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[发明专利]PMOS晶体管金属栅极的制造方法-CN201110397349.X有效
发明人：平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及PMOS晶体管金属栅极的制造方法，通过形成低氧浓度功函数金属层和高氧浓度功函数金属层共同组成的功函数金属层，其中低氧浓度功函数金属层能够降低栅极消耗效应(Gate Depletion Effects)，所述高氧浓度功函数金属层能够提高功函数金属层的功函数值，从而提高金属栅极的功函数值，使采用金属栅极的功函数值能够达到现有技术中多晶硅栅极的功函数值，满足工艺要求，并提高PMOS晶体管的性能。
pmos 晶体管金属栅极制造方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201710131162.2有效
发明人：邓浩;徐建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成功函数层，形成功函数层的步骤包括一次或多次功函数膜形成步骤，所述功函数膜形成步骤包括：在所述衬底上形成初始功函数膜，所述初始功函数膜中具有碳原子；通过除碳前驱体对所述初始功函数膜进行除碳处理形成功函数膜，除碳前驱体用于与初始功函数膜中的碳原子反应；在功函数层上形成栅极。在功函数层上形成栅极。形成初始功函数膜之后，通过除碳前驱体对初始功函数膜进行除碳处理。除碳前驱体能够与初始功函数膜中的碳原子反应，从而降低初始功函数膜中的碳原子含量，进而改变功函数层的功函数，进而对所形成晶体管的阈值电压进行调节，使所形成晶体管的阈值电压符合设计要求。
半导体结构形成方法

[实用新型]有机电致发光器件及显示面板-CN201821130420.1有效
发明人：刘新 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种有机电致发光器件及显示面板，有机电致发光器件包括铟锡氧化物阳极层、铟锡氧化物纳米晶层和发光单元，所述铟锡氧化物纳米晶层设于所述铟锡氧化物阳极层上，所述发光单元设于所述铟锡氧化物纳米晶层上铟锡氧化物纳米晶是一种稳定的纳米材料，具有较好的可打印性，透光率大于90％，且由于量子尺寸效应，铟锡氧化物纳米晶的费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级，形成不连续的导带和价带，能隙变宽，功函数增大，从而略高于铟锡氧化物阳极层的功函数。因此将铟锡氧化物纳米晶层设置在铟锡氧化物阳极层与发光单元之间可以降低二者之间的势垒，提升空穴注入能力，提高有机电致发光器件的效率和寿命。
铟锡氧化物有机电致发光器件铟锡氧化物阳极层纳米晶层发光单元显示面板功函数纳米晶能级空穴注入能力量子尺寸效应本实用新型费米能级可打印性离散能级纳米材料不连续透光率变宽导带价带能隙势垒

[发明专利]一种高可靠无源有机电致发光器件及其制备方法-CN201710544247.3有效
发明人：张国辉;陈旭;吕勇;赵杨;王如海 -专利权人：固安翌光科技有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明所述高可靠无源有机电致发光器件，在现有结构器件基础上，通过引入选定材料形成的电流限制层，以限制通过特定像素的电流值，同时又通过在所述电流限制层上设置相应的第二阳极层以实现功函数的匹配，一方面增加电流注入，同时减少因界面功函数不匹配而引起的电压上升，可有效避免屏体漏电等不稳定状况。
一种可靠无源有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN202010682034.9在审
发明人：黄智雄;蔡仲恩;刘致为;郭观华;萧亦修 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：栅极堆叠位于基板上方并且包括栅极介电层、底部功函数金属层、顶部功函数金属层和填充金属。底部功函数金属层位于栅极介电层上方。顶部功函数金属层在底部功函数金属层上方并与其接触。顶部功函数金属层和底部功函数金属层中的至少一个包括掺杂剂，并且顶部功函数金属层比底部功函数金属层厚。填充金属位于顶部功函数金属层上方。磊晶结构位于基板上方并与栅极堆叠相邻。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110460017.5在审
发明人：李欣怡;张文;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：沟道区域；栅极电介质层，位于沟道区域上；第一功函数调整层，位于栅极电介质层上，第一功函数调整层包括n型功函数金属；阻挡层，位于第一功函数调整层上；第二功函数调整层，位于阻挡层上，第二功函数调整层包括p型功函数金属，该p型功函数金属与n型功函数金属不同；以及填充层，位于第二功函数调整层上。
半导体器件方法

