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[发明专利]包含有效功函数可调功函数金属层的栅极结构及其制备方法-CN202310170250.9在审
发明人：陈时友;董沁华 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体为包含有效功函数可调功函数金属层的栅极结构及其制备方法。本发明栅极结构包括半导体衬底、栅介质层、功函数金属层，材料为TiAlC；该功函数金属层通过改变密度，使得金属有效功函数调控为符合目标阈值电压所要求的有效功函数；以及其他栅极层。在栅介质层上形成功函数金属层过程中，通过不同工艺条件得到不同密度的功函数金属层，使得金属有效功函数调控为符合目标阈值电压所要求的有效功函数；不同工艺条件包括对栅介质层的预处理工艺和/或功函数金属层的沉积工艺本发明只需一层功函数金属层实现阈值电压的调节，满足多阈值电压器件，避免其他功函数调控方法的复杂工艺，降低制造成本。
包含有效函数可调金属栅极结构及其制备方法

[发明专利]一种降低高K金属栅有效功函数的方法-CN202210853805.5在审
发明人：董健 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种降低高K金属栅有效功函数的方法，基底上设有用于形成NMOS金属栅的区域，在区域上形成高K介质层；在高K介质层上制备层压材料层；层压材料层为含AL的复合层；且复合层由置于高K介质层上的第一功函数层和置于第一功函数层上的第二功函数层组成；第一功函数层中含Al和N，第二功函数层中含Ti；制备层压材料层的方法为：先在高K介质层上制备第一功函数层，在制备第一功函数层的过程中逐渐增加其厚度，直到第一功函数层的厚度达到第一厚度为止；在第一功函数层上制备第二功函数层，在制备第二功函数层的过程中逐渐增加其厚度，直到第二功函数层的厚度达到与第一功函数层的厚度比为3时为止；在第二功函数层上形成栅极金属结构。
一种降低金属有效函数方法

[发明专利]高介电金属栅极MOSFET结构及其制造方法-CN202010861216.2在审
发明人：白文琦;黄志森;胡展源;张瑜;杨会山 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请提供高介电金属栅极MOSFET结构，在形成P型功函数层之后增加一层中间阻挡层，之后在去除NMOS区域的P型功函数层的同时去除NMOS区域的中间阻挡层，而保留位于PMOS区域的P型功函数层和中间阻挡层，之后形成NMOS区域和PMOS区域的N型功函数层及金属栅，如此PMOS的中间阻挡层可在顶部阻挡层的基础上进一步阻挡金属栅的金属向P型功函数层中扩散，从而防止P型功函数层的功函数的大小产生偏移，另PMOS的中间阻挡层位于其P型功函数层与N型功函数层之间，N型功函数层的材料通常为TiAl，因此本发明更可通过中间阻挡层阻挡PMOS的的N型功函数层的Al成份向P型功函数层中扩散，而进一步防止P型功函数层的功函数的大小产生偏移
高介电金属栅极 mosfet 结构及其制造方法

[发明专利]改善SRAM性能的方法-CN201510896857.0有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/8244 文献下载
摘要：一种改善SRAM性能的方法，包括：在P型逻辑器件区栅介质层表面形成P型功函数层，等效功函数值最大的P型功函数层为第一P型功函数层；在上拉晶体管区的栅介质层表面形成上拉功函数层，上拉功函数层的材料和厚度与第一P型功函数层的材料和厚度相同；对上拉晶体管区的基底进行第一阈值电压调节掺杂处理；在N型逻辑器件区栅介质层表面形成N型功函数层，且等效功函数值最大的N型功函数层为第一N型功函数层；在传送门晶体管区的栅介质层表面形成传送门功函数层，传送门功函数层与第一N型功函数层的材料和厚度相同；对传送门晶体管区的基底进行第二阈值电压调节掺杂处理。
改善 sram 性能方法

