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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]多结太阳能电池及其制备方法-CN201410476796.8有效
发明人：吴超瑜;毕京锋;陈文浚;林桂江;宋明辉;刘冠洲;王笃祥 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种多结太阳能电池及其制备方法，其结构至少包括晶格失配的第一子电池和第二子电池，一渐变缓冲层形成于所述第一、第二子电池之间，一隧穿结插入所述渐变缓冲层内，所述隧穿结与两侧渐变缓冲层失配，同时具有应力平衡和隧穿效应本发明将隧穿结嵌入存在晶格失配的多结电池的渐变缓冲层中间，隧穿结与两侧渐变缓冲层失配，两侧界面位错集中，穿透位错可以在此层扭曲、转向或者湮没，避免了穿透位错向P-N结有源区滑移，有效降低了结区位错密度，
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]倒U栅辅控双侧栅主控双向隧穿晶体管及其制造方法-CN201711050857.4有效
发明人：刘溪;邹运;靳晓诗 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及倒U栅辅控双侧栅主控双向隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有倒U栅、双侧栅和左右两侧对称的结构特征，可以通过调节源漏可互换电极的电压控制重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏对称可互换的双向开关特性，因此适合推广应用。
栅辅控双侧栅主控双向晶体管及其制造方法

[发明专利]一种基于电子隧穿的栅控金属-绝缘体器件-CN201110177198.7有效
发明人：林曦;王玮;王鹏飞;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明属于量子效应器件技术领域，具体涉及一种基于电子隧穿的栅控金属-绝缘体器件。本发明包括：一个半导体衬底，位于半导体衬底之上的源极、漏极、源掺杂区、隧穿绝缘体层、金属层；所述的金属层、隧穿绝缘体层与半导体衬底构成一个MIS结构；还包括：位于半导体衬底之上所述MIS结构一侧的栅极，本发明采用平台工艺制作了一种基于量子隧穿效应的类似MOSFET（MOS-like）的器件，通过对MOS-like器件施加合适的偏压，可以控制其隧穿效率，减小反向电流，提高亚阈值摆幅性能。
一种基于电子金属绝缘体器件

[发明专利]一种通过电流拟合检测GaN基HEMT退化的方法-CN201610271015.0有效
发明人：任舰;顾晓峰;闫大为 -专利权人：江南大学
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：该方法首先制作便于分析栅漏电流特性的圆形肖特基二极管结构，对其施加持续的反向应力，测量应力前后的温度依赖电流‑电压曲线；然后通过拟合不同温度下的正向隧穿电流，根据饱和隧穿电流和隧穿参数与温度的关系，外推确定应力前后绝对零度下的器件饱和隧穿电流值和隧穿参数值
一种通过电流拟合检测 gan hemt 退化方法

[发明专利]隧穿场效应晶体管及其形成方法-CN201510098501.2有效
发明人：朱正勇;朱慧珑;许淼 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种隧穿场效应晶体管，包括：衬底，衬底上形成有外延的鳍；第一栅极和第二栅极，分别形成在鳍的相对的侧壁上；第一栅介质层，形成在第一栅极与鳍的侧壁之间以及第一栅极的底面上；第二栅介质层，形成在第二栅极与鳍的侧壁之间以及第二栅极的底面上该结构的隧穿场效应晶体管可通过控制鳍的宽窄来实现不受杂质注入扩散限制的窄隧穿结，提高了隧穿电流，并通过增大有效隧穿面积进一步提高导通电流。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管及其制造方法-CN201711050820.1有效
发明人：靳晓诗;高云翔;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种源漏对称可互换的双向隧穿场效应晶体管及其制造方法。本发明所述器件具有左右对称的结构特征，通过调节源漏可互换电极电压控制第二类杂质重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
对称互换双向场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]H形栅控源漏对称可互换型隧穿晶体管及其制造方法-CN201711048116.2有效
发明人：靳晓诗;王艺澄;刘溪 -专利权人：沈阳工业大学
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种H形栅控源漏对称可互换型隧穿晶体管及其制造方法，本发明所述器件具有矩形栅极和左右对称的结构特征，具有较强的栅极控制能力并且可以通过调节源漏可互换电极电压控制第二类杂质重掺杂源漏可互换区作为源区或漏区，改变隧穿电流方向。对比于普通MOSFETs型器件，利用隧穿效应实现更优秀的开关特性；对比于普通的隧穿场效应晶体管，本发明具有普通的隧穿场效应晶体管所不具备的源漏可互换的双向对称开关特性，因此适合推广应用。
形栅控源漏对称互换型隧穿晶体管及其制造方法

[发明专利]一种硅基六结太阳电池及其制作方法-CN202011604327.1有效
发明人：杨文奕;张小宾;黄珊珊 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基六结太阳电池及其制作方法，硅基六结太阳电池包括：硅衬底；依次层叠设置于所述硅衬底上表面的Si子电池、第三隧穿结、GaInNAsP子电池、第四隧穿结、GaNAsP子电池、第五隧穿结和AlGaNP子电池；以及依次层叠设置于所述硅衬底下表面的第二隧穿结、AlGaNAs子电池、第一隧穿结和GaInNAsSb子电池。
一种硅基六结太阳电池及其制作方法

