“闵约赛”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果17个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]使用碳纳米管的场发射电极及其制造方法-CN200610142801.7无效
发明人：裵恩珠;闵约赛;朴玩濬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：本发明提供一种使用碳纳米管的场发射电极及制造其的方法。该场发射电极包括基板、形成在基板上的ZnO层、及形成在ZnO层上的碳纳米管。因此，场发射装置的驱动电压可通过向场发射装置应用包括形成在ZnO层上的单壁碳纳米管的电极而降低。
使用纳米发射电极及其制造方法

[发明专利]包含纳米晶的存储装置及其制造方法-CN200710005875.0无效
发明人：薛光洙;崔诚宰;崔在荣;闵约赛;张银珠;李东旗 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-02-28 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种存储装置，包括：衬底；源区；在衬底上形成的并与源区相互隔离的漏区；在衬底表面上形成的存储单元，该存储单元将源区和漏区连接起来，并包含大量纳米晶；在存储单元上形成的控制栅；其中存储单元包括：在衬底上形成的第一隧穿氧化物层；在第一隧穿氧化物层上形成的第二隧穿氧化物层；以及在第二隧穿氧化物层上形成的包含纳米晶的控制氧化物层。第二隧穿氧化物层为亲水性，其上可引入氨基硅烷基团来给予静电吸引，由此使纳米晶单层得以形成。因而能控制并改善存储装置的设备特征。
包含纳米存储装置及其制造方法

[发明专利]形成氮掺杂单壁碳纳米管的方法-CN200610080305.3无效
发明人：裵恩珠;闵约赛;朴玩濬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-05-09 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：提供了形成氮掺杂单壁纳米管的方法。所述方法包括：在基底上形成催化剂金属层；将具有所述催化剂金属层的所述基底加入到反应室中；在所述反应室中形成H₂O等离子体气氛；和通过将碳前体和氮前体供给到所述反应室中在所述催化剂金属层上形成氮掺杂碳纳米管，其中在所述反应室中于所述H₂O等离子体气氛下所述前体间发生了化学反应。
形成掺杂单壁碳纳米方法

[发明专利]使用纳米点作为俘获位的半导体存储器件及其制造方法-CN200610143565.0无效
发明人：薛光洙;金丙基;李银京;闵约赛;赵庆相;李在昊;崔在荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-13 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用纳米点作为俘获位的半导体存储器件及其制造方法。所述半导体存储器件包括半导体衬底、形成于半导体衬底中的第一杂质区和第二杂质区、和形成于半导体衬底上与第一和第二杂质区接触的栅结构，其中栅结构包括隧穿层、多个形成于隧穿层上的纳米点、和形成于隧穿层和纳米点上的控制绝缘层，且控制绝缘层包括高k介电层。
使用纳米作为俘获半导体存储器件及其制造方法

[发明专利]在低温下利用H₂O等离子体生长单壁碳纳米管的方法-CN200610009244.1无效
发明人：裵恩珠;闵约赛;朴玩濬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-15 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种利用H₂O等离子体在相对低温下生长良好的单壁碳纳米管的方法。该方法包括：准备真空室；在该真空室中制备其上沉积有催化剂金属的基底；蒸发要供应给真空室中的H₂O；在真空室中产生H₂O等离子体放电；及向真空室中供应源气体，从而在H₂O等离子体气氛中在基底上生长碳纳米管。
低温利用 sub 等离子体生长单壁碳纳米方法

[发明专利]纯化碳纳米管中的碳质杂质的方法-CN200610007135.6无效
发明人：裵恩珠;闵约赛;朴玩濬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-09 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：提供一种从碳纳米管(CNT)中选择性除去碳质杂质的方法。在该方法中，通过杂质和硫在密闭空间中的硫化反应除去在CNT表面上形成的杂质。更具体地，提供选择性地仅除去无定形碳的方法，通过该方法，碳纳米管壁不与硫反应，且仅有在CNT表面上形成的碳质杂质发生硫化反应(C+2S－－>CS₂)，即，提供了通过硫化作用从结合到装置中的CNT中选择性地除去碳质杂质的方法。
纯化纳米中的杂质方法

[发明专利]具有多个捕获膜的非易失性存储器件-CN200610004393.9无效
发明人：金柱亨;韩祯希;金桢雨;闵约赛;金汶庆;郑渊硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-02-16 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器件，其包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在该隧道绝缘膜上的存储节点；形成在该存储节点上的阻挡绝缘膜；以及形成在该阻挡绝缘膜上的控制栅极电极。该存储节点至少包括具有不同陷阱密度的两层捕获膜，该阻挡绝缘膜具有比硅氧化物膜的介电常数大的介电常数。
具有捕获非易失性存储器

