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[发明专利]通过测量隧穿电场来快速评价SONOS可靠性的方法-CN201110026325.3有效
发明人：缪燕;孙勤;姚毅 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过测量隧穿电场来快速评价SONOS可靠性的方法，包括步骤：测量SONOS的操作电压窗口和隧穿电场窗口的相关性参数；在待测SONOS完成ONO成膜后，测量其隧穿电场窗口；根据待测SONOS的隧穿电场窗口和相关性参数，推导出待测SONOS的操作电压窗口；根据待测SONOS的操作电压窗口，评价该待测SONOS的数据保持力特性。该方法利用SONOS器件的电子/空穴逃逸机理与隧穿电场的测量方法相对应的原理，通过测量ONO膜的正、负隧穿电场，判断SONOS器件的数据保持力特性，从而简化了可靠性评价的工艺流程，缩短了评价的时间，并有助于实现批量测试
通过测量电场快速评价 sonos 可靠性方法

[发明专利]一种应用相变材料作为隧穿层的自旋电子器件-CN201710047209.7有效
发明人：林晓阳;郭思德;赵巍胜;张有光 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用相变材料作为隧穿层的自旋电子器件，具体为一种非局域自旋注入器件，其最下端为自旋沟道，所述自旋沟道上方的外侧两端各沉积一普通金属电极，自旋沟道上方中部沉积两个隧穿层，并在隧穿层上各沉积一个铁磁金属电极；其特征在于：所述的隧穿层为能够在温度和光照驱动下发生相变的材料；且该器件进一步包括有温度控制模块或光照控制模块。本发明提出的相变隧穿层(如二氧化钒)，可以用温度和光照控制电阻。隧穿电阻可以被人为调控在合适区间内，从而提高了自旋电子器件的性能。
一种应用相变材料作为隧穿层自旋电子器件

[发明专利]治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法-CN201310031119.0无效
发明人：穆甫臣;王艳卓 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：提供治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法。半导体器件包括存储器单元（18）的阵列（12）。每个存储器单元包括隧穿电介质（26）、包括第一电流电极（28）和第二电流电极（30）的阱区域、以及控制栅极（20）。第一和第二电流电极与隧穿电介质（26）的一侧相邻，控制栅极与隧穿电介质的另一侧相邻。控制器（16）包括一逻辑以确定何时执行存储器单元（18）中的隧穿电介质（26）的治愈过程且在治愈过程中施加第一电压至存储器单元（18）的第一电流电极（28）以从隧穿电介质（26）去除俘获的电子和空穴。
治愈非易失性存储器单元电介质结构方法

[发明专利]一种垂直单分子隧穿器件及其制备方法-CN202211590579.2在审
发明人：郭雪峰;赵璁;贾传成 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10K99/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种垂直单分子隧穿器件及其制备方法，垂直单分子隧穿器件包括衬底、依次设置在衬底上的源极、带电荷自组装单分子膜、导电二维材料电极层，以及设置在衬底上的栅极和漏极；带电荷自组装单分子膜包括带电荷有机分子，带电荷有机分子具有式(I)所示结构；带电荷有机分子中的R1与源极之间通过化学键连接，带电荷有机分子中的R2与导电二维材料电极层之间存在非共价键的范德华作用；垂直单分子隧穿器件还包括分布于导电二维材料电极层、栅极和漏极上的碱性液体电介质溶液。本申请提供的垂直单分子隧穿器件具有高的开/关整流比。
一种垂直分子器件及其制备方法

[发明专利]薄膜存储晶体管中冷电子抹除-CN202180007476.6在审
发明人：赛義夫·萨拉胡丁;乔治·莎玛奇沙;武儀·亨利·简;叶利·哈拉里 -专利权人：日升存储公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储晶体管具有位于一通道区及一闸电极之间的一穿隧介电层及一电荷捕捉层，其中当施加一写入电压时，电荷捕捉层具有低于穿隧介电层中穿隧能障的低点的一导带台阶，使得电子直接穿隧进入电荷捕捉层。存储晶体管可包括位于穿隧介电层及电荷捕捉层之间的一阻障层，阻障层具有小于电荷捕捉层的导带台阶的一导带台阶。
薄膜存储晶体管电子