[发明专利]SRAM器件及其制造方法-CN201611082508.6有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种SRAM器件及其制造方法，制造方法包括：在上拉晶体管区以及下拉晶体管区的部分基底上形成栅介质层；在栅介质层上形成第一功函数层；刻蚀去除下拉晶体管区的第一功函数层；在剩余第一功函数层以及下拉晶体管区上形成第二功函数层，第二功函数层的材料为P型功函数材料；刻蚀去除下拉晶体管区的第二功函数层；在上拉晶体管区的第二功函数层顶部上、上拉晶体管区的剩余第二功函数层侧壁以及剩余第一功函数层侧壁上、以及下拉晶体管区的栅介质层上形成第三功函数层，第三功函数层的材料为N型功函数材料；在第三功函数层上形成栅电极层。
功函数层下拉晶体管上拉晶体管栅介质层侧壁刻蚀去除制造电学参数电学性能栅电极层基底失配优化

[发明专利]SRAM器件及其制造方法-CN201611081243.8有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种SRAM器件及其制造方法，制造方法包括：在上拉晶体管区以及下拉晶体管区的部分基底上形成栅介质层；在栅介质层上形成第一功函数层；刻蚀去除所述下拉晶体管区的第一功函数层；在剩余第一功函数层以及下拉晶体管区上形成第二功函数层，所述第二功函数层的材料为P型功函数材料；在所述上拉晶体管区的剩余第二功函数层侧壁以及剩余第一功函数层侧壁上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上、上拉晶体管区的第二功函数层顶部上以及下拉晶体管区的栅介质层上形成第三功函数层，所述第三功函数层的材料为N型功函数材料；在所述第三功函数层上形成栅电极层。
功函数层下拉晶体管上拉晶体管栅介质层扩散阻挡层侧壁制造电学参数电学性能栅电极层基底刻蚀去除失配优化

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201610133526.6在审
发明人：林静;禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2017-09-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括形成基底；在所述基底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成功函数层，所述功函数层中含有氧原子；在所述功函数层上形成栅极。其中，所述功函数层含有氧原子，并且功函数层的功函数随所述功函数层中氧原子含量的变化而变化。因此，所述形成方法可以通过调节所形成的功函数层中氧原子的含量对功函数层的功函数进行调节，从而对半导体结构的阈值电压进行调节。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]多材料金属电子功函数的测定装置-CN201510857724.2在审
发明人：王新彦;牛艳利;任海鹏;梁思韬;朱志杰;赵扬;张卜闻;张道贵;宋杨 -专利权人：国家电网公司;国网山西省电力公司吕梁供电公司
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： G01N33/20 文献下载
摘要：本发明多材料金属电子功函数的测定装置，属于电子功函数测定装置的技术领域；解决的技术问题为：提供一种便于测量金属材料电子逸出功的测定装置；采用的技术方案为：多材料金属电子功函数的测定装置，包括其阴极灯丝由所述金属材料制成的理想二极管，所述电流检测器Ia1的输出端并接阳极电压器Ua1的正极后与共发射级放大电路的第一输入端相连，共发射级放大电路的输出端与A/D转换器的输入端相连，A/D转换器输出端与单片机的输入端相连，单片机的控制端与显示器相连
材料金属电子函数测定装置

[实用新型]一种有机太阳能电池-CN201420461028.0有效
发明人：金虎;彭鹏;娄晓静;武文鑫 -专利权人：常州二维碳素科技有限公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有机太阳能电池，包括依次叠加的柔性基底、粘性树脂层、阴电极、电子传输层、有机光敏活性层、空穴传输层和顶电极层；所述阴电极为厚度为1-10nm的石墨烯层；所述电池的顶电极层的功函数高于阴电极的功函数本实用新型以聚合物柔性基底作为衬底，将大尺寸高质量的石墨烯转移到柔性聚合物上，将石墨烯层作为透明导电阴极材料，Au等作为高功函数的阳极材料，充分利用石墨烯电子迁移率极高、光透过性极好和厚度超薄等特性。
一种有机太阳能电池

