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[发明专利]一种快速确定晶圆系统良率和随机良率的方法-CN202211455393.6在审
发明人：陈一宁;乔驿博 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06F17/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速确定晶圆系统良率和随机良率的方法，通过基于获取的晶圆系统内晶圆总片数做出判断处理，一旦晶圆总片数小于第一预设阈值，则判定晶圆系统的良率主要由随机良率决定，计算该随机良率并进一步计算系统良率；一旦晶圆总片数不小于第一预设阈值，判定晶圆系统的良率主要由系统良率决定，计算该系统良率并进一步计算随机良率，再基于记录到的系统良率和随机良率分别与测量次数之间的关系判断系统良率集合和随机良率集合均符合正态分布时，则判定晶圆系统工艺稳定，否则，判定晶圆系统工艺不稳定，从而提高了晶圆系统的良率和随机良率的确定速度及精度。
一种快速确定系统随机方法

[发明专利]基于WAT测试的晶圆良率数据处理方法和计算机设备-CN202210300082.6在审
发明人：杨文浩;刘永利 -专利权人：杭州广立微电子股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G06F9/451 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于WAT测试的晶圆良率数据处理方法和计算机设备。方法包括：展示第一交互界面，第一交互界面包括多个WAT测试参数的可选择组件；响应于用户对可选择组件的选择，确定被选择的WAT测试参数对应的晶圆良率数据；根据晶圆良率数据，生成晶圆良率散点图，并在第一交互界面中显示晶圆良率散点图；晶圆良率散点图包括第一WAT拟合曲线和多个晶圆散点；晶圆良率散点图的横轴表示被选择的WAT测试参数对应的参数值，晶圆良率散点图的纵轴表示晶圆良率；第一WAT拟合曲线基于所述多个晶圆散点的良率数据拟合得到，用于表示被选择的WAT测试参数对应的参数值与所述晶圆良率之间的关系。采用本方法能够提高晶圆可接受度测试的效率。
基于 wat 测试晶圆良率数据处理方法计算机设备

[发明专利]芯片的键合方法及系统-CN201910825436.7有效
发明人：陈勇辉;唐世弋 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片的键合方法及系统，首先获取若干晶圆的良率，然后将良率大于第一设定值的若干晶圆进行晶圆级键合，或者将若干所述晶圆进行两两预匹配并得到预匹配晶圆组的良率，挑出良率大于第三设定值的预匹配晶圆组进行晶圆级键合，而在剩余的所述晶圆中，将良率较大的作为衬底晶圆，良率较小的作为划片晶圆，将所述划片晶圆切成包含多个芯片的键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上，本发明将良率较高的晶圆进行晶圆级键合从而提高了键合的产率，将良率较低的晶圆切成键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上，可以剔除部分不良芯片，从而提高了最终键合芯片的良率，从而降低了产品的制造成本。
晶圆键合良率晶圆级衬底匹配单个芯片芯片划片不良芯片键合芯片制造成本产率成键剔除

[发明专利]产品良率分析系统及方法-CN200510130508.4有效
发明人：林宸霆;吴志宏;李美彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-12-13 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： G06F17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种产品良率分析系统及方法，所述产品良率分析系统，包括下述互相耦合的多个装置。其中一晶圆测试结果撷取装置撷取晶圆测试数据后，由一晶圆缺陷图产生装置据以产生晶圆缺陷图。再由一整合良率计算装置依据上述测试结果数据，计算整合良率值。再由一区域性系统良率计算装置及重复性系统良率计算装置依据上述测试结果数据及晶圆缺陷图，分别计算上述晶圆的区域性系统良率值及重复性系统良率值。最后由一随机良率计算装置依据上述产品整合良率值、上述区域性系统良率值计算重复性系统良率值。本发明能够依据其良率损失的原因的不同，进一步将上述系统良率值分析为区域性系统良率值及重复性系统良率值。
产品分析系统方法

