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[发明专利]一种宽波束条带型介质贴片天线-CN202310421462.X在审
发明人：徐凯;金力新;施金;唐慧;蔡蓉;陈燕云;张凌燕 -专利权人：南通大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明包括有自上而下依次叠置的顶层高介电常数条带型介质贴片、上层低介电常数基片层、中间金属层结构及下层低介电常数基片层，顶层高介电常数条带型介质贴片的两侧壁分别设置一对相对称的第一金属贴片与第二金属贴片；顶层高介电常数条带型介质贴片的两边分别设置若干个相对称的金属化通孔；金属化通孔贯穿上层低介电常数基片层向下延伸至中间金属层结构；中间金属层结构的中间刻蚀有耦合槽；下层低介电常数基片层的下表面设置底层馈线结构；激励信号由底层馈线结构馈入，经过中间金属层结构上的耦合槽耦合到顶层高介电常数条带型介质贴片，最后向空间进行辐射。
一种波束条带介质天线

[发明专利]降低带状线远端串扰的方法、装置、电子设备和存储介质-CN202310904362.2在审
发明人：赵伟康;杨才坤;慈潭龙 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：其中，方法包括：获取目标印刷电路板的带状线材料参数的取值范围，带状线材料参数包括预浸料相对介电常数和芯板相对介电常数；基于带状线材料参数的取值范围，构造符合阻抗要求的多个不同的预浸料相对介电常数和芯板相对介电常数的比值工况下的带状线结构；针对每一符合阻抗要求的预浸料介电常数和芯板介电常数的比值工况下的带状线结构，分别计算远端串扰值，生成远端串扰数据矩阵；从远端串扰数据矩阵中确定幅值最小的远端串扰值对应的预浸料相对介电常数和芯板相对介电常数组合
降低带状线远端方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种生物柴油混合燃料混合比检测方法-CN201010191235.5无效
发明人：刘玉梅;王丽;宋杰;苏建;潘洪达;戴建国;陈熔;张立斌;曹晓宁;李雪海 -专利权人：吉林大学
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：一种生物柴油混合燃料混合比检测方法，其特征在于：通过对不同混合比例生物柴油混合燃料的相对介电常数值进行测量，分析、确定生物柴油混合比与相对介电常数之间的映射关系，构建基于介电常数的生物柴油混合比测试模型，通过介电常数的测量和标定，确定生物柴油混合燃料混合比。本发明检测方法是通过相对介电常数测试法，对不同混合比例生物柴油混合燃料的相对介电常数值进行测量、分析，确定生物柴油混合比与相对介电常数之间的映射关系，构建混合比测试模型，通过测得介电常数值，确定生物柴油混合燃料混合比
一种生物柴油混合燃料检测方法

[发明专利]半导体装置及集成电路装置-CN200610074383.2无效
发明人：鲁定中;陈学忠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-04-14 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括：基底；第一介电层位于上述基底上，其介电常数小于2.7；及第二介电层，位于上述第一介电层上；介层孔，位于上述第一介电层中；导线，填满于上述沟槽开口内，该导线并电性连接上述介层孔上述第二介电层优选为具有超低介电常数的多孔性介电层材料，上述第二介电层的第二介电常数小于上述第一介电常数、上述第三介电常数、以及上述第四介电常数。本发明可有效的降低介电层的寄生电容值引发的信号延迟，并且可利用超低介电常数及较高介电常数的介电层材料的组合以提升其机械硬度。
半导体装置集成电路

[发明专利]一种形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法-CN201410193143.9有效
发明人：桑宁波;雷通;方精训 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成低介电常数薄膜及其缓冲层的成膜方法，包括：形成第一层金属层；在第一层金属层上生长刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上生长低介电常数薄膜及其缓冲层，其中在生长低介电常数薄膜及其缓冲层时引入两步以上的液源稳定过程；对低介电常数薄膜进行紫外线固化；在低介电常数薄膜上沉积光刻掩模并进行光刻刻蚀。
一种形成介电常数薄膜及其缓冲方法

[发明专利]一种介质复合型亚太赫兹介质波导传输线-CN202110265310.6有效
发明人：施金;耿昕;张凌燕;刘栩;徐凯;郁梅 -专利权人：南通大学;南通先进通信技术研究院有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01P3/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种介质复合型亚太赫兹介质波导传输线，通过两种低介电常数圆环柱介质沿径向方向的交替分布，其中相邻介质圆柱的介电常数不同，而相隔一层的介质圆柱的介电常数相同，最内层介质圆柱的介电常数大于次内层介质圆柱的介电常数
一种介质复合型亚太赫兹介质波导传输线

[发明专利]半导体装置的形成方法及其栅极结构的制造方法-CN201710152290.5有效
发明人：江欣哲;曾主元;梁春昇;王淑慧;潘国华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供一种半导体装置的栅极结构的制造方法，其是包含沉积高介电常数介电层在基材上。形成虚拟金属层在高介电常数介电层上。虚拟金属层包含氟。进行高温制程，以驱动氟自虚拟金属层至高介电常数介电层，借以形成钝化高介电常数介电层。接着，移除虚拟金属层。形成至少一功函数层在钝化高介电常数介电层上。形成填充金属层在至少一功函数层上。
半导体装置形成方法及其栅极结构制造