[发明专利]MOSFET陷阱辅助隧穿模型及其提取方法-CN201911052384.0有效
发明人：张瑜;商干兵 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G06F30/3308 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型，MOSFET陷阱辅助隧穿模型为由初始模型优化而成的优化模型；初始模型中陷阱辅助隧穿电流为初始第一函数和第二函数的乘积；初始第一函数与源栅边缘侧壁陷阱辅助隧穿相关本发明还公开了一种MOSFET陷阱辅助隧穿模型的提取方法。本发明能实现对不同尺寸或者不同偏压的情况下的器件拟合，提高模型精度。
mosfet 陷阱辅助模型及其提取方法

[发明专利]可改善写入范围的磁性随机存储器-CN200610001624.0无效
发明人：陈威全;王泳弘;杨姗意;沈桂弘 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种可改善写入范围的磁性存储器，包括有一磁性穿隧接面组件与一调整层，磁性穿隧接面组件由一反铁磁层、一固定层、一穿隧能障绝缘层与一自由层组成，其中该反铁磁层、该固定层、该穿隧能障绝缘层与该自由层依序形成调整层形成于磁性穿隧接面组件的一侧并与自由层接触。
改善写入范围磁性随机存储器

[发明专利]一种基于纵向双势垒共振隧穿结构的量子点存储器-CN200410091126.0无效
发明人：邓宁;陈培毅;潘立阳;张磊;魏榕山 -专利权人：清华大学
申请日： 2004-11-19 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于纵向双势垒共振隧穿结构的量子点存储器，属于半导体器件设计领域，该量子点存储器基本结构由在Si衬底上依次外延生长的多层结构和源、漏电极组成，其特征在于，该多层结构主要由控制栅极、控制氧化层、量子点浮栅层、双势垒共振隧穿层和SiGe沟道构成。本发明最主要的特点是隧穿势垒通过双异质结实现，可以实现结晶完美的双势垒隧穿层，可以在较大的隧穿层厚度的条件下，解决传统非挥发存储器中读写速度、编程电压和数据保存时间之间的矛盾，能够在保证读写速度和数据保存时间的同时降低编程电压
一种基于纵向双势垒共振结构量子存储器

[发明专利]包含纳米晶的存储装置及其制造方法-CN200710005875.0无效
发明人：薛光洙;崔诚宰;崔在荣;闵约赛;张银珠;李东旗 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-02-28 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种存储装置，包括：衬底；源区；在衬底上形成的并与源区相互隔离的漏区；在衬底表面上形成的存储单元，该存储单元将源区和漏区连接起来，并包含大量纳米晶；在存储单元上形成的控制栅；其中存储单元包括：在衬底上形成的第一隧穿氧化物层；在第一隧穿氧化物层上形成的第二隧穿氧化物层；以及在第二隧穿氧化物层上形成的包含纳米晶的控制氧化物层。第二隧穿氧化物层为亲水性，其上可引入氨基硅烷基团来给予静电吸引，由此使纳米晶单层得以形成。因而能控制并改善存储装置的设备特征。
包含纳米存储装置及其制造方法

[实用新型]晶硅太阳能电池片-CN201922303413.8有效
发明人：常青;姚骞;张家峰;马列;王秀鹏 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：太阳能电池片包括基体片，基体片包括P型硅片、顶钝化层、隧穿层和底钝化层。隧穿层设置在P型硅片的底表面上并具有空穴传输能力；底钝化层为掺杂硼的钝化层，底钝化层设置在隧穿层的底表面上。本实用新型还提供了将具有空穴传输能力的材料作为隧穿层的方案，使得隧穿层在选择空穴的同时阻挡电子传输，优化电池性能。
太阳能电池

[实用新型]一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器-CN201920860939.3有效
发明人：沈来川;周艳;夏静;张溪超;赵国平 -专利权人：深圳市思品科技有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层、设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层；所述的自由层为承载斯格明子的反铁磁纳米盘，在所述的反铁磁纳米盘露出隧穿绝缘层的部分上覆盖有第二隧穿绝缘层，在所述的第二隧穿绝缘层上覆盖有金属层；在金属层与反铁磁纳米盘之间引出微波振荡器的输出振荡信号。
隧穿绝缘层反铁磁纳米盘斯格本实用新型微波振荡器固定层金属层自由层承载输出振荡信号垂直穿过极化电流振荡频率振荡器极化覆盖

[发明专利]具有去耦合的电容器的非对称密集非易失性存储器-CN201480042080.5有效
发明人： A·E·霍奇 -专利权人：美商新思科技有限公司
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：一种非易失性存储器(“NVM”)位单元包括电容器、非对称地掺杂的晶体管和隧穿器件。电容器、晶体管和隧穿器件每个电耦合到不同的有源区和金属接触。这三个器件通过横跨三个有源区的浮置栅极耦合。隧穿器件形成在有源区中以实现用于引起隧穿的电压的更大的动态范围。FN隧穿器件用于擦除器件，以实现更快的页擦除并且从而实现功能的快速测试和验证。非对称晶体管结合电容器用于编程和读取浮置栅极的逻辑状态。
电容器隧穿浮置栅极源区非易失性存储器读取耦合非对称晶体管非对称晶体管结合电容器擦除器件电容性地金属接触快速测试逻辑状态器件形成写入操作选择器件掺杂的电耦合去耦合位单元擦除编程横跨验证

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