[发明专利]晶圆工作台平整度的监测方法、装置、系统及存储介质-CN202110443221.6在审
发明人：蔡孟勳 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01B21/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶圆工作台平整度的监测方法、装置、系统及存储介质，包括：实时获取晶圆的良率及原始焦距数据；基于原始焦距数据得到晶圆工作台的边缘平整度曲线；基于晶圆的良率得到晶圆的良率曲线；基于边缘平整度曲线和良率曲线得到边缘平整度和良率关于时间的趋势图；基于趋势图确定更换晶圆工作台时对应的晶圆工作台的边缘平整度值。上述晶圆工作台平整度的监测方法可以提高监测方法的适用性且降低成本；并且在实现对晶圆工作台平整度的在线监测的同时还不会影响晶圆处理效率。并且，有利于操作人员知晓何时更换晶圆工作台，避免晶圆工作台磨损超过一定程度而造成晶圆的良率过低。
工作台平整监测方法装置系统存储介质

[发明专利]晶圆布局的设计方法及光刻机曝光系统-CN202010486727.0在审
发明人：许威 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体技术领域，公开了一种晶圆布局的设计方法及光刻机曝光系统。本发明中晶圆布局的设计方法，包括：提供初始晶圆布局下的晶圆的良率分布图；根据所述良率分布图确定所述晶圆的良率边缘位置；根据晶粒尺寸以及所述良率边缘位置计算得到新的晶圆布局，根据此种晶圆布局的设计方法得到的晶圆布局在生产时得到的合格晶粒的数目较多
布局设计方法光刻曝光系统

[发明专利]晶圆良率损失预测方法及自定义缺陷密度图形自报告系统-CN202110863716.4在审
发明人：胡向华;汪金凤;何广智;顾晓芳;倪棋梁 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆良率损失预测方法及自定义缺陷密度图形自报告系统，其中，所述晶圆良率损失预测方法包括依次获取晶圆上所有芯片的整体缺陷密度；建立缺陷密度数据模型；获取所述晶圆的缺陷密度图形；依次分析所述缺陷密度图形中所有芯片的失效率；以及，预测所述晶圆的良率损失情况。本发明通过建立晶圆的缺陷密度数据模型自动输出不同的缺陷密度范围对应的缺陷密度图形并预测晶圆上所有芯片的良率损失情况，为缺陷分析提供精准的缺陷密度报告以及良率损失预测。
晶圆良率损失预测方法自定义缺陷密度图形报告系统

[发明专利]一种LED晶圆良率检测方法-CN202110154903.5在审
发明人：竺时育;张梁;孙毅堂;陈云龙 -专利权人：苏州众里数码科技有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED晶圆良率检测方法，包括以下步骤：S1、利用机器视觉捕捉模块捕捉待检测晶圆上与工艺缺陷特征模块中相同的晶圆缺陷特征；S2、通过晶圆缺陷处理模块统计并记录下待检测晶圆的缺陷特征位置及缺陷数目，并用红框和绿框区分有无缺陷的位置，红框表示晶圆存在缺陷特征的位置，绿框表示晶圆无缺陷特征的位置。本发明中，相较于现有的需要切割晶圆后再通过人工目视检查晶圆的良率检测方法而言，本发明无需切割晶圆即可预判晶圆良率，避免晶圆切割封装才发现良率异常的情况发生，提高晶圆检查效率，使得晶圆检查效率可以紧跟制造速度
一种 led 晶圆良率检测方法

[发明专利]一种监测晶圆良率的方法及装置-CN202211255530.1在审
发明人：陈永;凌云 -专利权人：杭州加速科技有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种监测晶圆良率的方法及装置，方法包括连续对不同待检的晶圆进行检测，得到各晶圆的检测结果，基于检测结果，确定当前最新所检测的n个晶圆的良率，若当前最新所检测的n个晶圆的良率低于预设的第一良率值，则提示短期内晶圆良率出现异常。本发明提出的方法有效避免了部分区域的不良芯片偏高会被整体良率均衡，短期内芯片出现异常情况时用户能够较快地收到提示，防止部分区域良率异常无法被感知或者滞后感知的情况发生，使芯片检测的时间和效率得到了一定的保证
一种监测晶圆良率方法装置

[发明专利]基于哈里斯鹰算法优化随机森林的良率预测方法及系统-CN202310755878.5在审
发明人：陈一宁;王诗琪;蔡宇;高大为 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F18/243 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于哈里斯鹰算法优化随机森林的良率预测方法及系统，方法包括：获取历史晶圆允收测试数据集；对历史晶圆允收测试数据集中的允收测试数据进行预处理，得到允收测试样本集；通过哈里斯鹰算法迭代优化随机森林模型的关键框架参数并基于关键框架参数对随机森林模型进行修改，构建晶圆良率预测预训练模型；基于允收测试样本集对晶圆良率测试预训练模型进行训练，得到晶圆良率预测模型；将待测允收测试数据输入晶圆良率预测模型中，得到预测结果。本发明能够降低良率预测成本，提高良率预测准确性。
基于里斯算法优化随机森林预测方法系统

