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[发明专利]LED芯片光电数据的分行修正方法-CN202310320043.7在审
发明人：彭超;黄胜蓝;谈健 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片光电数据的分行修正方法，包括以下步骤：选取晶圆中某一晶粒为原点，并建立直角坐标系，通过测试机测得晶圆的光电数据，抽取晶圆中横坐标相同的一列的晶粒的晶粒作为试样，通过标准机测得试样的标准光电数据，选取测试机测得的对应晶粒的光电数据作为非标准光电数据；沿试样中晶粒的纵坐标将整个晶圆分行，通过试样中晶粒的标准光电数据和非标准光电数据，得到所有行的误差集；通过误差集分行修正测试机测得的整个晶圆的光电数据
led 芯片光电数据分行修正方法

[发明专利]一种基于改进YOLOV5的深度学习晶圆焊点检测方法-CN202210362924.0在审
发明人：许江杰;邹艳丽;谭宇飞;余自淳 -专利权人：广西师范大学
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G06T7/90 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于改进YOLOV5的深度学习晶圆焊点检测方法，所述方法为：1）制作晶圆焊点数据集；2）构造注意力机制模块CCANET；3）构造融入注意力机制的YOLOV5网络；4）引入Ghost模块；本发明在使用更少网络参数量的情况下，提高了晶圆焊点检测的精度，在相同情况下，不仅可以检测到更多的晶圆焊点，还能检测到有遮挡的晶圆焊点。
一种基于改进 yolov5 深度学习晶圆焊点检测方法

[发明专利]一种基于人工智能的高带宽芯片含Al材料BH工艺-CN202011618751.1在审
发明人：陈博;赵浩;张静;黎载红 -专利权人：上海波汇科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于人工智能的高带宽芯片含Al材料BH工艺，包括如下步骤：S1获得第一晶圆结构，进行光栅图形制作，以获得第二晶圆结构，进行二次外延生长处理，加入Al材料，得到第三晶圆结构；所述第三晶圆结构进行脊图形处理，得到第四晶圆机构；S3在所述第一晶圆结构、第二晶圆结构、第三晶圆结构和第四晶圆结构上方布设至少两层金属层，作为布线层使用；S4经互联线连接，对第四晶圆结构进行PN限制层生长；S5计算连线间距、线宽、互联线长度；S6集成人工智能通讯芯片；S7外联MPU微处理器模块，制得集成芯片。本发明通过获取四个圆晶结构，多次外延生长，可得到Al材料BH结构，形成两组芯片，具有高带宽、低成本等性能，促使人工智能的实现。
一种基于人工智能带宽芯片 al 材料 bh 工艺

[发明专利]一种基于深度学习网络的晶圆表面缺陷分类方法-CN202310691109.3在审
发明人：周建军;陈森柳;邱权;董然;黄少坡;韦家成;邵阳 -专利权人：北京石油化工学院
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06V10/764 文献下载
摘要：本发明提出一种基于深度学习网络的晶圆表面缺陷分类方法，该方法可以快速准确的判断出晶圆表面缺陷模式，定位其缺陷模式成因。该方法旨在解决晶圆缺陷检测方法中人工强度大，检测效率低等问题。具体流程包括：根据WM‑811K数据集，构建并训练晶圆缺陷检测及分类模型，缺陷检测模型属于二分类，用于判断晶圆图是否存在缺陷，分类模型属于多分类，用于判断具体的缺陷模式类别；将待测样本输入训练好的晶圆缺陷检测及分类模型，判断其缺陷模式；最后通过分析已知样本的缺陷模式成因，推断待测样本的缺陷模式成因，不断优化其工艺流程，提高晶圆产品良率。
一种基于深度学习网络表面缺陷分类方法

[实用新型]一种晶圆切割分离装置-CN201420868415.6有效
发明人：刘思佳 -专利权人：苏州凯锝微电子有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶圆切割分离装置，包括晶圆承载平台、L形可伸缩支架、分离底板和切割刀，所述切割刀固定在所述L形可伸缩支架的顶端，所述晶圆承载平台连接在所述L形可伸缩支架的中间，所述晶圆承载平台上覆盖有粘性膜，所述晶圆承载平台上设有若干通孔，所述分离底板可上下移动的安装在所述晶圆承载平台下方，所述分离底板上设有若干小圆柱体，所述若干小圆柱体的半径和位置与所述晶圆承载平台上的若干通孔匹配，所述小圆柱体的高度大于所述通孔的深度本实用新型集切割和分离与一体，减少成本，节省时间。
一种切割分离装置

