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[发明专利]接合支撑结构、多个半导体晶圆及其接合方法-CN201910537975.0有效
发明人：李昇展;周正贤;蔡正原;黄志辉;吴国铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供了用于接合半导体晶圆的方法。方法包括在第一半导体晶圆的中心区域上方形成第一集成电路(IC)。第一环形接合支撑结构形成在第一半导体晶圆的环形周边区域上方，其中，第一半导体晶圆的环形周边区域围绕第一半导体晶圆的中心区域。第二半导体晶圆接合至第一半导体晶圆，使得布置在第二半导体晶圆上的第二IC电连接至第一IC。本发明的实施例还提供了接合支撑结构和多个半导体晶圆。
接合支撑结构半导体及其方法

[发明专利]一种晶圆用自动安装设备-CN201911240559.0在审
发明人：吴俊波 -专利权人：吴俊波
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆用自动安装设备，其结构包括晶圆搬运装置、晶圆集收安装盘、活动柱、操作台、底座、回转升降装置，本发明具有的效果：晶圆搬运装置和回转升降装置传动连接，晶圆搬运装置和回转升降装置之间相互配合，横杆内部设有从动轨道和限位轨道，主动轮与从动轨道和限位轨道相配合，活塞杆外壁上均匀分布有齿槽，齿轮和齿槽相啮合，能够使吸盘快速准确的在操作台上进行多轴运动，提高晶圆从扩晶环中取下的速度，同时能够自动准确高效的对晶圆进行搬运，从而提高晶圆的自动化安装效率，降低晶圆的生产成本。
一种晶圆用自动安装设备

[发明专利]一种倒装焊芯片封装缺陷的检测方法-CN202211013390.7在审
发明人：彭祎;方梁洪;李春阳;任超;刘凤 -专利权人：宁波芯健半导体有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明提供的检测方法通过先制备待检测的芯片，具体为在裸晶圆的表面溅射种子层，在种子层上制备焊点阵列，得到初始晶圆；初始晶圆的焊点阵列中的多个焊点通过种子层导通；对初始晶圆进行切割、焊接和引脚成型处理，得到待检测芯片集；待检测芯片集包括多个待检测芯片；再对待检测芯片集的多个待检测芯片中的每个待检测芯片进行电路检测得到每个待检测芯片对应的电路检测结果；基于每个待检测芯片对应的电路检测结果确定该待检测芯片是否为合格芯片。该种基于芯片电性能的检测方法检测效率高，且需要对该晶圆的所有芯片进行检测，避免了漏检，提高了检测精准度。
一种倒装芯片封装缺陷检测方法

[发明专利]划片机多序列晶圆切割方法、系统、智能终端及存储介质-CN202111573089.7在审
发明人：杨云龙;吕孝袁;李铖 -专利权人：江苏京创先进电子科技有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件封装技术领域，尤其涉及一种划片机多序列晶圆切割方法、系统、智能终端及存储介质，旨在解决现有技术存在划片机只能加工单一尺寸晶片的问题，其技术方案是一种划片机多序列晶圆切割方法，包括：获取待加工的产品序列，所述产品序列至少包括待加工产品的尺寸信息以及各个尺寸对应的产品数；获取晶圆图像，在所述晶圆图像上建立以晶圆圆心为坐标原点的二维坐标系，基于所述产品序列在二维坐标系上生成待加工产品的分布阵列；基于所述分布阵列获取切割指令集，所述切割指令至少包括切割路径以及步距序列；基于所述切割指令集控制切割设备执行晶圆切割，本申请具有使得划片机可以在同一晶圆上加工不同尺寸的晶片的效果。
划片序列切割方法系统智能终端存储介质

[发明专利]一种Taiko晶圆全自动贴膜方法及装置-CN202310672210.4在审
发明人：王孝军;范亚飞;袁泉;杨晓岗;牛作艳;韩义 -专利权人：上海允哲机电科技有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种Taiko晶圆全自动贴膜方法及装置，首先利用环切台面的内圈以全覆盖形式吸附晶圆减薄部分，外圈用于吸附台阶环，激光切除台阶环；真空吸盘以全覆盖形式吸附晶圆后，环切台面的内圈停止吸附；真空吸盘将晶圆转移至至真空腔体内；真空腔体内的晶圆承载台面以全覆盖形式吸附晶圆后，真空吸盘停止吸附，晶圆在真空腔体内完成贴膜。本发明晶圆从环切到贴膜过程中均处于被吸附状态，利用环切台面、真空吸盘、晶圆承载台面吸附住晶圆，避免晶圆出现翘曲，保证贴膜效率和贴膜质量；集激光环切、真空贴膜于一体，降低了设备成本，节约了管理成本，经济适用
一种 taiko 圆全自动方法装置

