专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于原子写入操作的技术-CN202211688570.5在审
  • 卢卡·波尔齐奥;C·M·于伦斯科格;D·米诺波力 - 美光科技公司
  • 2022-12-27 - 2023-06-30 - G11C16/10
  • 本申请涉及用于原子写入操作的技术。一种存储器系统可确定用于原子写入操作的页集,其中与写入命令相关联的数据链接在一起以用于写入到非易失性存储器。所述存储器系统可将指示所述页集与所述原子写入操作相关联的元数据写入到所述非易失性存储器。基于所述元数据,所述存储器系统可确定所述页集中的每一页是否已写有用于所述原子写入操作的数据。所述存储器系统接着可基于确定所述页集中的每一页是否已写有用于所述原子写入操作的所述数据而将所述原子写入操作的完成状态的指示传送到主机系统。
  • 用于原子写入操作技术
  • [发明专利]分段式读取‑修改‑写入操作-CN201410093970.0有效
  • A·威卡尔 - 希捷科技有限公司
  • 2014-03-14 - 2017-06-09 - G11B5/02
  • 本申请公开了分段式读取‑修改‑写入操作。公开用于分段式读取‑修改‑写入操作的系统、设备、装置和方法。提供的实施例可以允许系统对于在主存储器中存储的数据执行读取‑修改‑写入(RMW)操作,该数据具有能在可用缓冲区中存储的较大数据尺寸。该系统的示例包括具有搭迭轨道带的磁盘。在该示例中,每个条带可以被分成含有一个或多个轨道的分段,并且可以为每个分段执行读取‑修改‑写入写入(RMWW)操作。进一步,逻辑保护条带可以被实现为避免分段重写搭迭带中的下个轨道。
  • 段式读取修改写入操作
  • [发明专利]写入辅助电路、存储器及写入操作方法-CN201911359172.7有效
  • 陈依雅;张捷;刘雯 - 上海华力微电子有限公司
  • 2019-12-25 - 2023-05-23 - G11C16/10
  • 本发明提供了一种写入辅助电路,包括:输入信号控制模块、延迟模块、档位选择模块以及负电压产生模块,所述档位选择模块产生一数值可调的第一正电压,负电压产生模块将第一正电压转变为第一负电压,使得写入辅助电路能够给后级电路提供数值可调的负电压进一步的,本发明还提供一种存储器,包括:存储器单元阵列、选择模块、写操作控制模块以及写入辅助电路。进一步的,本发明还提供一种写入操作方法,包括:写入辅助电路向写操作控制模块提供所述第一负电压,所述写操作控制模块产生第二负电压以及第二正电压并提供给所述存储器单元阵列,增大所述存储单元阵列的位线输入端的电压差,使得存储器的写入操作更容易,提高写入速度。
  • 写入辅助电路存储器操作方法
  • [发明专利]一种数据对接设备连续自主运行稳定性的优化方法-CN202011256948.5有效
  • 李东云;吕迪 - 天津汇商共达科技有限责任公司
  • 2020-11-11 - 2022-05-20 - G06F11/00
  • 本申请提供了一种数据对接设备连续自主运行稳定性的优化方法,其中,所述方法包括:获取停止指令;如果为正常停止指令,则控制操作源控制写入操作源停止写入动作;如果为非正常停止指令,则获取当前数据写入进程信息,并判断是否符合第一预设停止写入条件;如果符合,则控制操作源控制写入操作源停止写入动作;如果不合符,则写入操作源继续写入动作。本申请通过在数据对接设备中设置写入操作源和控制操作源,控制操作源控制写入操作源在数据正常写入完毕后自动停止,同时能够在设备接收到非正常停止指令之后,控制写入操作源优先将数据写入完毕,再停止动作,进而实现数据对接设备的自动停止,且能够令其在停止节点保证数据写入的完整性。
  • 一种数据对接设备连续自主运行稳定性优化方法
  • [发明专利]一种存储器的操作方法-CN202211731083.2在审
  • 童浩;龙少杰;缪向水 - 华中科技大学
  • 2022-12-30 - 2023-04-11 - G11C11/409
  • 本发明公开了一种存储器的操作方法,该操作方法包括如下步骤:接收操作指令:写入操作和刷新操作;若操作指令为写入状态1操作,则对被选中存储单元施加写入状态1的操作电压;若为写入状态0操作,则对被选中存储单元施加写入状态0的操作电压;若为刷新操作,则对被选中存储单元施加写入状态1的操作电压,并检测被选中存储单元是否存在电流,若不存在电流,则先对被选中存储单元施加写入状态0的操作电压,再对被选中存储单元施加写入状态1的操作电压;若存在电流,则对被选中存储单元施加写入状态0的操作电压。本发明在进行数据写入前无需进行读取操作,可有效缩短写入过程的操作流程,提高写入效率。
  • 一种存储器操作方法
  • [发明专利]一种存储器的写入方法和写入装置-CN202210744261.9在审
  • 吴华强;李嘉宁;何源;唐建石;高滨;钱鹤 - 清华大学;北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
  • 2022-06-27 - 2022-09-13 - G11C7/10
  • 本公开提供了一种存储器的写入方法和写入装置,该存储器的写入方法包括:探测存储器的多个存储单元中的第一存储单元的写入操作是否完成,其中,多个存储单元分别用于并行地执行写入数据的多个写入位的写入;响应于探测到第一存储单元的写入操作完成,对于第一存储单元独立地生成写入完成信息;响应于接收到写入完成信息,停止第一存储单元的写入操作。该存储器的写入方法可以探测并行执行写入操作的存储单元的写入操作是否完成,并且在该存储单元的写入操作完成后独立地停止该存储单元的写入操作,从而停止写入驱动电路对该存储单元的继续驱动,降低写入驱动电路的功耗和/或增加了写入数据的写入速度。
  • 一种存储器写入方法装置
  • [发明专利]一种防止意外修改LCD设置的方法及系统-CN201610953614.0有效
  • 俞斌;杨维琴 - TCL移动通信科技(宁波)有限公司
  • 2016-11-03 - 2019-11-26 - G06F21/57
  • 本发明公开了一种防止意外修改LCD设置的方法及系统,所述方法包括:监听到向若干LCD寄存器作写入操作,获取所述写入操作携带的第一写入规则;判断所述第一写入规则与预设的写入规则是否一致;若不一致,则过滤所述写入操作本发明通过对终端设备产生的写入操作配置预设的写入规则,将未携带所述写入规则的写入操作默认为意外操作过滤掉。这样可以使得LCD寄存器执行的写入操作为系统产生的,避免了意外产生的向LCD寄存器作的写入操作,进而解决了LCD设置因被意外修改而导致LCD显示异常的问题。
  • 一种防止意外修改lcd设置方法系统
  • [发明专利]半导体存储装置-CN201510800604.9有效
  • 竹内洁;田边昭;间部谦三 - 瑞萨电子株式会社
  • 2015-11-19 - 2023-10-10 - G11C16/06
  • 一种半导体存储装置,具有使用可变电阻元件的至少一个存储单元,以及控制存储单元的写入和读取的控制电路。通过控制电路实现的操作包括第一写入操作,第二写入操作以及重写操作。第一写入操作是用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的写入操作。第二写入操作是用于将与第一极性相反的第二极性的第二电压施加至存储单元的写入操作。重写操作是在第一写入操作失败时,用于进一步执行用于将第二极性的第二电压施加至存储单元的第二A写入操作以及用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的第一A写入操作写入操作
  • 半导体存储装置

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