专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]包含有效功函数可调功函数金属层的栅极结构及其制备方法-CN202310170250.9在审
  • 陈时友;董沁华 - 复旦大学
  • 2023-02-27 - 2023-06-09 - H01L29/423
  • 本发明属于半导体技术领域,具体为包含有效功函数可调功函数金属层的栅极结构及其制备方法。本发明栅极结构包括半导体衬底、栅介质层、功函数金属层,材料为TiAlC;该功函数金属层通过改变密度,使得金属有效功函数调控为符合目标阈值电压所要求的有效功函数;以及其他栅极层。在栅介质层上形成功函数金属层过程中,通过不同工艺条件得到不同密度的功函数金属层,使得金属有效功函数调控为符合目标阈值电压所要求的有效功函数;不同工艺条件包括对栅介质层的预处理工艺和/或功函数金属层的沉积工艺。本发明只需一层功函数金属层实现阈值电压的调节,满足多阈值电压器件,避免其他功函数调控方法的复杂工艺,降低制造成本。
  • 包含有效函数可调金属栅极结构及其制备方法

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