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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911121738.2有效
发明人：姜东勋 -专利权人： 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括：提供基板，所述基板包括蚀刻停止层形成于其上；于所述蚀刻停止层上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括下图案以及至少一上图案，其特征在于，所述下图案以及所述至少一上图案分别包括牺牲层以及形成于所述牺牲层上的支持层；形成穿透所述堆叠结构以及所述蚀刻停止层的孔洞；在所述孔洞中形成下导电图案；以第一蚀刻工艺形成穿透所述至少一上图案以及所述下图案的所述支持层的开口；以及以第二蚀刻工艺移除所述下图案的所述牺牲层及所述至少一上图案的所述牺牲层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]光掩模图案修正的方法-CN201911260194.8有效
发明人：梁时元;刘智龙;权炳仁 -专利权人： 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造一半导体器件的一光掩模的一设计图案的修正方法。所述修正方法包含提供所述光掩模的一基板，构建出被设计以在所述基板上形成一第一接触图案的所述光掩模的一第一掩模图案，所述第一掩模图案包含具有一孔尺寸的多个掩模孔，沿着一水平方向扩大所述多个掩模孔的所述孔尺寸，并旋转所述多个掩模孔，来调整所述第一掩模图案，以构建出被设计以形成具有多个接触孔的一第二接触图案的所述光掩模的一第二掩模图案；确认所述多个接触孔之间的多个器件间隙；以及确认所述第二接触图案与所述半导体器件中的一邻近图案之间的一套刻余量，以确定所述光掩模的所述设计图案。
光掩模图案修正方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911120346.4有效
发明人：金玄永;郭逃远;徐康元 -专利权人： 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括：基板；导电图案，从所述基板向上延伸，所述导电图案具有中空结构；第一导电层，覆盖所述导电图案；以及介电层，至少覆盖所述第一导电层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]工艺腔室及其清洁方法及晶圆传输方法-CN201911308920.9有效
发明人：崔珍善;金根浩 -专利权人： 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种工艺腔室，包括腔体及设于腔体内的静电夹盘，静电夹盘包括金属基座及托盘，托盘固定于金属基座上，用于吸附晶圆，静电夹盘开设多个升降孔，升降孔贯穿金属基座及托盘，每个升降孔内设有可升降的升降销，升降销用于将晶圆顶离托盘，升降销包括主体及盖部，盖部包括顶部及与顶部相连接的侧壁，顶部与侧壁形成一供主体的顶端插入的容置空间，盖部的高度大于托盘的厚度。本发明的的工艺腔室减小微电弧的发生概率，降低了晶圆对应于升降孔处的损伤。本发明还提供一种晶圆传输方法及工艺腔室清洁方法。
工艺及其清洁方法传输

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201911174515.2有效
发明人：崔基雄;李河圣;金成基 -专利权人： 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，包括：接收基板；以及在基板上设置介电层；在介电层上设置金属材料；在金属材料的顶表面上设置钝化层；进行合金层形成工艺，以在钝化层的顶表面上设置SiGe层。
半导体器件制造方法

[发明专利]电容器的制备方法及电容器-CN201910980364.3有效
发明人：李相遇;崔基雄;金成基 -专利权人： 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：一种电容器的制备方法，包括：形成一顶电极；于所述顶电极上沉积一非晶硅锗层；以及通过准分子激光退火工艺对所述非晶硅锗层进行晶化处理以形成一多晶硅锗层，所述多晶硅锗层与所述顶电极电性连接。本发明还提供由上述方法制得的电容器。
电容器制备方法

[发明专利]对准方法、对准系统及计算机可读存储介质-CN201911181092.7有效
发明人：李其衡 -专利权人： 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：一种对准方法，包括：获取包括多组不同对准参数间对应关系的对应关系表，对准参数包括对准标记类型、激光类型及对准标记位置组；随机调用对应关系表中的一组对应关系形成一对准方案；及根据对准方案执行对准操作，其中如果对准操作的执行时间超过预设时间，则放弃当前执行的对准方案，再调用对应关系表中另一组对应关系形成新的对准方案并根据新的对准方案执行对准操作。本发明提高了对准操作的自动化程度，降低了重工的概率，减小了人力成本。本发明还提供一种对准系统及计算机可读存储介质。
对准方法系统计算机可读存储介质