[发明专利]一种提高低介电常数SiCOH介质薄膜机械强度的方法-CN200810034606.1无效
发明人：章蕾 -专利权人：章蕾
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种提高低介电常数SiCOH介质薄膜机械强度的方法。现有集成电路互连中低介电常数的SiCOH介质薄膜具有较低的介电常数，但是其机械强度不够理想。本发明的方法采用紫外线对低介电常数的SiCOH介质薄膜进行照射，照射时的温度为室温，照射时间大于50小时，紫外线的波长为2537，经过紫外线的照射，低介电常数SiCOH介质薄膜的机械性能有非常明显的提高
一种提高介电常数 sicoh 介质薄膜机械强度方法

[发明专利]转换器-CN201780004959.4在审
发明人：千叶正毅;和气美纪夫;大屋纪之;横田英之;本间正敏;小田切庆一;竹之内宏美;齐木智秋 -专利权人：千叶正毅;和气美纪夫;共立材料株式会社;株式会社ADEKA
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H02N11/00 文献下载
摘要：一种转换器具备第一电极、第二电极、介电弹性体膜和高介电常数膜。介电弹性体膜配置在第一电极与第二电极之间，并且具有相对介电常数ε1。高介电常数膜配置在第一电极与介电弹性体膜之间、和第二电极与介电弹性体膜之间的至少一方，并且具有比相对介电常数ε1大的相对介电常数ε2。
介电弹性体膜相对介电常数第二电极第一电极转换器高介电常数膜配置

[实用新型]介质透镜及天线-CN201921469533.9有效
发明人：段红彬;吕鹏飞;赖展军 -专利权人：京信通信技术（广州）有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01Q15/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种介质透镜及天线，包括柱状介质体和包覆于柱状介质体外侧的环状介质体；柱状介质体由第一材料一体成型，环状介质体由第二材料一体成型，第一材料的介电常数高于第二材料的介电常数；柱状介质体包括中心柱层以及中心柱层向外依次设置的多层第一介质环层，各第一介质环层分别设有用于降低介电常数的第一镂空部，环状介质体包括至少一层第二介质环层，第二介质环层设有用于降低介电常数的第二镂空部；与中心柱层相邻的第一介质环层的等效介电常数低于中心柱层的等效介电常数，各第一介质环层的等效介电常数由内至外逐层降低，第二介质环层的等效介电常数低于相邻的第一介质环层的等效介电常数。
介质透镜天线

[发明专利]一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法-CN201310612730.2有效
发明人：桑宁波;雷通 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提出了一种低介电常数薄膜的紫外线处理方法，增加了紫外线对低介电常数薄膜下半部分处理的效果，使得致孔剂更有效地赶出，使低介电常数薄膜达到理想的介电常数，降低了两层金属之间的互连延时，提高了半导体器件的速度
一种介电常数薄膜紫外线处理方法

[发明专利]银膏及其制造方法以及接合体的制造方法-CN202080087153.8有效
发明人：八十岛司;増山弘太郎;乙川光平;片濑琢磨 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B22F1/107 文献下载
摘要：该银膏是为了直接涂布于铜或铜合金部件的表面以形成银膏层而使用，并且包含银粉末、脂肪酸银、脂肪族胺、介电常数为30以上的高介电常数醇及介电常数小于30的溶剂。将银膏设为100质量％时，高介电常数醇的含量优选为0.01质量％～5质量％。
及其制造方法以及接合

[发明专利]一种多孔介质介电常数的检测方法-CN201711358405.2在审
发明人：宋春芳;罗归一;李静;薛小雯 -专利权人：江南大学
申请日： 2017-12-17 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本发明涉及介电常数检测的技术领域，具体涉及多孔介质介电常数的计算方法。其步骤包括，将含水率较低的样品研磨成粉，并使用自制的圆柱形不锈钢测量单元对不同质量下的粉末状样品进行压实。使用与网络分析仪相连的末端开路同轴探头对压实后的样品进行介电常数测量。运用回归分析方法得出样品介电常数与频率的关系，将样品介电常数实际测量值与预先选用的介电混合方程理论值进行拟合得到一定频率下适用于多孔介质介电常数测量的数学模型。
多孔介质介电常数介电常数测量样品介电常数压实圆柱形不锈钢粉末状样品网络分析仪测量单元回归分析混合方程实际测量数学模型样品研磨含水率检测探头介电拟合同轴开路自制

[发明专利]介电常数估计装置以及具有介电常数估计装置的微波加热装置-CN201880091967.1在审
发明人：阪本芳弘;小笠原史太佳 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2018-04-06 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G01N22/00 文献下载
摘要：为了提供即使不清楚对象物的形状也能够以非接触的方式高精度地估计对象物的介电常数的介电常数估计装置以及具有介电常数估计装置的微波加热装置，介电常数估计装置构成为设置能够将电磁波的偏振波切换为TE波和TM波的发送天线(4)和接收天线(6)，根据来自对象物的TE波的反射波和TM波的反射波，计算TM/TE反射比率，对计算出的TM/TE反射比率和预先存储在存储部(10)中的数据库化的理论值的介电常数数据进行比较，估计对象物的介电常数
介电常数估计装置以及具有微波加热

[发明专利]半导体装置-CN202011392773.0在审
发明人：林大钧;潘国华;廖忠志;吴显扬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：输入/输出装置包括第一栅极结构，其具有界面层；第一高介电常数的介电堆叠，位于界面层上；以及导电层，位于第一高介电常数的介电堆叠上并与其物理接触。核心装置包括第二栅极结构，其具有界面层；第二高介电常数的介电堆叠，位于界面层上，以及导电层，位于第二高介电常数的介电堆叠上并与其物理接触。第一高介电常数的介电堆叠包括第二高介电常数的介电堆叠与第三介电层。
半导体装置