[发明专利]一种晶圆表面缺陷检测方法、系统、电子设备及介质-CN202211580487.6在审
发明人：刘暾东;苏永彬;邵桂芳;吴晓敏 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆表面缺陷检测方法、系统、电子设备及介质，涉及半导体晶圆制造领域，该方法将每种类型晶圆取若干张有缺陷和无缺陷图片划分为支持集和查询集，构成任务集；并构建深度学习模型和MAML框架；执行MAML内层循环，取部分任务集中的支持集进行模型训练，训练中的学习率采用ADAM算法进行更新，使用梯度下降法更新内层参数；然后执行MAML外层循环，用查询集继续训练模型，将所有任务的损失函数相加作为外层循环的损失函数
一种表面缺陷检测方法系统电子设备介质

[发明专利]硅晶圆及其制造方法-CN200410056554.X有效
发明人：克里斯托夫·佐伊林;罗伯特·赫茨尔;赖因霍尔德·瓦利希;维尔弗里德·冯·阿蒙 -专利权人：硅电子股份公司
申请日： 2004-08-09 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造单晶硅晶圆的方法，该方法包括下列步骤：通过外延沉积法在硅晶圆的正面上制造一薄层，或在该硅晶圆的正面上制造一薄层，其电阻与该硅晶圆其余部分的电阻不同，或在该硅晶圆的背面上制造一外杂质吸收剂层，及在选定满足上列不等式的温度下将该硅晶圆施以热处理，其中，[Oi]是硅晶圆内的氧浓度，[Oi]^eq (T)是在T温度下硅内氧的溶解度极限，δ_SiO2是二氧化硅的表面能，Ω是沉积氧原子的体积，r是平均COP半径，及k是波兹曼常数，在实施热处理期间，至少该硅晶圆有时是曝露于含氧气体中。本发明还涉及一硅晶圆，该晶圆的正面或背面上载有上述的一种层且实质上无空位集块(COP)。
硅晶圆及其制造方法

[发明专利]一种超声波清洗机-CN202210948314.9在审
发明人：康单 -专利权人：康单
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： B08B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种超声波清洗机，包括放置于地面上方的机体，所述机体的上端内侧安装有清洗槽，且所述清洗槽的内侧设置有提篮，并且所述清洗槽的底部安装有超声波换能器；还包括：支架，固定安装于所述提篮的内侧底部，用来实现对晶圆的承托、放置；安装板，固定安装于所述提篮的上端，所述安装板的上表面螺栓固定安装有第一电机；集液仓，开设于所述机体的下端内部，用来实现废液的回收，所述集液仓的内壁轴连接有凸轮，且所述集液仓的内侧活动设置有滤板。该超声波清洗机可以对多组晶圆进行竖向放置清洗，且可以在清洗过程中对晶圆位置进行自动调节，使得晶圆可以进行全方位有效清洗，同时可以对清洗后的废水进行过滤回收，环保性强。
一种超声波清洗

[发明专利]一种晶粒信息的处理方法和系统-CN202210744420.5在审
发明人：林育琪 -专利权人：深圳宏芯宇电子股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06F40/166 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种晶粒信息的处理方法及系统，属于晶圆检测技术领域，其中，所述方法包括：生成第一表格，第一表格包含第一数据和第二数据，第一数据记录待检测批次的各个盒体的信息，第二数据记录每个盒体中晶粒的数量；生成表格集，表格集包含多个第二表格，一个第二表格对应待检测批次的一个晶圆，第二表格包含多个第三数据，第三数据记录晶圆生产的一个等级的晶粒的数量；从表格集中取出数据集，数据集包含一个或多个第二表格记录的一个或多个第三数据；判断第二数据与数据集是否满足预设条件；满足预设条件时，将数据集关联至第二数据对应的盒体，具有快速且准确地确定盒体中的晶粒相关信息的优点。
一种晶粒信息处理方法系统

[发明专利]一种基于深度学习模型的晶圆良率预测方法-CN201811494897.2有效
发明人：张洁;许鸿伟;吕佑龙;郑鹏 -专利权人：东华大学
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于深度学习模型的晶圆良率预测方法，包括以下步骤：对晶圆实际生产过程中的电性测试参数进行数据预处理，并结合主成分分析方法实现对晶圆电性测试数据中的冗余数据进行处理，获得适合模型输入的低相关性数据；其次对输入的关键电性测试参数进行训练集与测试集的划分，在此基础上设计用于晶圆良率预测的连续型深度信念网络模型，该模型主要包含两部分，第一部分是多隐层的连续型受限制的玻尔兹曼机模型，用于对模型输入变量的特征信息进行提取本发明能够实现利用晶圆生产过程中的电性测试数据对晶圆良率进行准确预测。
一种基于深度学习模型晶圆良率预测方法

