腔；以及，设置在所述屏蔽盒内、由具有第二介电常数的材料制成的降频组件，所述第二介电常数大于所述第一介电常数由于第二介电常数大于第一介电常数，在工作时可以有效的降低频率，在缩小屏蔽盒尺寸的基础上，有效了提高了介质波导滤波器单腔的Q值，为通信技术发展的小型化和低损耗等方便提供了巨大突破。
一种小型化介质波导滤波器

[发明专利]一种低介电常数PC/PBT合金材料及其制备方法-CN201911379771.5在审
发明人：王雷;杨亚娣;高波;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：会通新材料股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电常数PC/PBT合金材料，该材料包含质量分数为20%‑70%的PC，20%‑70%的PBT，0%‑20%的矿物，0%‑20%的低介电常数填充物，相容剂1%‑5%，0%‑2%的发泡剂本发明选用合适的低介电常数填充物，同时加入矿物、相容剂、润滑剂、抗氧剂，获得一种低介电常数的PC/PBT合金材料，该材料具有刚性韧性平衡、表观良好、尺寸稳定性等优势。本发明制备的低介电常数的PC/PBT合金材料注塑的样件介电常数低，刚性韧性平衡，尺寸稳定好，表观优良，适合用于天线的保护和封装。
一种介电常数 pc pbt 合金材料及其制备方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110148791.2在审
发明人：赖德洋;彭峻彦;张志宇;杨柏峰;杨世海;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：依序沉积非晶的高介电常数的介电层与掺质源层，接着进行沉积后退火。沉积后退火可将非晶的高介电常数的介电层转换成多晶的高介电常数膜，其具有掺质所稳定的结晶晶粒于结晶相中，其中高介电常数的介电层为高介电常数的铁电介电层。在沉积后退火之后，可移除残留的掺质源层。形成栅极于残留的掺质源层(若存在)与多晶的高介电常数膜上。
半导体装置形成方法

[发明专利]一种月壤厚度估计方法、装置及存储介质-CN202210982132.3在审
发明人：童小华;冯永玖;陈书睿;王超;谢欢;刘世杰;许雄;金雁敏;陈鹏;叶真;柳思聪 -专利权人：同济大学
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G01S13/88 文献下载
摘要：获取测月雷达数据，其中，所述测月雷达数据包括雷达回波；步骤2)对测月雷达数据进行预处理；步骤3)基于预处理后的测月雷达数据进行地层划分，并提取月壤层数据；步骤4)基于双曲线法对月壤层数据中的雷达回波中的点目标进行介电常数反演，得到初始介电常数；步骤5)基于有限带宽波阻抗法和初始介电常数进行二维介电常数剖面的高效反演，得到介电常数；步骤6)基于介电常数估计月壤厚度。
一种厚度估计方法装置存储介质

[发明专利]包括未烧结的聚四氟乙烯的介电基板及其制造方法-CN201680079946.9有效
发明人：艾伦·F·霍恩三世;C·J·凯斯;P·A·拉弗朗斯 -专利权人：卡勒克密封技术有限责任公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01B3/00 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种介电基板包括未烧结的聚四氟乙烯；以及高介电常数填料，其中所述高介电常数填料的介电常数大于或等于35；其中所述介电基板具有大于或等于所述介电基板的所计算的理论密度的90％的比重，其中理论比重是基于所述高介电常数填料的所测量的比重、所述未烧结的聚四氟乙烯的所述比重、以及所述未烧结的聚四氟乙烯和所述高介电常数填料的相对重量分数进行计算的；并且其中所述介电基板具有如在10GHz的频率下确定的大于或等于11.5的介电常数。
包括烧结聚四氟乙烯介电基板及其制造方法

[发明专利]一种城市道路地下分层结构的探地雷达介电常数预估方法-CN201710763159.2有效
发明人：郝彤;常阳 -专利权人：同济大学
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G01V3/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种城市道路地下分层结构的探地雷达介电常数预估方法，其特征在于，包括以下步骤：1)构建城市道路地下分层结构模型，获取城市道路地下分层结构中每一层的介电常数；2)根据城市道路地下分层结构中每一层的介电常数计算地下分层结构的预估介电常数；3)将预估介电常数作为探地雷达的先验参数获取待探测物体的深度。与现有技术相比，本发明具有简化探测人员探测经验，同时提供科学化的准确土壤介电常数，为探测提供便利，同时通过本发明可以对现有的探底雷达探测结果进行修真等优点。
介电常数分层结构预估城市道路地下探地雷达探测分层结构模型土壤介电常数雷达探测人员探测先验参数构建便利

[实用新型]一种高Q值小型化介质波导滤波器-CN202020310075.0有效
发明人：黄振新;叶辰健;薛文斌;唐春宝 -专利权人：苏州威洁通讯科技有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高Q值小型化介质波导滤波器，包括：由具有第一介电常数的材料制成的屏蔽盒，所述屏蔽盒内形成有屏蔽腔；以及，设置在所述屏蔽盒内、由具有第二介电常数的材料制成的降频组件，所述第二介电常数大于所述第一介电常数由于第二介电常数大于第一介电常数，在工作时可以有效的降低频率，在缩小屏蔽盒尺寸的基础上，有效了提高了介质波导滤波器单腔的Q值，为通信技术发展的小型化和低损耗等方便提供了巨大突破。
一种小型化介质波导滤波器