[发明专利]一种OLED器件及其制备方法、显示装置-CN201510280602.1有效
发明人：裴凤巍;赵子仪;张金中;权宁浩 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：所述OLED器件，包括阳极、阴极以及位于所述阳极和所述阴极之间的功能层，所述阴极主要由有机金属层构成，所述有机金属层的功函数为2.9eV～3.7eV，利于提高电子的传输能力。
一种 oled 器件及其制备方法显示装置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201611082506.7有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，形成方法包括：形成栅介质层；在栅介质层上形成第一功函数层；在第一功函数层上形成第二功函数层；去除第二P型阈值电压区、第二N型阈值电压区以及第一下拉晶体管区的第二功函数层；去除第二N型阈值电压区以及第一下拉晶体管区的第一功函数层；在剩余第二功函数层上、第二P型阈值电压区的第一功函数层上、第二N型阈值电压区和第一下拉晶体管区的栅介质层上形成第三功函数层，第三功函数层的厚度小于第一功函数层的厚度；去除第一N型阈值电压区、第二下拉晶体管区、通道栅晶体管区的第三功函数层以及第二功函数层；在露出的第一功函数层、第三功函数层上形成第四功函数层。
功函数层阈值电压下拉晶体管半导体器件栅介质层去除通道栅晶体管读取冗余度

[发明专利]金属栅极功函数层的制备方法、半导体器件及制备方法-CN201410279864.1在审
发明人：徐建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-06-20 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属栅极功函数层的制备方法、半导体器件及制备方法。所述金属栅极功函数层的制备方法包括沉积功函数层；在含N气氛下对所述功函数层进行退火，以在所述功函数层的表面形成氮化物层。本发明为了解决目前功函数层容易被氧化的问题，提供了一种新的制备方法，在所述方法中在沉积功函数层之后在含N气氛下进行退火来代替常规的Ar气氛下进行的退火，通过所述方法可以使功函数层的表面氮化，从而形成一层氮化物层，防止所述功函数层在退火以及工艺等待过程中被氧化，避免了功函数层功函的漂移，同时还可以使制备得到的功函数层更加致密，以提高器件的性能和良率。
金属栅极函数制备方法半导体器件

[发明专利]形成半导体器件的方法-CN202210864519.9在审
发明人：林宗达;许家玮;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在实施例中，形成半导体器件的方法包括：在半导体部件的沟道区域上形成栅极介电层；在栅极介电层上沉积功函数调整层，功函数调整层包括第一功函数调整元素；通过原子层沉积在功函数调整层上沉积覆盖层，覆盖层由氧化物或氮化物形成；在覆盖层覆盖功函数调整层时执行退火工艺，退火工艺将第一功函数调整元素从功函数调整层驱动到栅极介电层中；去除覆盖层以暴露功函数调整层；以及在功函数调整层上沉积填充层。
形成半导体器件方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201510012074.1有效
发明人：赵杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-09 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括：在半导体衬底上形成功函数层后，在所述功函数层上形成缓冲层，之后向覆盖有所述缓冲层的功函数层掺杂离子。在向所述功函数掺杂离子的过程中，所述缓冲层可阻挡所述离子，以减小掺杂入所述功函数层内的离子的量，以调节所述功函数层的功函数；而且通过调整所述缓冲层的材料，以及厚度的方式可调节所述缓冲层阻挡的离子的量，从而调节掺杂入所述功函数层内的离子的量，以调节所述功函数层的功函数，进而调节后续形成的半导体器件的阈值电压。相比于现有技术，上述技术方案可简化功函数层的功函数的调整工艺，进而可简化制备具有不同阈值电压的半导体器件工艺。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110287710.7在审
发明人：田震;董耀旗;黄达 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括衬底以及凸立于衬底的鳍部，沿鳍部的延伸方向上，鳍部包括沟道区，沟道区用于形成叠层功函数层；在沟道区形成保形覆盖鳍部的顶部和侧壁的栅介质层；在沟道区形成保形覆盖栅介质层的第一功函数层；在相邻鳍部之间的第一功函数层上形成填充层，填充层至少露出鳍部顶部的第一功函数层，填充层的材料费米能级相较于叠层功函数层的材料费米能级更接近于鳍部的费米能级；形成覆盖第一功函数层和填充层的第二功函数层，第二功函数层和第一功函数层用于构成叠层功函数层。第二功函数层位于第一功函数层和填充层顶部，降低了第二功函数层中产生空洞缺陷的概率，提高器件阈值电压的均一性。
半导体结构及其形成方法