[发明专利]基于晶圆边角和缺口定位的自动校正定标方法-CN201510402036.7有效
发明人：周坚;陈星 -专利权人：睿励科学仪器(上海)有限公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于晶圆边角和缺口定位的自动校正定标方法，其包括移动至定位位置并寻找所述定位位置；如果所述寻找失败并且所述定位位置所在的定位集为最后一组定位集，则实施基于晶圆边角和缺口定位的校正定标步骤本发明实现了系统在定位晶圆时，具有良好定位精度并且通过添加相应的第一定位位置识别图像提高了在定位晶圆时的自动化程度，从而提升了系统的定位的效率。
基于边角缺口定位自动校正定标方法

[发明专利]基于多通道融合双模块YOLOV7网络的晶圆表面宏观缺陷检测方法-CN202310435047.X在审
发明人：孙进;董亮;杨志勇;刘芳军;马宁 -专利权人：扬州思普尔科技有限公司;扬州大学
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供的一种基于多通道融合双模块YOLOV7网络的晶圆表面宏观缺陷检测方法，采用K‑means++聚类绝缘子数据集目标框生成锚框，并在原骨干网络中集成AarTern与HboSou双模块，从而提高特征图的表达能力，优化晶圆缺陷目标的特征表示，提高晶圆缺陷目标的检测效果。进一步实现了避免识别晶圆缺陷时复杂背景图像的干扰，提高晶圆缺陷检测的准确性。
基于通道融合双模 yolov7 网络表面宏观缺陷检测方法

[发明专利]一种基于序列模式挖掘的生产路径分析方法及系统-CN202211592999.4有效
发明人：陈祥一;赵文政;刘林平;谢箭 -专利权人：合肥喆塔科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：发明公开了一种基于序列模式挖掘的生产路径分析方法及系统，包括如下步骤：S1：获取原始工艺路径，找出关键步骤集；S2：遍历关键步骤集找寻满足最小支持度的频繁项集合，计算频繁项集合不为空时，频繁项集合中不同路径的晶圆良率；S3：对不同路径的晶圆良率进行优等路径的最低良率阈值ku的单样本T检验，输出优等路径集；S4：对优等路径集进行合并，得到最佳路径集；S5：计算最佳路径集的准确率和良率，输出最佳路径集的评价指标；该生产路径分析方法可以在众多生产路线中快速准确地找到良率最优的生产路线，从而优化工艺路线，达到提高晶圆良率的目的。
一种基于序列模式挖掘生产路径分析方法系统

[实用新型]晶圆检测设备-CN202223067692.0有效
发明人：韩宁宁;谢永钦;蒋长洪;胡凯;王卫武 -专利权人：深圳市深科达智能装备股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：一种晶圆检测设备，包括探针检测组件、上对位相机组件、晶圆卡盘组件、下对位相机组件、清针组件、移动组件、上下料组件，探针检测组件包括翻板组件和翻板支撑组件，翻板组件转动连接翻板支撑组件，翻板组件上设有探针卡，上对位相机组件用于检测晶圆卡盘组件上的晶圆位置，下对位相机组件用于检测探针卡的位置，移动组件根据上、下对位相机组件的检测结果移动晶圆卡盘组件至探针卡的下方，移动组件还用于移动清针组件至探针卡的下方，清针组件用于清理探针卡，上下料组件用于传输晶圆至晶圆卡盘组件，或从晶圆卡盘组件取走晶圆。如此，晶圆上下料、对位、晶圆检测、探针清理等功能集为一体，并自动化进行，有效提高检测准确度。
检测设备

[发明专利]用于良率损失检测的基于故障密度的聚类-CN202080087253.0在审
发明人： I·鲍尔;M·M·哈格蒂;S·E·里德尔;P·W·金霍恩;A·纳哈尔;G·E·舒特;R·K·克努珀 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：提供了一种用于故障管芯聚类的方法，包括从晶圆的晶圆图中提取(200)晶圆上的故障管芯的数据集，确定(201)用于对故障管芯进行聚类的密度参数，从故障管芯的数据集中去除(202)虚假故障以生成故障管芯的减小的数据集
用于损失检测基于故障密度