[发明专利]液体供应组件以及晶圆处理系统-CN201911275184.1有效
发明人：朴英植 -专利权人： 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种液体供应组件。液体供应组件包括接收部分、分散部分和两个流量控制器。所述两个流量控制器连接在接收部分和分散部分之间。分散部分上形成了多个穿孔。
液体供应组件以及处理系统

[发明专利]突出栅极晶体管及其制造方法-CN202010011094.8有效
发明人：尹炅一;吴容哲 -专利权人： 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种突出栅极晶体管，所述突出栅极晶体管包括基板、源极区、汲极区、通道延伸锚、通道层、和栅极结构。所述栅极结构包括栅极绝缘层和栅极导电层。所述通道层形成为从所述基板突出，以延伸所述突出栅极器晶体管的所述通道的所述长度并减轻通道长度的调制。
突出栅极晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010072770.2有效
发明人：金一球 -专利权人： 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开案提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一鳍状结构，在基板上，且具有条形平面轮廓；和第一导线结构，在低于所述第一鳍状结构的最顶面的之水平截交于所述第一鳍状结构的中间区域。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]静电卡盘及等离子体加工装置-CN201911030551.1有效
发明人：李焕珪 -专利权人： 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种静电卡盘，包括：一卡盘本体；至少一隔离环，穿设于所述卡盘本体中，每一所述隔离环用于将所述卡盘本体划分为两个卡盘区，两个所述卡盘区分别位于所述隔离环的内侧和外侧且相互电性隔绝；以及一偏置射频功率源，通过一功率分配器连接每一所述卡盘区，所述偏置射频功率源用于通过所述功率分配器独立地向每一所述卡盘区提供射频功率。本发明还提供一种具有所述静电卡盘的等离子体加工装置。
静电卡盘等离子体加工装置

[发明专利]晶圆存储装置及半导体加工设备-CN201911320617.0有效
发明人：金建澔;具德滋 -专利权人： 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆存储装置，包括壳体、气体净化器和气体导向组件，半导体晶圆容置在所述壳体内，所述气体净化器连通所述壳体；所述气体导向组件包括导流件、进气管和出气管，所述导流件设置在所述壳体内，所述进气管和所述出气管设置在所述壳体下部并连通所述壳体；所述气体净化器包括设置在所述壳体内的风机和等离子发生器，清洁气体从所述进气管流入所述壳体，所述风机用于在所述壳体内产生气流，所述导流件用于导向气流至所述等离子发生器，所述等离子发生器产生等离子以消除气流中的颗粒，经所述等离子发生器清洁后的气体从所述出气管流出。本申请还提供一种具有上述晶圆存储装置的半导体加工设备。
存储装置半导体加工设备

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201911280377.6有效
发明人：南昌铉;吕寅准 -专利权人： 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供包括在其上面形成的初步图案的衬底；以及通过初步图案形成开口以暴露衬底中的导电部分；在开口的侧壁上形成间隔物；进行湿蚀刻工艺以在导电部分中形成孔；移开间隔物；在开口的侧壁和孔的表面上沉积导电图案。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]晶体管及其制备方法-CN201910866406.0有效
发明人：李相遇;崔基雄;金成基 -专利权人： 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L21/3115 文献下载
摘要：一种晶体管的制备方法，其包括如下步骤：提供一基板，并在所述基板上形成栅极结构；在所述基板上形成覆盖所述栅极结构的绝缘层，所述绝缘层的材质为氧化硅；对所述绝缘层进行惰性气体离子注入并对惰性离子注入后的绝缘层进行湿法蚀刻以去除部分的绝缘层；以及对所述绝缘层进行干法蚀刻以去除部分的绝缘层。本发明还提供上述方法制备得到的晶体管。所述晶体管的制备方法通过对湿法蚀刻前的绝缘层进行惰性气体离子注入，蚀刻后得到的绝缘层会具有均一的膜厚，进而提升晶体管的性能。
晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体结构的蚀刻停止层-CN201911116829.7有效
发明人：李相遇;崔基雄;金成基 -专利权人： 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种形成半导体结构的蚀刻停止层与其形成方法。所述方法包括：在处理室中提供基础层；和直接在基础层上形成蚀刻停止层，该蚀刻停止层具有多个元素；其中所述多个元素包括硅(Si)元素，氮(N)元素和硼(B)元素；其中所述多个元素中的至少一者的浓度沿着所述蚀刻停止层的厚度方向呈梯度分布。
半导体结构蚀刻停止

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