[发明专利]良率分析的方法、装置和计算机可读存储介质-CN202010172049.0有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：全芯智造技术有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F16/93 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及良率分析的方法、装置和计算机可读存储介质。该方法包括：提取低良率晶圆数据的至少一个特征，所述至少一个特征与低良率案件档案库中的至少一个特征相对应；基于所述至少一个特征，确定所述低良率晶圆数据与所述低良率案件档案库中的低良率案件的相似度；基于所述相似度，确定所述低良率档案库中与所述低良率晶圆数据匹配的特定低良率案件；以及获取与所述特定低良率案件相关的档案信息，以指导对所述低良率晶圆数据的分析。
分析方法装置计算机可读存储介质

[发明专利]基于热力图的半导体晶圆测试良率分析方法-CN202211716960.9在审
发明人：宋江龙;陈湘芳 -专利权人：上海哥瑞利软件股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G06F17/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于热力图的半导体晶圆测试良率分析方法，具体包括以下步骤：(1)按类型分批次对晶圆产品进行检测；(2)根据测试结果得到当前产品信息、Lot信息、Wafer信息、Die信息、缺陷信息等；(3)按功能、分区域对缺陷信息进行分类统计；(4)通过分析比较当前测试片的缺陷率预测晶圆的良率；(5)结合大数据通过不同维度更精确地预测晶圆的良率信息、缺陷率。本发明基于热力图的半导体晶圆测试良率分析方法，方便了提供追溯产品发生异常的原因，通过晶圆图的空间分布情况及其模型分析从各个维度定位找出可能发生低良率的原因，从而促使改进工艺，提高了良率。
基于力图半导体测试分析方法

[发明专利]防止晶圆边缘器件良率低的方法-CN201110328154.X有效
发明人：李儒兴;秦海燕;陶仁峰;李志国 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： B24B37/02 文献下载
摘要：一种防止晶圆边缘器件良率低的方法，所述晶圆边缘区域介质层由于CMP过磨导致良率降低，该方法包括：在半导体晶圆上形成待研磨的材料层；对所述待研磨的材料层进行化学机械研磨；其中，所述晶圆边缘研磨移除速率小于晶圆中心区域的研磨移除速率本发明解决了晶圆边缘过度研磨现象，提高晶圆边缘器件生产良率。
防止边缘器件良率低方法

[发明专利]晶圆良率损失确定、晶圆良率合格判断的方法及装置-CN202211378517.5在审
发明人：颜元青 -专利权人：杭州富芯半导体有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆良率损失确定、基于抽检的晶圆良率合格判断的方法及装置，晶圆良率损失的确定方法至少包括以下步骤：构建杀伤力数据库，所述杀伤力数据库为测试晶圆经过各道工序站点时各种缺陷类型在各个区域的总杀伤力数据；获取晶圆经过某道工序站点的缺陷分布图，并根据所述缺陷分布图确定至少一种缺陷类型的缺陷密度，根据所述缺陷密度和所述杀伤力数据库中对应的各个区域的总杀伤力数据得到晶圆良率损失率。本申请能够更加准确的确定晶圆良率损失率，从而实现对晶圆产品合格的判断更加准确。
晶圆良率损失确定合格判断方法装置

[发明专利]晶圆良率分析方法和装置-CN201510044709.6有效
发明人：杨健;陈思安;朱瑜杰;方三军 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆良率分析方法和装置。其中，晶圆良率分析方法包括：将待测晶圆上待测芯片划分为多个区域，其中，待测晶圆包括多个待测芯片；获取根据预先统计的芯片上多个区域的历史杀伤率，其中，多个区域与历史杀伤率一一对应；将获取的历史杀伤率作为待测芯片上多个区域对应的杀伤率，杀伤率用于表示与杀伤率对应的区域的存在致命缺陷的概率；根据待测芯片上多个区域对应的杀伤率计算待测晶圆对应的致命缺陷率；以及由致命缺陷率计算待测晶圆的良率。通过本发明，解决了现有技术中晶圆的良率计算不准确的问题。
晶圆良率分析方法装置

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