[发明专利]晶体管栅极结构及其形成方法-CN202110569082.1在审
发明人：李欣怡;洪正隆;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：沟道区域；栅极电介质层，位于沟道区域上；第一功函数调谐层，位于栅极电介质层上，第一功函数调谐层包含p型功函数金属；阻挡层，位于第一功函数调谐层上；第二功函数调谐层，位于阻挡层上，第二功函数调谐层包含n型功函数金属，n型功函数金属与p型功函数金属不同；以及填充层，位于第二功函数调谐层上。
晶体管栅极结构及其形成方法

[发明专利]用于有机EL元件的阳极结构体、其生产方法和有机EL元件-CN201080045816.6有效
发明人：松浦宜范;河合信之;久保田高史 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H05B33/26 文献下载
摘要：本发明涉及用于顶发射型有机EL元件的阳极结构体，其包括层状结构，所述层状结构包括由选自铝、铝合金、银和银合金的至少一种组成的阳极层；和直接设置于所述阳极层上且由具有15at.根据本发明，可提供阳极结构体，所述阳极结构体可在确保适合用于高亮度、高功率效率有机EL元件的阳极的高功函数的同时延长有机EL元件的寿命，且在耐碱性方面也优异。
用于有机 el 元件阳极结构生产方法

[发明专利]一种基于金属薄膜衬底的大面积有机太阳电池及其制备方法-CN201711176452.5在审
发明人：何志才;庞小雷;易淑旺;陈虹竹 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L51/44 文献下载
摘要：该大面积有机太阳电池由光入射方向，依次包括玻璃基底、高功函数金属薄膜导电衬底、阴极界面层、光活性层、阳极界面层和金属阳极；所述高功函数金属薄膜导电衬底的材料为不活泼金属，包括金、银或铜；所述阴极界面层的材料为含有极性基团或离子性基团的极性单元的共轭聚合物，或者含有极性基团或离子性基团的极性单元的共轭聚合物对应的聚电介质；所述阳极界面层为金属氧化物和导电聚合物的薄膜中的一种以上，包括聚3,4‑乙撑二氧噻吩薄膜。
一种基于金属薄膜衬底大面积有机太阳电池及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010924126.3在审
发明人：赵琼洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底；位于所述基底上的功函数层，所述功函数层内含有硅原子，从底面到顶面，所述功函数层内硅原子的摩尔百分比浓度分布是均匀的，或者，所述功函数层包括若干沿基底表面方向上重叠的第一功函数部和第二功函数部，所述第一功函数部内硅原子的摩尔百分比浓度大于第二功函数部内硅原子的摩尔百分比浓度。硅原子的摩尔百分比浓度较小的第二功函数部能够使所述功函数层的整个硅原子的摩尔百分比浓度降低。同时，所述若干交替重叠的第一功函数部和第二功函数部构成所述功函数层，有利于提高所述功函数层内硅原子的分布均匀性，有利于提高形成的半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]具有HKMG的PMOS-CN201810330260.3在审
发明人：王世铭;黄志森;许佑铨 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有HKMG的PMOS，HKMG包括栅介质层和金属栅，在栅介质层和金属栅之间具有第一功函数层和第二功函数层，第一功函数层为PMOS的功函数层；第二功函数层为NMOS的功函数层，在第一功函数层和第二功函数层之间具有第一阻障层，第一功函数层、第一阻障层和第二功函数层形成叠加的结构，第一阻障层用于防止第二功函数层和金属栅的材料对第一功函数层的影响，使PMOS的性能稳定。本发明能防止金属栅的金属材料穿透到底部的PMOS管的功函数层中，从而能提高PMOS的稳定性；不需要额外增加光罩，不会增加工艺的复杂性，工艺成本低；不会影响到NMOS的特性。
功函数层金属栅阻障层栅介质层金属材料工艺成本光罩穿透叠加