[发明专利]一种宽温域介电常数的无损光学测试方法及系统-CN202211540091.9在审
发明人：杨家跃;成涛;费天皓;刘林华 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：本发明公开一种宽温域介电常数的无损光学测试方法及系统，包括：获取电介质材料在不同光波段和不同温度下的椭偏参数，所述椭偏参数为对电介质材料进行椭偏测试后得到；根据椭偏参数得到介电函数，并根据介电函数提取高频介电常数、横向光学声子频率和纵向光学声子频率；根据高频介电常数、横向光学声子频率和纵向光学声子频率得到静态介电常数。实现在宽温度领域下无损且准确的测量静态介电常数。
一种宽温域介电常数无损光学测试方法系统

[发明专利]用于评估XLPE电缆绝缘老化状态的介电分析方法-CN201810580802.2有效
发明人：周利军;蒋晓娟;张屹;陈立荣;王承;陆俊;侯东雨;杨舒婷;周宏;徐伟;何磊;朱宇明;陆青;汤敏吉;沈斌 -专利权人：国网上海市电力公司;西安交通大学
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G01R31/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于评估XLPE电缆绝缘老化状态的介电分析方法，包括以下步骤：步骤1、在设定温度下测量XLPE电缆绝缘的复介电常数的频谱，获得介电常数实部ε'和介电常数虚部ε”随频率的变化曲线；步骤2、对介电常数实部ε'进行数学变化后获得含有介电常数实部ε'的数学式随频率的变化曲线；步骤3、根据步骤2的变化曲线分析XLPE电缆绝缘老化状态。
用于评估 xlpe 电缆绝缘老化状态分析方法

[发明专利]有机硅类低介电常数材料的化学机械研磨平坦化的方法-CN00132398.9无效
发明人：张鼎张;刘柏村 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2000-11-10 - 公布日： 2002-06-12 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种有机硅类低介电常数材料的化学机械研磨平坦化的方法,适用于一基底,此方法的步骤如下首先在基底上形成有机硅类低介电常数材料层,再使用氧电浆处理该基底,以去除部分有机硅类低介电常数材料层中的碳元素;接着进行化学机械研磨步骤,以使经过氧电浆前处理的有机硅类低介电常数材料层平坦化,然后再使用氨气电浆处理基底,以修补受损的有机硅类低介电常数材料层。
有机硅介电常数材料化学机械研磨平坦方法

[实用新型]用于基站天线的天线罩及基站天线-CN201922177424.6有效
发明人：陈长富 -专利权人：康普技术有限责任公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01Q1/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于基站天线的天线罩，包括：第一电介质层，具有第一介电常数和第一厚度；位于所述第一电介质层外侧的第二电介质层，具有第二介电常数和第二厚度；以及位于所述第二电介质层外侧的第三电介质层，具有第三介电常数和第三厚度，其中，所述第一和第三介电常数中的每个大于所述第二介电常数。
用于基站天线天线罩

[实用新型]具有高介电常数介电层的栅极结构-CN200420050503.1无效
发明人：邱显光;彭宝庆;陶宏远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-04-27 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种具有高介电常数介电层的栅极结构。该栅极结构包括一半导体基底，该基底实质上无凹进(recess)或离子造成损伤(damage)，一具有高介电常数的栅极介电层，形成于该基底表面，以及一栅极，形成于该栅极介电层表面。其中该具有高介电常数的栅极介电层是利用干蚀刻法蚀刻部分该具有高介电常数的栅极介电层，然后利用湿蚀刻法蚀刻剩余部分该具有高介电常数的栅极介电层而形成。
具有介电常数介电层栅极结构

[发明专利]低介电常数层间绝缘膜及低介电常数层间绝缘膜的成膜方法-CN201180011792.7无效
发明人：清水秀治;永野修次;大桥芳;加田武史;菅原久胜 -专利权人：大阳日酸株式会社;三化研究所股份有限公司
申请日： 2011-02-25 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明的低介电常数层间绝缘膜，通过等离子体CVD法形成，至少含有碳和硅，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为3.8以下。此外，本发明的低介电常数层间绝缘膜的成膜方法，具有通过等离子体CVD法使至少含有碳和硅的绝缘膜材料成膜的工序，作为所述绝缘膜材料不使用烃，在形成的低介电常数层间绝缘膜中，碳相对于硅的比率为2.5以上，且相对介电常数为
介电常数绝缘方法

[发明专利]一种基于磁控溅射的高介电电容器薄膜制备方法-CN201810788762.0在审
发明人：李琦;成桑;何金良;周垚;曾嵘 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01G4/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁控溅射的高介电电容器薄膜制备方法，通过真空射频磁控溅射技术在聚合物电容器薄膜表面沉积高介电常数层，利用高介电常数层的高介电常数提高薄膜整体的介电常数，并且不对聚合物电容器薄膜原有的性能造成影响
高介电常数层高介电电容器聚合物电容器薄膜制备磁控溅射磁控溅射技术高介电常数薄膜表面薄膜整体复合薄膜介电常数真空射频原有的储能沉积薄膜