[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN202110232821.8在审
发明人：曹磊;张青竹;殷华湘;张兆浩;顾杰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种隧穿场效应晶体管及其制备方法、一种半导体器件，隧穿场效应晶体管包括：衬底；纳米片堆栈部，其设置在所述衬底上，形成多个导电沟道；纳米片堆栈部包括：纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构，支撑结构是第一半导体形成的，纳米片是第二半导体形成的；所述第一半导体支撑结构的宽度小于第二半导体纳米片的宽度；环绕式栅极，其环绕于纳米堆栈部周围；所述环绕式栅极包括铁电层。隧穿场效应晶体管可以显著降低器件的亚阈值摆幅；同时多层堆叠的纳米片结构可以增加隧穿场效应晶体管的工作电流和栅控性能；具有支撑结构的纳米片降低了多层栅介质在纳米片间的填充要求，并可以有效增加器件的栅控性能和电流驱动能力
一种场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201710145102.6有效
发明人：黄如;赵阳;吴春蕾;黄芊芊 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-03-13 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管及其制备方法。本发明的隧穿场效应晶体管包括：衬底、源区内层、源区外层、栅叠层、漏区和沟道区内层和沟道区外层；本发明的超陡平均亚阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管通过器件结构显著改善了器件转移特性，有效降低了器件的平均亚阈斜率
平均阈值摆幅鳍式隧穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]基于重力梯度测量的面内式MEMS隧穿姿态敏感器-CN202110149563.7有效
发明人：赵嘉昊;曹亚陆 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G01C21/16 文献下载
摘要：本发明公开了属于角度测量的惯性传感器技术领域的一种基于重力梯度测量的面内式MEMS隧穿姿态敏感器。该面内式MEMS隧穿姿态敏感器由敏感模块、斧形针尖、可动电极模块组成；其中，敏感模块由柔性梁和质量块组成；可动电极模块由连接针尖结构，驱动疏齿，反馈疏齿，四支撑梁组成；并整体置于隔离罩内；然后隔离罩固定在地面单轴转台上，地面单轴转台绕转动轴转动，形成隧穿姿态敏感器测量系统。
基于重力梯度测量面内式 mems 姿态敏感

[发明专利]一种钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池的隧穿结-CN202110180402.4在审
发明人：谭海仁;吴金龙;肖科 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体的说是一种钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池的隧穿结；所述隧穿结包括有致密的n型或p型半导体材料、隧穿复合层和p型或n型的半导体材料，且n型和p型半导体材料均分别具有电子和空穴传输能力；所述隧穿复合层为基于透明导电金属氧化物纳米晶的钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池隧穿复合层；通过本发明的一种钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池的隧穿结，通过采用导电性较好的金属氧化物纳米晶作为钙钛矿/钙钛矿叠层太阳能电池中的隧穿复合层
一种钙钛矿两端太阳能电池隧穿结

[发明专利]一种POLO-IBC钝化接触电池及其制备方法-CN202310127943.X在审
发明人：王芹芹;丁建宁;李绿洲;袁宁一;董旭;曹晓婷 -专利权人：扬州大学
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：钝化接触电池包括基体，基体的正面由内向外依次为AlOx钝化层和SiNx钝化层，背面由内向外依次为SiNx隧穿层，SiOx隧穿层，梯度掺杂III族元素多晶硅形成的p+层，SiNx隧穿层，梯度V族元素掺杂多晶硅形成的本发明通过制备热稳定性较高的SiNx隧穿层和SiOx隧穿层作为空穴隧穿层，利用梯度V族元素掺杂多晶硅形成的n+层作为电子传输层，制备出了钝化性能较优的掺杂多晶硅层，可有效的改善欧姆接触，提升填充因子；同时引入热稳定性高、价带偏移小的氮化硅形成电子隧穿层，可避免掺杂元素的内扩；提升了电池的开路电压和短路电流。
一种 polo ibc 钝化接触电池及其制备方法

