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[发明专利]OLED结构以及柔性OLED显示面板-CN201710049974.2在审
发明人：杨小龙;胡坤;单奇;林立;邢汝博 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：所述OLED结构包括阳极层、阴极层以及设置在阳极层和阴极层之间的有机功能层，所述阳极层包括一银合金层，所述银合金层的功函数大于等于4.9eV，可见光反射率大于等于85％，电阻率小于等于5×10‑6Ω·m本发明具有较高的功函数、较高的可见光反射率以及较好的导电性能，且银合金层具有很好的延展性，可满足柔性OLED显示面板的要求。
银合金层阳极层可见光反射率功函数阴极层延展性有机功能层导电性能电阻率

[发明专利]使用具有高功函数的聚合物阳极的简化的有机电子器件-CN201210165809.0有效
发明人：李泰雨;禹成勋 -专利权人：浦项工科大学校产学协力团
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及使用具有高功函数的聚合物阳极的简化的有机电子器件。
使用具有函数聚合物阳极简化有机电子器件

[发明专利]显示面板及显示装置-CN202010619158.2在审
发明人：莫丹;赵欢;贾松霖;张义波;陈营营;朱平;黄金雷 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明实施例涉及显示技术领域，公开了一种显示面板及显示装置，所述显示面板包括：阳极和纯银阴极；以及位于所述阳极和纯银阴极之间的发光层；所述纯银阴极与所述发光层之间还包括至少一层功能层，所述功能层的功函数值小于所述纯银阴极的功函数值
显示面板显示装置

[实用新型]一种采用低温镀膜TCO作为阴极的OLED膜层-CN201620772563.7有效
发明人：黄信二 -专利权人：研创应用材料（赣州）股份有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种采用低温镀膜TCO作为阴极的OLED膜层，衬底、阳极金属导电层、阳极高功函数氧化物透明导电层、有机发光材料层、低功函数阴极金属半透明膜层、低温溅镀氧化物透明导电层和阴极阻隔保护层从下到上依次连接，本实用新型提高阴极电极的电性及耐候性
一种采用低温镀膜 tco 作为阴极 oled

[发明专利]有机发光显示面板及其制作方法、显示装置-CN201810090092.5有效
发明人：姜文鑫 -专利权人：上海天马微电子有限公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：显示区域，所述显示区域包括多个第一像素和第二像素，所述至少部分第一像素的部分边缘构成所述显示区域的部分锯齿形边缘；至少部分所述第二像素位于所述第一像素远离所述显示区域边缘的一侧；每个所述第一像素包括第一阳极、第一阴极以及位于所述第一阳极和所述第一阴极之间的发光层，每个所述第二像素包括第二阳极、第二阴极以及位于所述第二阳极和所述第二阴极之间的发光层；所述第一阳极的功函数小于所述第二阳极的功函数。
有机发光显示面板及其制作方法显示装置

[发明专利]一种MXene掺杂PEDOT:PSS为阳极修饰层材料的有机太阳能电池及其制备方法-CN201910049796.2有效
发明人：於黄忠;侯春利;黄承稳 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种MXene掺杂PEDOT:PSS为阳极修饰层材料的有机太阳能电池及其制备方法。所述有机太阳能电池器件包括依次层叠设置的阳极基底、阳极修饰层、活性层、阴极修饰层以及阴极层。所述阳极修饰层材料由MXene与PEDOT:PSS掺杂而成，且MXene掺杂质量百分比为2~6.5%。本发明采用在PEDOT:PSS中掺杂高电导率、高透光性以及与ITO相匹配功函数的MXene为阳极修饰层来制备有机太阳能电池器件；首先，MXene具有较高的电导率，可以有效的提升有机太阳能电池的电荷传输效率；其次MXene可有效调控功函数，降低阳极与活性层之间的界面能力，最终提高有机太阳能电池的光电转换效率。
一种 mxene 掺杂 pedot pss 阳极修饰材料有机太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种高功函数复合材料的制备方法-CN201910370813.2在审
发明人：毛宏颖;王海涛;杨向东 -专利权人：杭州师范大学
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功函数复合材料的制备方法，采用物理气相沉积法依次在二维材料衬底表面沉积含氟有机半导体分子层和金属层后，热处理得到高功函数复合材料。该方法通过控制复合材料热处理退火的温度，简单、可靠的实现对其功函数的调控，改善其在有机光伏器件中作为新型的阳极材料的应用。本发明操作简便，整个制备过程安全无害，具有广阔的应用前景。
复合材料高功函数热处理制备物理气相沉积法有机半导体分子有机光伏器件退火衬底表面二维材料阳极材料制备过程功函数金属层含氟沉积应用调控安全