[发明专利]PMOS晶体管及其形成方法-CN201510654252.0有效
发明人：徐建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-10-10 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种PMOS晶体管及其形成方法，本发明通过依次位于所述栅介质层上的第一PMOS功函数层和第二PMOS功函数层构成PMOS功函数，且第二PMOS功函数层的层密度大于所述第一PMOS功函数层的层密度。因此第二PMOS功函数层的阻挡能力比所述第一PMOS功函数层的阻挡能力强，所以所述第二PMOS功函数层能够有效的阻挡NMOS功函数层中金属离子的扩散，防止NMOS功函数层中金属离子影响PMOS功函数层的性能此外，还可以通过改变所述第一PMOS功函数层和所述第二PMOS功函数层的厚度，实现对所述PMOS晶体管阈值电压的调节，降低了调节PMOS晶体管阈值电压的难度，降低了器件制造成本。
pmos 晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体器件-CN201811567096.4在审
发明人：朴钟昊;金完敦;任廷爀;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括在衬底上并具有彼此不同的阈值电压的第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的每个包括栅极绝缘层、第一功函数金属层和第二功函数金属层。第一晶体管的第一功函数金属层可以包括第一子功函数层，第二晶体管的第一功函数金属层可以包括第二子功函数层，第三晶体管的第一功函数金属层可以包括第三子功函数层，第一子功函数层、第二子功函数层和第三子功函数层可以具有彼此不同的功函数
晶体管功函数层功函数金属层半导体器件栅极绝缘层阈值电压功函数衬底

[发明专利]有机发光显示面板及其显示装置-CN201810551452.7有效
发明人：程爽;牛晶华;王湘成;朱晴;刘银河;那晓曦;文磊 -专利权人：上海天马有机发光显示技术有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：有机发光显示面板包括阴极与有机发光层之间的第一电子传输层，阳极与有机发光层之间的空穴注入层；第一电子传输层包括第一掺杂剂，第一掺杂剂包括碱土金属元素或者稀土金属元素，空穴注入层包括第二掺杂剂；第一电子传输层中电子传输基质的最低未占据轨道能级|LUMO1‑LUMO4|＜1.7eV；空穴注入层中空穴注入基质的最高占据轨道能级HOMO5与有机发光层中主体材料的最高占据轨道能级HOMO4之间满足：|HOMO5‑HOMO4|＜1eV；第一掺杂剂的功函数DDA0001680337580000011.TIF" imgContent="drawing" imgFormat="TIFF" orientation="portrait" inline="no" />与阴极的功函数DDA0001680337580000013.TIF" imgContent="drawing" imgFormat="TIFF" orientation="portrait" inline="no" />第二掺杂剂的功函数DDA0001680337580000014.TIF" imgContent="drawing" imgFormat="TIFF" orientation="portrait" inline="no" />与阳极的功函数
有机发光显示面板及其显示装置

[发明专利]P型半导体器件及其制造方法-CN201911133329.4在审
发明人：翁文寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型半导体器件，栅极结构包括依次叠加的栅介质层和金属栅，在栅介质层和所述金属栅之间具有由TiN层组成的P型功函数层。P型功函数层具有功函数调节结构，功函数调节结构是由对TiN层进行表面处理形成。P型功函数层的功函数通过功函数调节结构调节。P型半导体器件的阈值电压由P型功函数层的功函数确定并由功函数调节结构调节。本发明能在厚度参数之外调节TiN层组成的P型功函数层的功函数并从而调节器件的阈值电压，从而能使P型功函数层的功函数调节不受到厚度的限制，有利于在等比例缩小的器件的应用。
半导体器件及其制造方法