[发明专利]N型碳纳米管场效应晶体管及其制备方法-CN200510087415.8有效
发明人：裵恩珠;闵约赛;朴玩濬 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-07-22 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有n型碳纳米管的场效应管(CNT FET)以及制备该n型CNT FET的方法。该n型CNT FET包括：衬底；形成衬底上并彼此分隔开的电极；形成于衬底上并电连接到电极的碳纳米管；形成于碳纳米管上的栅极氧化层；以及形成于栅极氧化层上的栅极电极，其中栅极氧化层含有电子施主原子，该电子施主原子向碳纳米管贡献电子，使得碳纳米管是由电子施主原子n掺杂的。
纳米场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]非晶电介质薄膜及其制造方法-CN200410083252.1有效
发明人： 闵约赛;曹永真 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-09-29 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种用在半导体器件中的非晶电介质薄膜和制造该非晶电介质薄膜的方法。该非晶电介质薄膜包括用作诸如DRAM器件中电容器的电介质材料的Bi、Ti、Si和O，并具有60或更高的介电常数。这样的BTSO基薄膜即使在其厚度已经减小时也能防止泄露电流的增加，因此允许半导体器件被高度集成。
电介质薄膜及其制造方法

[发明专利]高介电常数氧化物膜的制造法、含该膜的电容器及制造法-CN200410028392.9无效
发明人：李正贤;徐范锡;闵约赛;曹永真 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-03-11 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种高介电常数氧化物膜的制造法、含该膜的电容器及制造法。制造高k介电氧化物膜的步骤是：(a)将半导体衬底装载到ALD装置中；(b)在半导体衬底上沉积具有第一元素和第二元素的预定成分比的反应材料；和(c)通过氧化反应材料使得第一元素和第二元素同时氧化，在半导体衬底上形成具有所述两种元素的第一高k介电氧化物膜。在该方法中，减小了装置的尺寸，提高了产量，且降低了制造成本。而且该高k介电氧化物膜表现出高介电常数和低泄漏电流和陷阱密度。于是，包括作为介电膜的该高k介电氧化物膜的电容器也表现出低泄漏电流和陷阱密度。
介电常数氧化物制造电容器

[发明专利]薄膜晶体管及其电子器件和制造方法-CN200310124902.8有效
发明人：金道映;朴玩濬;朴永洙;李俊冀;闵约赛;权章渊;徐顺爱;崔荣敏;蔡洙杜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-12-31 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：提供一种在柔性基底上实现的薄膜半导体器件、使用该器件的电子器件、及其制造方法。该薄膜半导体器件包括一柔性基底、一形成在柔性基底上的半导体芯片、以及一密封该半导体芯片的保护盖层。该电子器件包括一柔性基底和形成在柔性基底上的半导体芯片，还包括密封半导体芯片的保护盖层。由于使用了保护盖层，提高了薄膜半导体器件抵抗基底弯曲所产生的应力的耐用性。
薄膜晶体管及其电子器件制造方法

[发明专利]铋钛硅氧化物，铋钛硅氧化物薄膜，以及薄膜制备方法-CN03147080.7有效
发明人：曹永真;闵约赛;朴永洙;李正贤;李俊冀;李容均 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-08-06 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种具有烧绿石相的铋钛硅氧化物，一种由铋钛硅氧化物形成的薄膜，以及制备这种铋钛硅氧化物薄膜的方法，用于半导体设备并包含这种铋钛硅氧化物薄膜的电容器和晶体管，采用了这种电容器和/或晶体管的电子设备。铋钛硅氧化物具有良好的介电性质，并且其是热稳定以及化学稳定的。铋钛硅氧化物薄膜可以有效的应用于半导体设备中作为电容器的介电薄膜或者晶体管的门极介电薄膜。应用具有铋钛硅氧化物薄膜的电容器和/或晶体管可以制备出具有良好的电特性的各式电子设备。
铋钛硅氧化物薄膜以及制备方法

[发明专利]二氧化铪层用前体及利用该前体生成二氧化铪膜的方法-CN03153085.0有效
发明人：李正贤;闵约赛;曹永真 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-08-12 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供了二氧化铪前体和利用该前体生成二氧化铪层的方法。二氧化铪层前体含有与HfCl₄键合的氮化合物。
氧化铪层用前体利用生成方法

[发明专利]介电层的沉积方法-CN02150443.1有效
发明人：李正贤;闵约赛;曹永真 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2002-11-12 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供了一种在基片上沉积介电层的方法。将用来防止下部电极的氧化和扩散的氧化隔离层插入基片和介电层之间以及介电层之间的界面中。由此，获得具有低漏电流和高电容的电容器。此外，通过调整晶格常数来控制介电常数，以便在大规模基片上形成具有高介电常数的多层结构。
介电层沉积方法

[发明专利]制备无机纳米管的方法-CN03107258.5无效
发明人： 闵约赛;裵恩珠;崔原凤;曹永真;李正贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： C30B23/04 文献下载
摘要：本发明提供一种利用碳纳米管(CNT)作为模板制备无机纳米管的方法。该方法包括制备其上形成CNT或CNT阵列的模板；利用原子层沉积法(ALD)通过在模板上沉积无机材料，于CNT上形成无机薄膜；及除去CNT，得到无机纳米管或无机纳米管阵列。
制备无机纳米方法

1
2
下一页»
尾页
共 17 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top