[发明专利]光电器件-CN00803665.9有效
发明人： J·H·伯鲁吉斯;J·C·卡特;A·G·古纳;S·K·希克斯;I·S·米拉德 -专利权人：剑桥显示技术有限公司
申请日： 2000-02-14 - 公布日： 2002-03-13 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：光电器件,包括阳极(10);阴极(11);和位于电极之间的光电有源区(12);阴极包括第一层(15),包括功函数低于3.5eV的材料;组分与第一层不同的第二层(16),包括功函数低于3.5eV的另一材料,第二层比第一层更远离光电有源区;以及第三层(17),包括功函数大于3.5eV的材料,第三层比第一层更远离光电有源区。
光电器件

[发明专利]电致发光器件及其制备方法和显示装置-CN201911348035.3有效
发明人：苏亮 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种电致发光器件，包括阴极层、电子功能层、发光层和阳极层，所述阴极层与所述阳极层相对设置，所述电子功能层设置于所述阴极层与所述阳极层之间，所述发光层设置于所述电子功能层与所述阳极层之间，其特征在于，所述电子功能层包括用于传输和/或注入电子的功能材料及掺杂于所述功能材料中的羟基修饰的二维层状纳米材料，所述羟基修饰的二维层状纳米材料的功函数小于所述功能材料的功函数。
电致发光器件及其制备方法显示装置

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310339571.3无效
发明人：周明杰;黄辉;冯小明;王平 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-08-06 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及阴极，阴极包括层叠于电子注入层表面的三元掺杂层及层叠于三元掺杂层表面的金属层；三元掺杂层的材料包括钝化材料、掺杂在钝化材料中的噻吩及低功函数金属，钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍及氧化铜中的至少一种，噻吩选自3-己基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩及3-十二烷基噻吩中的至少一种，低功函数金属的功函数为-2.0eV～-3.5eV；金属层的材料为高功函数金属，高功函数金属的功函数为-4.0～-5.5eV。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310038884.5无效
发明人：周明杰;王平;黄辉;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层和阴极，电荷产生层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料，主体材料选自氧化铜、氧化银及氧化亚铜中的至少一种，客体材料包括低功函数金属及高功函数金属，低功函数金属层的材料选自钙、镱、镁及钡中的至少一种，低功函数金属与主体材料的质量比为1:20~2:5，高功函数金属选自银、铝、铂及金中的至少一种，高功函数金属与主体材料的质量比为1:20~1:5。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机阻变型存储单元、存储器及其制备方法-CN201110076731.0无效
发明人：刘明;王宏;姬濯宇;商立伟;陈映平;王艳花;韩买兴;刘欣 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明的有机阻变型存储单元，采用高功函数的金属或导电聚合物为阳极，低功函数的金属为阴极。阳极和有机半导体层之间形成欧姆接触，而阴极和有机半导体层之间形成肖特基接触，从而使该有机阻变型存储单元具有自整流性能。本发明在不明显提高成本和工艺复杂度的前提下，消除了有机阻变型存储单元的误读现象。
有机变型存储单元存储器及其制备方法

[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法-CN202011626531.3在审
发明人：李凯利 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本申请涉及显示技术领域，提供了一种量子点发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴注入层；其中，所述空穴注入层的材料包括叠层设置的二维黑磷层和金属化合物层本申请提供的量子点发光二极管，高功函数的金属化合物层能提高二维黑磷层的功函数，使其更接近PEDOT：PSS的功函数，从而降低ITO层界面势垒，提高空穴注入速率，实现电荷注入平衡。
量子发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种OLED器件-CN201210517303.1有效
发明人：邱勇;刘嵩;何麟 -专利权人：昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学;北京维信诺科技有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种OLED器件，包括基板，依次设置在基板上的阳极、有机层和阴极，所述阴极为透明复合阴极，包括低功函数金属与Ag的合金层、Ag层，以及设置在Ag层上的增透层；所述低功函数金属的功函数小于3.7eV的，所述合金层中低功函数金属与Mg、Li、K等与Ag共同蒸镀时会包覆在Ag原子周围，以适度的比例蒸镀可以有效降低阴极的功函数，且不会大量吸收可见光；增透层不但增加透射光的强度，且能隙较大，不会影响器件色纯度；所述合金层的厚度与所述Ag
一种 oled 器件

[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法-CN201810791368.2有效
发明人：梁柱荣;曹蔚然;钱磊 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：该量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有用于提高所述阳极功函数的第一界面偶极层；和/或所述阴极和所述量子点发光层之间设置有用于降低所述阴极功函数的第二界面偶极层
量子发光二极管及其制备方法