[发明专利]垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及制备方法-CN201310084972.9有效
发明人：黄如;吴春蕾;黄芊芊;王超;王佳鑫;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：一种垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及制备方法。所述短栅隧穿场效应晶体管具有垂直沟道并且沟道区掺杂为缓变非均匀掺杂，沟道掺杂浓度沿垂直方向呈高斯分布并且靠近漏端处沟道掺杂浓度较高，靠近源端处沟道掺杂浓度较低；另外，在垂直沟道两侧具有双控制栅并且控制栅为与现有的TFET相比，本发明所述短栅隧穿场效应晶体管，有效抑制了漏端电场对源端隧穿结处隧穿宽度的影响，弱化了输出隧穿电流对漏端电压的超e指数关系，显著改善了器件输出特性。同时，该隧穿场效应晶体管也有利于增大器件导通电流，获得更陡直的亚阈值斜率。
垂直均匀掺杂沟道短栅隧穿场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种优化的极大磁场测量方法及装置-CN201611027078.8有效
发明人：胡军;欧阳勇;何金良;王善祥;赵根;王中旭;曾嵘;庄池杰;张波;余占清 -专利权人：清华大学;清华四川能源互联网研究院
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：本发明技术要点：将四个正交配置的隧穿磁阻电阻放置到外加磁场中，获取各隧穿磁阻电阻的阻值；根据四个电阻的阻值计算各隧穿磁阻电阻自由层与参考层磁化方向的夹角；根据第一隧穿磁阻电阻、第三隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H1及方向θ1；根据第二隧穿磁阻电阻、第四隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H2及方向θ2；根据磁场强度H1与磁场强度H2确定外加磁场最终的磁场强度H0，根据方向θ2
电阻隧穿磁阻磁场外加磁场磁场测量磁化方向参考层自由层磁化方向夹角计算优化技术要点正交配置阻值计算自由层

[发明专利]多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法-CN201510071527.8有效
发明人：王明华;王伟;樊晓华;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法，所述多方法包括：重掺杂的p型或n型硅与本征或轻掺杂的硅相互交叠生长，形成多层表面隧穿结结构；重掺杂的p型或n型硅在一端互连，作为晶体管的源极，重掺杂的n型或p型硅与本征或轻掺杂的硅相连，作为晶体管的漏极；在所述多层表面隧穿结结构的侧壁及上方生长介质层和栅极材料，形成多栅结构的三维隧穿场效应晶体管。本发明适用于CMOS超大规模集成电路器件，可以实现隧穿场效应晶体管的低亚阈值斜率、低关态电流和低操作电压等特性，同时克服普通隧穿场效应晶体管开态电流低、驱动能力差的缺陷。
多层隧穿结三维场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种共振隧穿二极管太赫兹振荡源-CN202110707698.0有效
发明人：胡郁蓬;童小东;邢利敏 -专利权人：深圳市时代速信科技有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明所公开的一种共振隧穿二极管太赫兹振荡源，包括：共振隧穿二极管、谐振腔和MIM电容；其中，所述MIM电容包括上金属层和下金属层，所述上金属层包括左侧支撑柱、中部支撑柱、右侧支撑柱和上金属平面层；所述谐振腔分为第一谐振腔和第二谐振腔，所述第一谐振腔和所述第二谐振腔相互对称；所述共振隧穿二极管置于所述第一谐振腔和所述第二谐振腔对称的位置，所述共振隧穿二极管的第一端与所述中部支撑柱连接，所述共振隧穿二极管的第二端与所述的下金属层连接，通过将共振隧穿二极管器件置于谐振腔内，提高共振隧穿二极管器件面积，从而提升振荡器输出功率。
一种共振二极管赫兹振荡

[实用新型]一种含新型隧穿结的晶格失配太阳能电池-CN201620752007.3有效
发明人：刘雪珍;周文远;吴波;刘建庆;张小宾;杨翠柏 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种含新型隧穿结的晶格失配太阳能电池，以Ge单晶为衬底，在该衬底上表面自下而上依次生长有GaInP成核层、GaInAs缓冲层、晶格渐变缓冲层、第一新型隧穿结、GaInAs子电池、第二新型隧穿结和GaInP子电池；所述第一新型隧穿结和第二新型隧穿结均包括一层p型Ga1‑yInyNxAs1‑x层和一层n型Ga1‑zInzAs层，该两层的晶格常数分别与其相邻半导体层材料一致或失配度小于3％，每层的厚度均在本实用新型采用的新型隧穿结不仅具有比普通隧穿结更优的高电导、强透光性，更重要的作为一种刚性材料可以过滤大量穿透位错和失配位错，降低非辐射复合，提高少子寿命，从而提高光电转换效率。
一种新型隧穿结晶格失配太阳能电池