[实用新型]一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置-CN201921081322.8有效
发明人：颜超仁;陈章晏;郑涛;丁洋 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种湿法工艺清洗腔室结晶的装置，包括：旋转基座；第一喷嘴，所述第一喷嘴设置在所述旋转基座上；多个第二喷嘴，所述多个第二喷嘴设置在所述旋转基座的边缘处，围绕所述旋转基座中心成同心圆对称分布；晶圆支撑座，所述晶圆支撑座位于所述旋转基座上方，用于承载和/或夹持晶圆进行清洗；杯状集液与排液区，所述杯状集液与排液区构成清洗腔室的侧壁，用于防止化学品溅出，并收集排除采用化学品；进液装置，所述进液装置与所述第一喷嘴、第二喷嘴相连，用于向所述第一喷嘴、第二喷嘴提供清洗液体；以及排液装置，所述排液装置与所述杯状集液与排液区相连，用于排除残余的化学品。
喷嘴旋转基座化学品排液区杯状集液晶圆进液装置排液装置清洗腔室支撑座清洗同心圆本实用新型对称分布湿法工艺边缘处残余的侧壁夹持溅出承载

[发明专利]基于哈里斯鹰算法优化随机森林的良率预测方法及系统-CN202310755878.5在审
发明人：陈一宁;王诗琪;蔡宇;高大为 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F18/243 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于哈里斯鹰算法优化随机森林的良率预测方法及系统，方法包括：获取历史晶圆允收测试数据集；对历史晶圆允收测试数据集中的允收测试数据进行预处理，得到允收测试样本集；通过哈里斯鹰算法迭代优化随机森林模型的关键框架参数并基于关键框架参数对随机森林模型进行修改，构建晶圆良率预测预训练模型；基于允收测试样本集对晶圆良率测试预训练模型进行训练，得到晶圆良率预测模型；将待测允收测试数据输入晶圆良率预测模型中，得到预测结果。
基于里斯算法优化随机森林预测方法系统

[发明专利]一种存储器开发过程中的良品率预测方法-CN202110219510.8有效
发明人：刘瑞盛;蒋信;喻涛 -专利权人：普赛微科技（杭州）有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G06N20/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器开发过程中的良品率预测方法，包括如下步骤：基于预设抽样方法在晶圆上选取多个不同位置进行测试采样，并将采集到的阵列数据按不同位置随机分成训练数据集和测试数据集；识别采集到的阵列数据中影响最终器件/阵列性能、均匀性和良品率的主要参数；基于不同的机器学习算法建立若干个机器学习模型，使用训练数据集训练所述机器学习模型；使用测试数据集分别测试训练后的机器学习模型，根据测试结果确定待使用机器学习模型并进行待测试晶圆的测试该方法主要用于在存储芯片开发过程中快速获取晶圆上所有器件/阵列的整体性能、均匀性和良品率的信息。
一种存储器开发过程中的良品率预测方法

[发明专利]晶粒分离过程中避免损坏的半导体晶圆保护结构-CN200510077459.2有效
发明人：陈宪伟;蔡豪益;许仕勋;楼百尧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-06-21 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明是有关于一种晶粒分离过程中避免损坏的半导体晶圆保护结构。该半导体晶圆包括一个或多个晶粒，每个晶粒具有一边界围绕在一集成电路，用以使各晶粒彼此分离。一种保护结构则配置在晶粒和图案单元之间，用以防止将晶粒自半导体晶圆分离的过程中，对晶粒造成损坏。如此，半导体晶圆能够避免在一晶粒分离过程中造成损坏。
晶粒分离过程避免损坏半导体保护结构

[发明专利]用于化学机械研磨之固定环-CN201910913131.1有效
发明人：鲁荣硕 -专利权人：夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种以一研磨液研磨一晶圆时固定前述晶圆的固定环。前述固定环包含一环状主体以及复数导引件。前述环状主体具有一外表面、一内表面以及一用于容纳前述晶圆的内部空间。每一前述导引件与前述环状主体形成一研磨液捕集区域。前述研磨液捕集区域将前述研磨液导入每一对应之前述通道中。
用于化学机械研磨固定