[发明专利]具有杂质捕集区域的硅晶圆及其制造方法-CN200810147017.4无效
发明人：徐文庆;何思桦;王荣宗;许松林;郭华皓 -专利权人：昆山中辰硅晶有限公司
申请日： 2008-08-12 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有杂质捕集区域的硅晶圆及其制造方法。根据本发明的硅晶圆包含一硅切片及一第一杂质捕集区域。该硅切片具有一第一表面。该第一杂质捕集区域形成于该硅切片的该第一表面上，并且通过在该硅切片的该第一表面之上的一处理形成。
具有杂质区域硅晶圆及其制造方法

[发明专利]半导体超薄堆叠结构的制造方法-CN202110544381.X在审
发明人：邱志威 -专利权人：邱志威
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体超薄堆叠结构的制造方法，包含以离子注入形成停止层结构于半导体基板内，再于半导体基板的主动面设置电气元件及内连层，以形成半导体晶圆；将两半导体晶圆的内连层相对且上下接合在一起；以背面研磨及薄化制程自上方半导体晶圆的背面去除上方半导体晶圆的部分半导体基板及停止层结构，使上方半导体晶圆形成薄化半导体晶圆，之后逐一在薄化半导体晶圆进行另一半导体晶圆的接合、背面研磨及薄化制程，而逐一往上堆叠另一薄化半导体晶圆，最后对最下方半导体晶圆进行背面研磨及薄化制程。此制造方法可堆叠多层薄化半导体晶圆，满足高积集度要求。
半导体超薄堆叠结构制造方法

[发明专利]一种有效解决晶圆干燥颗粒数干燥后二次污染的结构-CN202011631866.4有效
发明人：徐铭;陈佳炜;邓信甫;李志锋;刘大威 -专利权人：上海至纯洁净系统科技股份有限公司;至微半导体(上海)有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆干燥领域，公开了一种有效解决晶圆干燥颗粒数干燥后二次污染的结构，其技术方案要点是包括外槽体和内槽体，外槽体内侧壁与内槽体外侧壁之间设置有集液槽体，通过在集液槽体内设置的防溅区能够阻挡液体在导向集液槽体内时产生的飞溅，通过设置的导流部能够将液体导向集液槽体内，通过设置的集流部能够将液体集中导向集液槽体底壁面上，通过设置的动力组件能够带动第二防溅板与第三防溅板向相反方向翻转，此时操作能够清洗集液槽体，通过设置的排液部能够将出水孔内的液体排出，从而实现收集并排出机械臂上溢流出来的液体，避免溢流造成干燥后的晶圆被二次污染。
一种有效解决干燥颗粒二次污染结构

[发明专利]一种用于调查晶圆背面异常的定位方法-CN201910374869.5有效
发明人：潘志宣 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种用于调查晶圆背面异常的定位方法，提供一套集光源、透镜、定位图案等构件于一体而获得集成电路生产中调查晶圆背面异常的定位电子图像；通常使用场合,光源、透镜、定位图案以及晶圆位于同一直线上而易获得满意的背面图像；调整透镜与所述光源的距离，使得定位图案的投影边缘与晶圆的边缘对准；通过照相或图示记录纸记录晶圆背面待测图像中的异常点所在位置。本发明利用电子定位图案直接投影在晶圆待测背面上实现晶圆背面的精准定位。调整位置使图案槽口标记与晶圆槽口对准,图案边缘与晶圆边缘对准获得最后的实际照相效果图，定位精度高,使用方便。
一种用于调查背面异常定位方法

[发明专利]采用深度学习的晶圆规则性失效邻近管芯标记方法及相关装置-CN202310330655.4在审
发明人：张林;苏占峰 -专利权人：晶栅科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：采用深度学习的晶圆规则性失效邻近管芯标记方法及相关装置，包括：采集待检测的晶圆数据，建立深度学习训练用的晶圆数据集；构建预先训练好的管芯自动标记深度学习模型；将待检测的晶圆数据输入到预先训练好的管芯自动标记深度学习模型中，进行标注，将被标注的管芯在晶圆的二维图像阵列中突出显示；根据管芯在晶圆的二维图像阵列中突出显示，判断标注结果是否准确，如果不准确，输出提示修改标注的信息，以及将此修改后的标注结果更新模型的信息。
采用深度学习圆规失效邻近管芯标记方法相关装置